一种发光二极管的外延片及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子制造技术领域。本发明专利技术中的外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的GaN缓冲层、GaN非掺杂层、第一应力释放层、n型GaN层、第二应力释放层、发光层和p型GaN层，第一应力释放层为AlxInyGa1‑x‑yN层，第一应力释放层可以释放由于衬底与GaN缓冲层的晶格不匹配产生的应力，第二应力释放层为AlaInbGa1‑a‑bN层，其中，其中0<x<0.3，0.2<y<0.6，0<a<0.3，0.2<b<0.6，第二应力释放层可以释放n型GaN层生长过程中产生的应力，从而可以减弱发光层中的量子阱的极化效应，提高发光效率，降低LED的工作电压。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管的外延片及制备方法
本专利技术涉及光电子制造
，特别涉及一种发光二极管的外延片及制备方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)具有体积小、寿命长、功耗低等优点，目前被广泛应用于汽车信号灯、交通信号灯、显示屏以及照明设备。现有的LED主要包括衬底和依次层叠在衬底上的n型GaN层、发光层和p型GaN层。这种LED在实际工作时至少存在以下问题：由于衬底一般为蓝宝石衬底，n型GaN层与蓝宝石衬底之间存在较大的晶格失配，生长出来的外延层成膜质量差，导致LED发光效率低，而为了提高LED的发光效率，就需要增大LED的工作电压。过高的工作电压会导致LED单位时间内产生过多的热量，导致LED温度升高，影响LED寿命。
技术实现思路
为了解决现有LED工作电压高的问题，本专利技术实施例提供了一种发光二极管的外延片及制备方法。所述技术方案如下：一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的GaN缓冲层、GaN非掺杂层、第一应力释放层、n型GaN层、第二应力释放层、发光层和p型GaN层，所述第一应力释放层为AlxInyGa本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的GaN缓冲层、GaN非掺杂层、第一应力释放层、n型GaN层、第二应力释放层、发光层和p型GaN层，所述第一应力释放层为AlxInyGa1‑x‑yN层，所述第二应力释放层为AlaInbGa1‑a‑bN层，其中，0<x<0.3，0.2<y<0.6，0<a<0.3，0.2<b<0.6。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的GaN缓冲层、GaN非掺杂层、第一应力释放层、n型GaN层、第二应力释放层、发光层和p型GaN层，所述第一应力释放层为AlxInyGa1-x-yN层，所述第二应力释放层为AlaInbGa1-a-bN层，其中，0&lt;x&lt;0.3，0.2&lt;y&lt;0.6，0&lt;a&lt;0.3，0.2&lt;b&lt;0.6。2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一应力释放层中In组分含量沿所述第一应力释放层的生长方向逐渐降低。3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第二应力释放层中In的组分含量沿所述第二应力释放层的生长方向逐渐降低。4.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述第一应力释放层中AL的组分含量随所述第一应力释放层生长方向逐渐增加。5.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述第二应力释放层中AL的组分含量随所述第二应力释放层生长方向逐渐增加。6.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述发光层与所述第二应力释放层之间还设置有浅阱层...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖云飞，刘春杨，胡加辉，李鹏，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33