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本发明提供了一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法，所述低通态压降IGBT包括栅极、发射极、控制电极和集电极；栅极、发射极和控制电极淀积在N型衬底的有源区；集电极淀积在N型衬底的P+集电区上；所述控制方法包括依据低通态压降IGBT的控...
该专利属于全球能源互联网研究院;国家电网公司所有，仅供学习研究参考，未经过全球能源互联网研究院;国家电网公司授权不得商用。

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