一种激光器制造技术

本发明专利技术公开了一种激光器用连接结构及激光器组件，涉及光纤通信技术领域，为实现在满足阻抗匹配要求的前提下，以打线方式将激光器与分布于同一基板上下两面的导电通路电连接而发明专利技术。本发明专利技术激光器用连接结构，包括第一绝缘基板，所述第一绝缘基板的上、下表面分别设有导电通路，所述第一绝缘基板的上表面设有第二绝缘基板，所述第二绝缘基板的上表面设有导电通路，所述第二绝缘基板上表面的导电通路与所述第一绝缘基板下表面的导电通路通过过孔电连接。本发明专利技术一种激光器用连接结构及激光器组件用于为激光器供电。

【技术实现步骤摘要】
一种激光器本案为2015年03月30日提交的、申请号为201510145308.X、专利名称为一种激光器用连接结构及激光器组件的分案申请。
本专利技术涉及光纤通信
，尤其涉及一种激光器。
技术介绍
近年随着国内大量的FTTH（FiberToTheHome，光纤直接到家庭）和3G/4G网络建设，光器件的需求量越来越大，系统商对光器件的要求也越来越高。因此，开发速率高、传输远、小型化、低功耗的光器件成为设备商和器件商的关注重点。随着激光发射器的小型化发展，其封装方式由传统的蝶形（Butterfly）封装转变为XMD（10Gbit/sMiniatureDevice，10G比特每秒的微型器件）封装。当需要的引脚较多时，若将引脚均设于陶瓷基板的同一侧面，则需要使用的陶瓷基板的体积会相应增大，使得激光发射器的占用空间较大，有悖于激光发射器的小型化发展，因此，现有技术通过将引脚焊接在同一块陶瓷基板的相对表面，以减小陶瓷基板的体积。如图1所示，即为现有的一种采用XMD封装的激光发射器的示意图，包括光纤适配器01、腔体02及引脚03。激光发射器的用电器件包括位于腔体02内的激光器及其他电器件（图中未示出），激光器发出的光通过光纤适配器01进入光纤，引脚03焊接在位于腔体02内的同一块陶瓷基板（图中未示出）的相对表面，引脚03通过与外部电路的连接为激光器及其他电器件供电。图2为图1中所示激光发射器腔体02的内部结构示意图，图3为图2中陶瓷基板的示意图，腔体02内部包含热沉04、激光器05、第一陶瓷基板06，热沉04的表面贴有导电层，激光器05的阴极与导电层贴合，激光器05的上表面具有阳极焊点051，第一陶瓷基板06的上表面设有导电通路0A，下表面设有导电通路0B，导电通路0A和导电通路0B分别与位于第一陶瓷基板06相对表面的引脚03焊接，阳极焊点051与第一陶瓷基板06上表面的导电通路0A以通过金线以打线的方式连接，引脚03与导电通路0A焊接在一起，从而实现了激光器05与导电通路0A上焊接的引脚03的电连接。由于目前激光发射器的制造工艺无法实现在相对的方向上进行打线，即无法实现在陶瓷基板的相对表面均以打线的方式建立电连接，然而引脚03却焊接在第一陶瓷基板06的相对表面，这导致若以打线的方式与其中一个表面的导电通路建立电连接，就无法以打线的方式与另外一个表面的导电通路建立电连接。针对这一问题，增加第二陶瓷基板07，参照图2、图3、图4，第二陶瓷基板07的上表面设有导电通路0C，将导电通路0B所在的表面与导电通路0C所在的表面贴合，使导电通路0B和0C对接，此时，导电层与第二陶瓷基板07上导电通路0C所在的表面位于同一水平面，金线以打线的方式连接到第二陶瓷基板07的导电通路0C上，通过对接的导电通路中转，实现激光器05与导电通路0B上焊接的引脚03的电连接。然而，由于导电通路较窄，同时制造工艺有限，如图5所示，这种中转连接方式使得导电通路0B与0C在对接时发生错位，存在相对较大的误差，误差的存在破坏了为高频信号预设的阻抗匹配。阻抗匹配是微波电子学里的一部分，主要用于传输线上，以求达到所有高频的微波信号皆能传至负载点的目的，不会有信号反射回来源点，从而提升高频信号质量。高速率的信号传输要求激光发射器满足高频信号所需的阻抗匹配要求，而对接存在的误差使得通过导电通路0C、导电通路0B及引脚03为激光器05提供高频信号不符合阻抗匹配要求。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种激光器用连接结构及激光器组件，实现了在满足阻抗匹配要求的前提下，以打线方式将激光器与分布于同一基板上下两面的导电通路电连接。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：1、一种激光器，包括第一绝缘基板，所述第一绝缘基板的上、下表面分别设有导电通路；第二绝缘基板，位于所述第一绝缘基板的上表面，所述第二绝缘基板的上表面设有导电通路；所述第一绝缘基板的下表面设有与所述激光器外壳焊接的金属层；所述第一绝缘基板包括第二导电夹层，所述第二绝缘基板上表面的导电通路与所述第二导电夹层通过过孔电连接，所述第二导电夹层与所述第一绝缘基板下表面的导电通路通过过孔电连接。本专利技术实施例提供的激光器用连接结构，为了实现将激光器和位于同一基板相对表面的导电通路通过打线的方式连接，在第一绝缘基板的上表面设有第二绝缘基板，并通过过孔将第二绝缘基板上表面的导电通路与所述第一绝缘基板下表面的导电通路电连接，在封装时，不仅可以通过金线以打线的方式将激光器与第一绝缘基板上表面的导电通路连接以实现高频信号的传输，还可以通过打线的方式将激光器与第二绝缘基板上表面的导电通路连接，由于第二绝缘基板上表面的导电通路与第一绝缘基板下表面的导电通路通过过孔连接，从而实现了激光器和第一绝缘基板下表面的导电通路连接，由此，可使激光器与分布于同一基板上下两面的导电通路电连接。相比现有技术，本专利技术的连接结构通过过孔转接的方案，实现了以打线方式将激光器与分布于同一基板上下两面的导电通路同时电连接，并且由于可以直接利用第一绝缘基板上表面的导电通路进行高频信号的传输，则不会出现阻抗不匹配的问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中采用XMD封装的激光发射器的示意图；图2为图1中激光发射器腔体的内部结构示意图；图3为图2中陶瓷基板的示意图；图4为图2中陶瓷基板的另一角度示意图；图5为图2中陶瓷基板的截面图；图6为本专利技术实施例中连接结构的示意图；图7为本专利技术实施例中连接结构的侧视图；图8为本专利技术实施例中第一绝缘基板和第二绝缘基板的连接示意图；图9为本专利技术实施例中连接结构内设置第一导电夹层和第二导电夹层的示意图；图10为本专利技术实施例中连接结构内设置第一导电夹层和第二导电夹层的侧视图；图11为本专利技术实施例中第一绝缘基板上的导电通路的示意图；图12为本专利技术实施例中第一绝缘基板内的微带线结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光器，其特征在于，包括第一绝缘基板，所述第一绝缘基板的上、下表面分别设有导电通路；第二绝缘基板，位于所述第一绝缘基板的上表面，所述第二绝缘基板的上表面设有导电通路；所述第一绝缘基板的下表面设有与所述激光器外壳焊接的金属层；所述第一绝缘基板包括第二导电夹层，所述第二绝缘基板上表面的导电通路与所述第二导电夹层通过过孔电连接，所述第二导电夹层与所述第一绝缘基板下表面的导电通路通过过孔电连接。

【技术特征摘要】
1.一种激光器，其特征在于，包括第一绝缘基板，所述第一绝缘基板的上、下表面分别设有导电通路；第二绝缘基板，位于所述第一绝缘基板的上表面，所述第二绝缘基板的上表面设有导电通路；所述第一绝缘基板的下表面设有与所述激光器外壳焊接的金属层；所述第一绝缘基板包括第二导电夹层，所述第二绝缘基板上表面的导电通路与所述第二导电夹层通过过孔电连接，所述第二导电夹层与所述第一绝缘基板下表面的导电通路通过过孔电连接。2.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：王昊，穆洪伟，黄永亮，张舜，
申请(专利权)人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37