晶体片以及晶体振子制造技术

本发明专利技术所涉及的晶体片的特征在于，主面的长边与晶体片的Z’轴实质上平行，主面的短边与晶体片的X轴实质上平行，晶体片的主振动的频率为37.0MHz以上46.0MHz以下，晶体片包括：第1区域，包括主面的中央；第2区域和第3区域，在长边延伸的长边方向的两侧与第1区域邻接；以及第4区域和第5区域，在短边延伸的短边方向的两侧与第1区域邻接，第1区域的厚度实质上均匀，第2区域的厚度以及第3区域的厚度小于第1区域的厚度和/或第4区域的厚度以及第5区域的厚度小于第1区域的厚度，在短边的长度为W且厚度为T的情况下，20.78≤W/T≤22.10成立。

Crystal plates and crystal oscillators

The feature of the lens involved in this invention is that the long side of the main surface is substantially parallel to the Z 'axis of the crystal piece, the short side of the main surface is substantially parallel to the X axis of the crystal sheet, the frequency of the main vibration of the crystal sheet is below 37.0MHz above the 46.0MHz, and the crystal sheet includes the first region, including the central surface, the second region and the third region, The two sides of the long side extending in the long side are adjacent to the first region; and the fourth area and the fifth region are adjacent to the first region in the short side direction of the short side, the thickness of the first region is essentially uniform, the thickness of the second region and the thickness of the third region is less than the thickness of the first region and / or the thickness of the fourth region and fifth zone. The thickness of the domain is less than the thickness of the first region. When the length of the short edge is W and the thickness is T, 20.78 or less W/T is equal to 22.10.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶体片以及晶体振子
本专利技术涉及AT切割型的晶体片以及晶体振子。
技术介绍
近年来，对于晶体振子的小型化的要求，需要使晶体片成为小型。但是，若使晶体片小型化，则副振动的影响更加显著或出现振动泄漏的影响，使串联电阻值容易增大。作为与以减少串联电阻值为目的的以往的晶体片相关的专利技术，例如已知一种专利文献1所记载的晶体振动板。在该晶体振动板中，对晶体振动板的端部实施了倒角加工(斜面加工)。由此，振动能量被限制在激励电极下，而得到良好的串联电阻值。如以上那样，在晶体片中，为了得到良好的串联电阻值进行了各种研究。专利文献1：日本特开2013－34176号公报
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种能够减少CI(晶体阻抗)值的晶体片以及晶体振子。本专利技术的一个方式所涉及的晶体片是呈板状且在从主面的法线方向观察时呈矩形形状的AT切割型的晶体片，上述主面的长边与上述晶体片的Z’轴实质上平行，上述主面的短边与上述晶体片的X轴实质上平行，上述晶体片的主振动的频率为37.0MHz以上46.0MHz以下，上述晶体片包括：第1区域，在从上述主面的法线方向观察时包括该主面的中央；第2区域和第3区域，在上述长边延伸的长边方向的两侧与该第1区域邻接；以及第4区域和第5区域，在上述短边延伸的短边方向的两侧与该第1区域邻接，上述第1区域的厚度实质上均匀，上述第2区域的厚度以及上述第3区域的厚度小于上述第1区域的厚度和/或上述第4区域的厚度以及上述第5区域的厚度小于该第1区域的厚度，在上述第1区域、上述第4区域和上述第5区域的短边方向的长度为W且上述第1区域的厚度为T的情况下，20.78≤W/T≤22.10成立。本专利技术也面向具备上述晶体片的晶体振子。根据本专利技术，能够减少CI值。附图说明图1是晶体振子10的外观立体图。图2是晶体振子10的分解立体图。图3是图1的A－A处的剖面结构图。图4是图2的B－B处的剖面结构图。图5是图2的C－C处的剖面结构图。图6是从上侧观察晶体片17的图。图7是区域A1的放大图。图8是示有在主振动的频率为37.0MHz的晶体片17中，主振动和副振动的频率与W/T的关系的图表。图9是示有在主振动的频率为40.0MHz的晶体片17中，主振动和副振动的频率与W/T的关系的图表。图10是示有在主振动的频率为46.0MHz的晶体片17中，主振动和副振动的频率与W/T的关系的图表。图11是示有第1样本至第5样本的实验结果的图表。图12是示有第6样本至第9样本的实验结果的图表。图13是变形例所涉及的晶体振子10a的剖面结构图。图14是晶体振荡器300的剖面结构图。图15是其他实施方式所涉及的晶体片17a的剖面结构图。图16是其他实施方式所涉及的晶体片17b的剖面结构图。具体实施方式(晶体振子的结构)以下，参照附图对具备本专利技术的电子部件的一个实施方式所涉及的晶体片的晶体振子进行说明。图1是晶体振子10的外观立体图。图2是晶体振子10的分解立体图。图3是图1的A－A处的剖面结构图。以下，将相对于晶体振子10的主面的法线方向定义为上下方向，将在从上侧观察时晶体振子10的长边延伸的方向定义为长边方向，将晶体振子10的短边延伸的方向定义为短边方向。另外，以下也有以晶体片17的AT切割的轴向为基准对各结构进行说明的情况。如图1～图3所示，晶体振子10具备基板12、金属盖14、晶体振动片16以及钎料50。晶体振子10的短边的宽度为1.6mm，晶体振子10的长边的长度为2.0mm。基板12(电路基板的一个例子)包括基板主体21、外部电极22、26、40、42、44、46、导通孔导体25、28、54、56以及金属化膜30。基板主体21呈板状，在从上侧观察时，呈矩形形状。基板主体21例如由氧化铝质烧结体、莫来石质烧结体、氮化铝质烧结体、碳化硅质烧结体、玻璃陶瓷烧结体等陶瓷系绝缘性材料、晶体、玻璃、硅等制成。在本实施方式中，基板主体21通过层叠由陶瓷材料制成的多个绝缘体层而构成。基板主体21在上下具有两个主面。将基板主体21的上侧的主面(+Y’侧的主面)称为表面，将基板主体21的下侧的主面(－Y’侧的主面)称为背面。外部电极22、26在基板主体21的表面，在长边方向的一端侧沿短边方向排列设置。具体而言，外部电极22是设置于基板主体21的表面的－Z’且+X侧的角附近的矩形形状的导体层。外部电极26是设置于基板主体21的表面的－Z’且－X侧的角附近的矩形形状的导体层。外部电极40、42、44、46设置于基板主体21的背面的各角附近。外部电极40是设置于基板主体21的背面的－Z’且－X侧的角附近的正方形的导体层，在从上侧观察时，与外部电极26重叠。外部电极42是设置于基板主体21的背面的－Z’且+X侧的角附近的正方形的导体层，在从上侧观察时，与外部电极22重叠。外部电极44是设置于基板主体21的背面的+Z’且－X侧的角附近的正方形的导体层。外部电极46是设置于基板主体21的背面的+Z’且+X侧的角附近的正方形的导体层。导通孔导体25沿上下方向贯通基板主体21，连接外部电极22与外部电极42。导通孔导体28沿上下方向贯通基板主体21，连接外部电极26与外部电极40。金属化膜30是设置在基板主体21的表面上的线状的金属膜，在从上侧(相对于表面的法线方向)观察时，呈长方形的环状。在从上侧观察时，外部电极22、26设置于被金属化膜30围起的区域内。导通孔导体54沿上下方向贯通基板主体21，连接金属化膜30与外部电极46。