一种场效应晶体管式磁传感器、其制备方法与使用方法技术

本发明专利技术提供了一种场效应晶体管式磁传感器，具有场效应晶体管结构，包括半导体基底，源极、漏极与栅极；其中，半导体基底由基底层与位于该基底层表面的半导体层组成，并且基底层与半导体层之间电绝缘，基底层具有磁致伸缩效应，半导体层具有压电效应；工作状态时，外界磁场作用于基底层时场效应晶体管的电信号发生改变，通过测试该电信号实现磁场的探测。该磁传感器结构简单，并且由于结合了场效应晶体管的信号放大作用，能够实现高灵敏度的磁场探测。

【技术实现步骤摘要】
一种场效应晶体管式磁传感器、其制备方法与使用方法
本专利技术涉及磁场探测技术，具体涉及一种场效应晶体管式磁传感器、其制备方法与使用方法。
技术介绍
磁传感器是传感器中的一个重要组成部分，是把磁学信号变换成为电信号等其他所需形式的信息输出的传感器。经过近一个世纪的发展，磁传感器在人类社会生活的各个方面发挥着越来越来重要的作用，每年全世界有数以十亿计的磁传感器投入使用。伴随着磁传感器的日臻完善，各行各业对其提出了越来越高的要求，尤其是要求其探测精度越来越高，同时要求其使用量程越来越宽，进一步拓宽应用领域，以满足实际应用的需求。因此，具有高的探测精度同时具有宽的使用量程是磁传感器新的发展方向之一，也越来越受到了研究学者的广泛关注。目前，较为常见的磁传感器主要有以下几类：霍尔(Hall)传感器、磁通门和电流感应磁传感器、磁电阻型传感器等。从目前的研究现状来看，室温下磁传感器的探测精度与量程通常是顾此失彼。因此，制备即满足高的探测精度又能实现宽的探测量程的磁场传感器仍然是一大挑战，寻求新型的磁传感器是目前努力的方向之一。
技术实现思路
针对上述技术现状，本专利技术提供一种磁传感器，具有场效应晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管式磁传感器，其特征是：包括半导体基底，以及与半导体基底相电连接的源极、漏极与栅极；其中，半导体基底由基底层与位于该基底层表面的半导体层组成，并且基底层与半导体层之间电绝缘，基底层具有磁致伸缩效应，半导体层具有压电效应；工作状态时，外界磁场作用于基底层，场效应晶体管的电信号发生改变，通过测试该电信号实现磁场的探测。

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管式磁传感器，其特征是：包括半导体基底，以及与半导体基底相电连接的源极、漏极与栅极；其中，半导体基底由基底层与位于该基底层表面的半导体层组成，并且基底层与半导体层之间电绝缘，基底层具有磁致伸缩效应，半导体层具有压电效应；工作状态时，外界磁场作用于基底层，场效应晶体管的电信号发生改变，通过测试该电信号实现磁场的探测。2.如权利要求1所述的场效应晶体管式磁传感器，其特征是：所述的基底层材料是FeGa、TeDyFe、铁硅硼FeSiB、CoFeSi中的一种或者两种以上的复合材料。3.如权利要求1所述的场效应晶体管式磁传感器，其特征是：所述的半导体层材料是氧化锌、锆钛酸铅或者聚偏二氟乙烯。4.如权利要求1所述的场效应晶体管式磁传感器，其特征是：所述的源极是铝、金、钛中的一种或者几种；作为优选，所述的漏极是铝、金、钛中的一种或者几种；作为优选，所述的栅极是铝、金、钛中的一种或者几种。5.如权利要求1所述的场效应晶体管式磁传感器，其特征是：所述半导体基底为微纳米尺寸；作为优选，所述半导体基底的厚度为1微米～50微米。6.如权利要求5所述的场效应晶体管式磁传感器，其特征是：所述的源极、漏极与栅极均为微纳米尺寸；作为优选，所述源极、漏极与栅极的长度和宽度均为1微米～200微米，厚度为纳米级。7.如权利要求1所述的场效应晶体管式磁传感器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：巫远招，刘宜伟，李润伟，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：浙江,33