一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法技术

本发明专利技术提供了一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法，所述低通态压降IGBT包括栅极、发射极、控制电极和集电极；栅极、发射极和控制电极淀积在N型衬底的有源区；集电极淀积在N型衬底的P+集电区上；所述控制方法包括依据低通态压降IGBT的控制状态确定其工作模式。与现有技术相比，本发明专利技术提供的一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法，通过控制电极的电压值有效抑制空穴流通，从而增加空穴在N‑区的存储量降低IGBT的通态损耗。

A low pass voltage drop IGBT and its control method and manufacturing method

The present invention provides a low pass state pressure drop IGBT, a control method and a manufacturing method, which includes a gate, a emitter, a control electrode, and a collector; a gate, a emitter, and a control electrode are deposited on the active region of a N type substrate; the collector is deposited on the P+ collector area of a N type substrate; the control method includes the control method including the P+ collector area of the N type substrate. The working mode is determined according to the control state of low pass voltage drop IGBT. Compared with the existing technology, the present invention provides a low pass state pressure drop IGBT and its control method and manufacturing method. By controlling the voltage value of the electrode, the hole circulation is effectively suppressed, thus the open loss of the hole in the IGBT is reduced by the storage of the hole in the N region.

【技术实现步骤摘要】
一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT)不仅具有单极性器件和双极性器件的优点，还具备驱动电路简单、控制电路功耗/成本低、饱和电压低和器件自身损耗小等优点。IGBT包括正面发射极、栅极和背面集电极，其背面的背发射P+区的空穴流在Pwell基区被有效收集，N-区空穴存储量比较低，导致IGBT的电导调制效应差。同时，IGBT的电导调制效应对其通态损耗具有较大影响，因此为了降低IGBT的通态损耗需要改善N-区的电导调制效应。目前可以采用抑制空穴的流通以增强N-去空穴存储量的方法改善N-区的电导调制效应，主要包括两种方法：1、在P-基区引入载流子存储层。通过提高IGBT中PNP区域近Pwell基区的空穴浓度，降低饱和电压，进而降低IGBT的通态损耗。但是这种方法存在IGBT高压下漏电增大和安全工作区变差的缺陷。2、采用深Trench结构。通过设计Trench深度和Trench间隔抑制空穴的流通，增加空穴本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低通态压降IGBT，其特征在于，所述低通态压降IGBT包括栅极、发射极、控制电极和集电极；所述栅极、发射极和控制电极淀积在N型衬底的有源区；所述集电极淀积在所述N型衬底的P+集电区上。

【技术特征摘要】
1.一种低通态压降IGBT，其特征在于，所述低通态压降IGBT包括栅极、发射极、控制电极和集电极；所述栅极、发射极和控制电极淀积在N型衬底的有源区；所述集电极淀积在所述N型衬底的P+集电区上。2.如权利要求1所述的一种低通态压降IGBT，其特征在于，所述发射极淀积在所述有源区的N+发射区上；所述控制电极淀积在所述有源区的P型离子掺杂区上。3.一种如权利要求1和2所述的低通态压降IGBT的控制方法，其特征在于，所述控制方法包括：依据所述低通态压降IGBT的控制状态确定其工作模式；所述工作模式包括：第一工作模式：同时启动和关断所述栅极和控制电极；第二工作模式：顺次启动所述栅极和控制电极，并同时关断所述栅极和控制电极；第三工作模式：同时启动所述栅极和控制电极，并顺次关断所述控制电极和栅极；第四工作模式：顺次启动所述栅极和控制电极，并顺次关断所述控制电极和栅极。4.如权利要求3所述的一种低通态压降IGBT的控制方法，其特征在于，所述控制状态包括开通状态和关断状态；所述开通状态包括快速开通和慢速开通，所述关断状态包括快速关断和慢速关断。5.如权利要求4所述的一种低通态...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐哲，温家良，金锐，王耀华，刘江，赵哿，高明超，崔磊，潘艳，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院，国家电网公司，
类型：发明
国别省市：北京,11