导通孔导体56沿上下方向贯通基板主体21，连接金属化膜30与外部电极44。外部电极22、26、40、42、44、46以及金属化膜30形成3层结构，具体而言，通过从下层侧向上层侧层叠钼层、镍层以及金层而构成。导通孔导体25、28、54、56对形成于基板主体21的导通孔埋入钼等导体而制成。晶体振动片16包括晶体片17、外部电极97、98、激励电极100、101以及引出导体102、103。晶体片17呈板状，在从上侧观察时，呈矩形形状。将晶体片17的上侧的主面称为表面，将晶体片17的下侧的主面称为背面。晶体片17例如是从晶体的原石等以规定的角度切取出的AT切割型的晶体片。另外，晶体片17的表面以及背面的长边与晶体片17的Z’轴实质上平行。晶体片17的表面以及背面的短边与晶体片17的X轴实质上平行。实质上平行是指相对于Z’轴、X轴大约在±1度的范围内。此外，对晶体片17实施了斜面加工，关于详细内容在下文中描述。另外，在图2、图3中，未显示出实施了斜面加工这一点。由于晶体振子的尺寸落在长边方向的长度为2.0mm、短边方向的宽度为1.6mm的范围，所以考虑到封装体的壁厚、密封材料的渗出、元件的安装精度等，将晶体片17设计为晶体片17的尺寸为长边方向的长度在1.500mm以下，晶体片17的短边方向的宽度在1.00mm以下。外部电极97是设置于晶体片17的－Z’且+X侧的角及其附近的导体层。外部电极97从晶体片17的表面横跨到背面而形成，也形成于晶体片17的+X侧且－Z’侧的各侧面。外部电极98是设置于晶体片17的背面的－Z’且－X侧的角及其附近的导体层。外部电极98从晶体片17的表面横跨到背面而形成，也形成于晶体片17的－X侧且－Z’侧的各侧面。由此，外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体片，是呈板状且在从主面的法线方向观察时呈矩形形状的AT切割型的晶体片，其特征在于，所述主面的长边与所述晶体片的Z’轴实质上平行，所述主面的短边与所述晶体片的X轴实质上平行，所述晶体片的主振动的频率为37.0MHz以上46.0MHz以下，所述晶体片包括：第1区域，在从所述主面的法线方向观察时包括该主面的中央；第2区域和第3区域，在所述长边延伸的长边方向的两侧与该第1区域邻接；以及第4区域和第5区域，在所述短边延伸的短边方向的两侧与该第1区域邻接，所述第1区域的厚度实质上均匀，所述第2区域的厚度以及所述第3区域的厚度小于所述第1区域的厚度和/或所述第4区域的厚度以及所述第5区域的厚度小于该第1区域的厚度，在所述第1区域、所述第4区域和所述第5区域的短边方向的长度为W且所述第1区域的厚度为T的情况下，20.78≤W/T≤22.10成立。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.28 JP 2015-1899441.一种晶体片，是呈板状且在从主面的法线方向观察时呈矩形形状的AT切割型的晶体片，其特征在于，所述主面的长边与所述晶体片的Z’轴实质上平行，所述主面的短边与所述晶体片的X轴实质上平行，所述晶体片的主振动的频率为37.0MHz以上46.0MHz以下，所述晶体片包括：第1区域，在从所述主面的法线方向观察时包括该主面的中央；第2区域和第3区域，在所述长边延伸的长边方向的两侧与该第1区域邻接；以及第4区域和第5区域，在所述短边延伸的短边方向的两侧与该第1区域邻接，所述第1区域的厚度实质上均匀，所述第2区域的厚度以及所述第3区域的厚度小于所述第1区域的厚度和/或所述第4区域的厚度以及所述第5区域的厚度小于该第1区域的厚度，在所述第1区域、所述第4区域和所述第5区域的短边方向的长度为W且所述第1区域的厚度为T的情况下，20.78≤W/T≤22.10成立。2.根据权利要求1所述的晶体片，其特征在于，21.29≤W/T≤21.92成立。3.根据权利要求1或2所述的晶体片，其特征在于，所述第2区域的厚度以及所述第3区域的厚度小于所述第1区域的厚度，并且所述第4区域的厚度以及所述第5区域的厚度小于该第1区域的厚度。4.根据权利要求3所述的晶体片...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本裕之，开田弘明，浅井贤，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP