直流高压绝缘体和所属的制造方法技术

说明了用于使加载有直流电压的导体绝缘的直流高压绝缘体。该直流高压绝缘体具有绕着轴（A）伸展的由绝缘材料构成的基体（50）和沿周向在基体之内环绕的场控制电极。在改善场控制效果的目标的情况下，场控制电极至少局部地具有第一环绕区（10）和与第一环绕区沿轴（A）的方向间隔开地伸展的第二环绕区（20），使得在第一环绕区（10）与第二环绕区（20）之间构造有贯穿部（30）。

DC high-voltage insulators for conductor insulation with DC voltage and the manufacturing method thereof

A DC high voltage insulator for DC insulation is described. The DC high voltage insulator has a matrix (50) formed by insulating material around the shaft (A) and a field control electrode that surrounds the substrate in circumferential direction. In the case of improving the target of the field control effect, the field control electrode has at least partially a first surround area (10) and a second surround area (20) extending apart from the direction of the first surround region along the axis (A), so that a perforation (30) is constructed between the first surround area (10) and the second surround area (20).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使加载有直流电压的导体绝缘的直流高压绝缘体和所属的制造方法
本专利技术涉及用于使加载有直流电压的导体绝缘的直流高压绝缘体、直流高压绝缘体在加载有直流电压的导体上的应用、用于直流电压的气体绝缘高压系统以及用于制造用于使加载有直流电压的导体绝缘的直流高压绝缘体的方法。
技术介绍
传统上，绝大部分借助于交变电流远距离传输大量电能。在这种情况下，用于一般供电的大多数的电网被构造用于传输三相交变电流，例如被构造用于在大约50Hz的频率上或者在大约60Hz的频率上传输。电压的相位标称地相对于相邻的相位推迟120°。在轨道电流-远程传输电网中也常见的是，传输单向交变电流、例如在16.7Hz的频率上传输单向交变电流。对于特殊应用来说、例如对于电网的同步来说也常见的是，通过直流来交换大量电能。直流紧密耦合的距离常常只是几米。由于变流器技术通过使用功率电子装置和诸如此类的被改善，最近也通过直流远距离传输大量电能。这些高压直流传输线路应该跨接1000km或者更长的距离。在两种类型的应用情况下，即不仅在传输交变电流的情况下而且在传输直流的情况下，被用于传输或用于能量交换的线路或电缆必须相对于其周围环境必须电本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于使加载有直流电压的导体绝缘的直流高压绝缘体，所述直流高压绝缘体具有：由绝缘材料构成的绕着轴（A）伸展的基体（50）；和沿周向在所述基体之内环绕的场控制电极，其中所述场控制电极至少局部地具有第一环绕区（10）和与所述第一环绕区沿所述轴（A）的方向间隔开伸展的第二环绕区（20），使得在所述第一环绕区（10）与所述第二环绕区（20）之间构造有贯穿部（30），其特征在于，所述第一环绕区（10）和/或所述第二环绕区（20）在轴向横截面内从所述基体的相应的轴向外围（110、120）出发至少局部地相对于轴向成锐角（α）的情况下朝所述基体的中间的方向伸展，其中所述锐角（α）大于3°。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.11 EP 15184846.21.用于使加载有直流电压的导体绝缘的直流高压绝缘体，所述直流高压绝缘体具有：由绝缘材料构成的绕着轴（A）伸展的基体（50）；和沿周向在所述基体之内环绕的场控制电极，其中所述场控制电极至少局部地具有第一环绕区（10）和与所述第一环绕区沿所述轴（A）的方向间隔开伸展的第二环绕区（20），使得在所述第一环绕区（10）与所述第二环绕区（20）之间构造有贯穿部（30），其特征在于，所述第一环绕区（10）和/或所述第二环绕区（20）在轴向横截面内从所述基体的相应的轴向外围（110、120）出发至少局部地相对于轴向成锐角（α）的情况下朝所述基体的中间的方向伸展，其中所述锐角（α）大于3°。2.根据权利要求1所述的直流高压绝缘体，其中所述锐角（α）大于5°。3.根据权利要求1所述的直流高压绝缘体，其中所述锐角（α）大于10°。4.根据权利要求1所述的直流高压绝缘体，其中所述第一环绕区（10）和所述第二环绕区（20）具有至少一个被引向所述基体之外的共同的接触部（40、40.1、40.2）。5.根据权利要求1至4之一所述的直流高压绝缘体，其中所述第一环绕区（10）和/或所述第二环绕区（20）在所述轴向横截面内平地来构造。6.根据权利要求1至5之一所述的直流高压绝缘体，其中所述第一环绕区（10）和/或所述第二环绕区（20）在所述轴向横截面内分别具有弯曲区域（11、21），所述弯曲区域分别基本上平行于所述直流高压绝缘体的外表面地伸展。7.根据权利要求1至6之一所述的直流高压绝缘体，其中所述贯穿部（30）的沿所述轴（A）的方向延伸的宽度（w3）至少局部地大于5mm。8.根据权利要求1至6之一所述的直流高压绝缘体，其中所述贯穿部（30）的沿所述轴（A）的方向延伸的宽度（w3）至少局部地大于7mm。9.根据权利要求1至6之一所述的直流高压绝缘体，其中所述贯穿部（30）的沿所述轴（A）的方向延伸的宽度（w3）至少局部地大于9mm。10.根据权利要求1至9之一所述的直流高压绝缘体，其中所述第一环绕区（10）和/或所述第二环绕区（20）在所述贯穿部（30）的区域内与所述基体的边缘沿径向小于5mm地间隔开。11.根据权利要求1至10之一所述的直流高压绝缘体，其中所述第一环绕区（10）和/或所述第二环绕区（20）在所述贯穿部（30）的区域内与所述基体的边缘沿轴向小于5mm地间隔开。12.根据权利要求1至11之一所述的直流高压绝缘体，其中在所述轴向横截面内，在所述贯穿部（30）的区域内，所述第一环绕区（10）的宽度（w1）和所述第二环绕区（20）的宽度（w2）的共同的宽度为所述直流高压绝缘体的沿所述轴（A）的方向延伸的总宽度的至少30%。13.根据权利要求1至11之一所述的直流高压绝缘体，其中在所述轴向横截面内，在所述贯穿部（30）的区域内，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：U斯特劳曼恩，T赛克斯，
申请(专利权)人：ABB瑞士股份有限公司，
类型：发明
国别省市：瑞士,CH