一种绝缘栅双极型晶体管反型MOS过渡区结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种绝缘栅双极型晶体管反型MOS过渡区结构及其制作方法。该结构包括衬底、设置在衬底上表面的元胞掺杂区、集成反型MOS掺杂区、隔离栅电极的介质层、与元胞结构相匹配的电极金属和栅结构。本发明专利技术提供的一种集成反型MOS高关断能力绝缘栅双极型晶体管(IGBT)可在不影响其它特性的前提下，提高器件有源区关断时的少子抽取能力，进而提高芯片的关断能力。

【技术实现步骤摘要】
一种绝缘栅双极型晶体管反型MOS过渡区结构及其制作方法
本专利技术涉及一种绝缘栅双极型晶体管，具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管反型MOS过渡区结构及其制作方法。
技术介绍
功率半导体芯片(如IGBT、MOSFET、MCT等)由有源区和终端区组成，有源区为芯片的主要通流区域，为降低半导体芯片表面电场而设计的耐压结构终端区环绕在有源区外围。有源区和终端区间的过渡区域，环绕芯片的一周为栅汇流条，用来将栅PAD信号均匀传送到每个元胞处。以目前常见的IGBT为例，IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)器件的结构与MOSFET(metallicoxidesemiconductorfieldeffecttransistor金属氧化物半导体场效应晶体管)的结构十分相似，两者的主要差异是IGBT用P+基片取代了MOSFET的N+缓冲层，P+和N-区之间创建了一个PN结。共有三个极：栅极G、发射极E和集电极C。IGBT器件是电压全控型器件，除了具有低功耗、高频率、高电压、大电流等优点外，其需要的驱动电路与控制电路简单，驱动功耗低，被人们视为电力电子技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘栅双极型晶体管反型MOS过渡区结构，其特征在于，所述结构包括：衬底(101)和所述衬底(101)上表面设置的元胞掺杂区(102、103)、汇流条(106)、终端掺杂区(107)和终端场板(108)；所述衬底(101)下表面设置有背面掺杂区(104)和背面金属电极(109)；所述元胞掺杂区(103)的上表面设置有正面金属电极(105)；所述正面金属电极(105)与所述元胞掺杂区(102)欧姆接触；所述汇流条(106)与所述衬底(101)过渡区上表面形成MOS结构；所述终端掺杂区(107)的上表面设有终端场板(108)；所述背面金属电极(109)与所述背面掺杂区(104)欧姆接触。

【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极型晶体管反型MOS过渡区结构，其特征在于，所述结构包括：衬底(101)和所述衬底(101)上表面设置的元胞掺杂区(102、103)、汇流条(106)、终端掺杂区(107)和终端场板(108)；所述衬底(101)下表面设置有背面掺杂区(104)和背面金属电极(109)；所述元胞掺杂区(103)的上表面设置有正面金属电极(105)；所述正面金属电极(105)与所述元胞掺杂区(102)欧姆接触；所述汇流条(106)与所述衬底(101)过渡区上表面形成MOS结构；所述终端掺杂区(107)的上表面设有终端场板(108)；所述背面金属电极(109)与所述背面掺杂区(104)欧姆接触。2.如权利要求1所述的一种绝缘栅双极型晶体管反型MOS过渡区结构，其特征在于，所述汇流条(106)与有源区中所述元胞掺杂区(102)、终端掺杂区(107)形成反型MOS结构。3.如权利要求1所述的一种绝缘栅双极型晶体管反型MOS过渡区结构，其特征在于，所述衬底(101)为n型，所述元胞掺杂区(102)为p型，所述元胞掺杂区(103)为n型，所述背面掺杂区(104)为p型，所述终端掺杂区(107)为p型。4.如权利要求1所述的一种绝缘栅双极型晶体管反型MOS过渡区结构，其特征在于，所述衬底(101)为p型，所述元胞掺杂区...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔磊，金锐，潘艳，赵岩，温家良，徐向前，刘双宇，周哲，朱涛，刘江，徐哲，赵哿，王耀华，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院，
类型：发明
国别省市：北京,11