一种基于多孔金-铂纳米颗粒的硅基电极表面改性方法技术

本发明专利技术公开了一种基于多孔金‑铂纳米颗粒的硅基电极表面改性方法，该方法首先对硅基微电极进行表面预处理，然后把预处理过的硅基微电极浸入到氯金酸、氯铂酸和硫酸铜混合溶液中，使用电沉积的方法在硅基微电极的位点上沉积一层金‑铂‑铜三金属合金纳米颗粒；最后将金‑铂‑铜三金属合金纳米颗粒修饰的硅基微电极浸入到铜刻蚀液中，通过电化学选择性刻蚀掉合金纳米颗粒中的铜成分，最终得到多孔金‑铂合金纳米颗粒修饰的硅基微电极。该方法所用设备价格便宜，操作步骤简单、适用性强、处理效果好、稳定可靠。可以广泛应用于各种硅基微电极表面改性。可以大幅降低硅基微电极位点的界面阻抗，提高其神经电信号在体采集性能和电刺激性能。

A surface modification method of silicon electrode based on porous gold platinum nanoparticles

The present invention discloses a surface modification method of silicon based electrode based on porous gold platinum nanoparticles. The method first pretreated the silicon microelectrode surface, and then immersed the pretreated silicon microelectrode in the mixed solution of chloroauric acid, chloroplatin and copper sulfate, and used the electrodeposition method to be in the position of the silicon microelectrode. A layer of Gold Platinum Copper three metal alloy nanoparticles was deposited on the point. Finally, the silicon based Microelectrode Modified by Gold Platinum Copper three metal alloy nanoparticles was immersed into the copper etching solution. The copper composition in the alloy nanoparticles was selectively etched by electrochemical etching, and the silicon matrix modified by the porous gold platinum alloy nanoparticles was finally obtained. The electrode. The equipment used in this method is cheap, simple in operation, strong in applicability, good in treatment effect, stable and reliable. It can be widely applied to surface modification of various silicon based microelectrodes. It can greatly reduce the interface impedance of the silicon based microelectrode site and improve its electrical signal collection performance and electrical stimulation performance.

【技术实现步骤摘要】
一种基于多孔金-铂纳米颗粒的硅基电极表面改性方法
本专利技术属于硅基微电极表面改性
，具体涉及一种基于多孔金-铂合金纳米颗粒的硅基微电极表面改性方法。
技术介绍
在体神经电信号采集为神经科学家研究神经系统的基本原理提供了一种有力的工具，而脑深部电刺激在治疗帕金森等神经类疾病中显现出巨大的优势和潜力。不论是神经电信号的采集还是对脑核团进行电刺激，微脑电极往往是这其中最为重要的一部分，而微脑电极的表面特性很大程度上决定了其电刺激性能和神经电信号采集性能。由于微机电系统(Micro-electro-mechanicalsystems，简称MEMS)技术可以精确定义电极尺寸、形状，可以将多个记录位点/刺激位点制备在单个硅基微电极杆上以及可实现微电极的批量生产，因此，近些年来各种各样的MEMS硅基微电极被研发出来并被应用于神经科学领域。对于MEMS硅基微电极来说，往往在单个微电极杆上集成多个电刺激/电信号采集位点，并且微电极芯片的整体尺寸较小以降低植入过程中对脑组织的损伤，而减小微电极尺寸的一个不可避免的结果是电极位点界面阻抗会大幅度增高。界面阻抗的增大往往会在神经电信号采集过程中引入较本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于多孔金‑铂纳米颗粒的硅基电极表面改性方法，其特征在于，包含如下步骤：步骤1，依次用乙醇溶液、硝酸溶液和超纯水对硅基微电极各超声清洗5分钟，超声清洗后的硅基微电极放置在空气中自然干燥；步骤2：将预处理过的硅基微电极浸入到氯金酸、氯铂酸和硫酸铜混合溶液中；采用三电极体系，待修饰的硅基微电极上面的电极位点为工作电极，大面积铂丝电极为对电极，Ag/AgCl电极为参比电极，然后施加‑0.2V或‑0.3V的沉积电压，沉积时间为500s‑600s，从而得到金‑铂‑铜三金属合金纳米颗粒修饰的硅基微电极；步骤3：把金‑铂‑铜三金属合金纳米颗粒修饰的硅基微电极浸入铜刻蚀液中，通过电化学选择性刻蚀掉合金纳米...

【技术特征摘要】
1.一种基于多孔金-铂纳米颗粒的硅基电极表面改性方法，其特征在于，包含如下步骤：步骤1，依次用乙醇溶液、硝酸溶液和超纯水对硅基微电极各超声清洗5分钟，超声清洗后的硅基微电极放置在空气中自然干燥；步骤2：将预处理过的硅基微电极浸入到氯金酸、氯铂酸和硫酸铜混合溶液中；采用三电极体系，待修饰的硅基微电极上面的电极位点为工作电极，大面积铂丝电极为对电极，Ag/AgCl电极为参比电极，然后施加-0.2V或-0.3V的沉积电压，沉积时间为500s-600s，从而得到金-铂-铜三金属合金纳米颗粒修饰的硅基微电极；步骤3：把金-铂-铜三金属合金纳米颗粒修饰的硅基微电极浸入铜刻蚀液中，通过电化学选择性刻蚀掉合金纳米颗粒中的铜成...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵宗亚，李中伟，任武，王昌，于毅，林俊堂，
申请(专利权)人：新乡医学院，
类型：发明
国别省市：河南,41