晶体片以及晶体振子制造技术

本发明专利技术所涉及的晶体片的特征在于，主面的长边与晶体片的Z’轴实质上平行，主面的短边与晶体片的X轴实质上平行，晶体片的主振动的频率为37.0MHz以上46.0MHz以下，晶体片包括：第1区域，包括主面的中央；第2区域和第3区域，在长边延伸的长边方向的两侧与第1区域邻接；以及第4区域和第5区域，在短边延伸的短边方向的两侧与第1区域邻接，第1区域的厚度实质上均匀，第2区域的厚度以及第3区域的厚度小于第1区域的厚度和/或第4区域的厚度以及第5区域的厚度小于第1区域的厚度，在短边的长度为W且厚度为T的情况下，20.78≤W/T≤22.10成立。

Crystal plates and crystal oscillators

The feature of the lens involved in this invention is that the long side of the main surface is substantially parallel to the Z 'axis of the crystal piece, the short side of the main surface is substantially parallel to the X axis of the crystal sheet, the frequency of the main vibration of the crystal sheet is below 37.0MHz above the 46.0MHz, and the crystal sheet includes the first region, including the central surface, the second region and the third region, The two sides of the long side extending in the long side are adjacent to the first region; and the fourth area and the fifth region are adjacent to the first region in the short side direction of the short side, the thickness of the first region is essentially uniform, the thickness of the second region and the thickness of the third region is less than the thickness of the first region and / or the thickness of the fourth region and fifth zone. The thickness of the domain is less than the thickness of the first region. When the length of the short edge is W and the thickness is T, 20.78 or less W/T is equal to 22.10.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶体片以及晶体振子
本专利技术涉及AT切割型的晶体片以及晶体振子。
技术介绍
近年来，对于晶体振子的小型化的要求，需要使晶体片成为小型。但是，若使晶体片小型化，则副振动的影响更加显著或出现振动泄漏的影响，使串联电阻值容易增大。作为与以减少串联电阻值为目的的以往的晶体片相关的专利技术，例如已知一种专利文献1所记载的晶体振动板。在该晶体振动板中，对晶体振动板的端部实施了倒角加工(斜面加工)。由此，振动能量被限制在激励电极下，而得到良好的串联电阻值。如以上那样，在晶体片中，为了得到良好的串联电阻值进行了各种研究。专利文献1：日本特开2013－34176号公报
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种能够减少CI(晶体阻抗)值的晶体片以及晶体振子。本专利技术的一个方式所涉及的晶体片是呈板状且在从主面的法线方向观察时呈矩形形状的AT切割型的晶体片，上述主面的长边与上述晶体片的Z’轴实质上平行，上述主面的短边与上述晶体片的X轴实质上平行，上述晶体片的主振动的频率为37.0MHz以上46.0MHz以下，上述晶体片包括：第1区域，在从上述主面的法线方向观察时包括该主面的中央；第2区域和第3区域，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体片，是呈板状且在从主面的法线方向观察时呈矩形形状的AT切割型的晶体片，其特征在于，所述主面的长边与所述晶体片的Z’轴实质上平行，所述主面的短边与所述晶体片的X轴实质上平行，所述晶体片的主振动的频率为37.0MHz以上46.0MHz以下，所述晶体片包括：第1区域，在从所述主面的法线方向观察时包括该主面的中央；第2区域和第3区域，在所述长边延伸的长边方向的两侧与该第1区域邻接；以及第4区域和第5区域，在所述短边延伸的短边方向的两侧与该第1区域邻接，所述第1区域的厚度实质上均匀，所述第2区域的厚度以及所述第3区域的厚度小于所述第1区域的厚度和/或所述第4区域的厚度以及所述第5区域的厚度小于该...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.28 JP 2015-1899441.一种晶体片，是呈板状且在从主面的法线方向观察时呈矩形形状的AT切割型的晶体片，其特征在于，所述主面的长边与所述晶体片的Z’轴实质上平行，所述主面的短边与所述晶体片的X轴实质上平行，所述晶体片的主振动的频率为37.0MHz以上46.0MHz以下，所述晶体片包括：第1区域，在从所述主面的法线方向观察时包括该主面的中央；第2区域和第3区域，在所述长边延伸的长边方向的两侧与该第1区域邻接；以及第4区域和第5区域，在所述短边延伸的短边方向的两侧与该第1区域邻接，所述第1区域的厚度实质上均匀，所述第2区域的厚度以及所述第3区域的厚度小于所述第1区域的厚度和/或所述第4区域的厚度以及所述第5区域的厚度小于该第1区域的厚度，在所述第1区域、所述第4区域和所述第5区域的短边方向的长度为W且所述第1区域的厚度为T的情况下，20.78≤W/T≤22.10成立。2.根据权利要求1所述的晶体片，其特征在于，21.29≤W/T≤21.92成立。3.根据权利要求1或2所述的晶体片，其特征在于，所述第2区域的厚度以及所述第3区域的厚度小于所述第1区域的厚度，并且所述第4区域的厚度以及所述第5区域的厚度小于该第1区域的厚度。4.根据权利要求3所述的晶体片...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本裕之，开田弘明，浅井贤，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP