使用空腔结构的晶片级封装(WLP)球型支撑制造技术

一种晶片级封装(WLP)中的集成电路器件，包括球栅阵列(BGA)球，这些BGA球利用填充有粘合剂的空腔来制造以获得改善的焊点可靠性。

Wafer level packaging (WLP) spherical support using cavity structure

An integrated circuit device in a wafer level package (WLP), including a ball grid array (BGA) ball, which is made of a cavity filled with an adhesive to obtain improved solder joint reliability.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用空腔结构的晶片级封装(WLP)球型支撑公开领域本文所描述的各个示例涉及集成电路器件，尤其涉及具有晶片级封装(WLP)球型支撑的集成电路器件。背景具有模拟组件(诸如电容器或电感器)的集成无源器件(IPD)在具有小形状因子的电子产品中实现。期望在具有小占用面积的集成电路封装(例如，晶片级封装(WLP))中制造集成无源器件(IPD)。IPD的封装面积的相当大的部分往往会由大电感器主导，大电感器减小了WLP中可用于球栅阵列(BGA)球的面积。由于WLP中可用于BGA球的相对小的面积，因此靠近WLP的管芯焊盘或凸块下金属化(UBM)区域的BGA球可呈现机械薄弱，从而不利地影响BGA球的焊点可靠性。因此，需要改善WLP中BGA球的焊点可靠性，特别是在封装中可用于BGA球的面积相对于总封装面积较小的情况下。概述本公开的各示例涉及集成电路器件以及制造这些集成电路器件的方法。在一示例中，提供了一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：封装；具有第一表面和第二表面的介电层，所述介电层的所述第一表面被布置在所述封装上，所述介电层具有从所述介电层的所述第二表面凹陷的多个空腔；被布置在所述介电层内的多个传导焊本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件，包括：封装；具有第一表面和第二表面的介电层，所述介电层的所述第一表面在所述封装上，所述介电层包括从所述介电层的所述第二表面凹陷的多个空腔；在所述多个空腔内的多个传导焊盘；在所述传导焊盘上的多个导体，所述导体至少部分地分别由所述空腔与所述介电层分开；以及所述空腔中的粘合剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.20 US 14/859,3231.一种器件，包括：封装；具有第一表面和第二表面的介电层，所述介电层的所述第一表面在所述封装上，所述介电层包括从所述介电层的所述第二表面凹陷的多个空腔；在所述多个空腔内的多个传导焊盘；在所述传导焊盘上的多个导体，所述导体至少部分地分别由所述空腔与所述介电层分开；以及所述空腔中的粘合剂。2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述传导焊盘包括与所述粘合剂接触的侧壁。3.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述传导焊盘包括与所述介电层接触的侧壁。4.如权利要求3所述的器件，其特征在于，所述空腔包括环状空腔。5.如权利要求3所述的器件，其特征在于，所述空腔包括从包含以下各项的组中选择的形状的空腔：围绕所述传导焊盘的圆形和多边形。6.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述介电层包括钝化层。7.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述传导焊盘包括重分布层(RDL)。8.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述导体包括从包含以下各项的组中选择的导体：球栅阵列(BGA)球和柱。9.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述粘合剂包括从包含以下各项的组中选择的粘合剂：树脂、硅树脂、环氧树脂、室温硫化(RTV)材料、以及热塑性材料。10.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述多个导体被排列在所述封装上的多列和多行中。11.一种器件，包括：封装；具有第一表面和第二表面的介电层，所述介电层的所述第一表面被布置在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·F·维纶茨，D·F·伯蒂，C·H·尹，J·金，C·左，D·D·金，JH·J·兰，N·S·慕达卡特，R·P·米库尔卡，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US