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本发明公开了一种发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子制造技术领域。本发明中的外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的GaN缓冲层、GaN非掺杂层、第一应力释放层、n型GaN层、第二应力释放层、发光层和p型GaN层，第一应力释放层为AlxIn...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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