陶瓷加热器制造技术

一种陶瓷加热器，其在圆板状的陶瓷盘的上表面具有用于载置晶片的晶片载置面。在陶瓷盘的内周区域埋设有1个以上的内周侧加热器部件，在外周区域埋设有1个以上的外周侧加热器部件。陶瓷盘中预定区域的厚度是陶瓷盘的直径的3.9％以下，这里，预定区域是包括内周区域与外周区域的边界线的区域。

Ceramic Heater

A ceramic heater has a wafer loading surface for carrying wafers on the upper surface of a circular plate shaped ceramic disk. More than 1 inner side heater components are embedded in the inner periphery of the ceramic disk, and more than 1 peripheral side heater components are embedded in the peripheral area. The thickness of the predetermined area in the ceramic plate is less than 3.9% of the diameter of the ceramic disc. Here, the predetermined area is a region that includes the boundary line between the inner circumference and the peripheral regions.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】陶瓷加热器
本专利技术涉及陶瓷加热器。
技术介绍
一直以来，已知在圆板状的陶瓷盘的上表面具有用于载置晶片的晶片载置面的陶瓷加热器。作为这种陶瓷加热器，已知有在陶瓷盘的内周区域埋设内周侧加热器部件、在外周区域埋设外周侧加热器部件的陶瓷加热器(例如，参见专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-88484号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，在使用专利文献1的圆板状的陶瓷盘并通过等离子处理对晶片进行表面处理的工序中，晶片的加热温度和晶片面内的温度均匀性会对成膜后的被膜的性状、蚀刻后的晶片表面的性状产生影响，其结果是，会对半导体装置的特性、成品率产生影响。在通过等离子处理对晶片进行表面处理时，由于晶片不仅被陶瓷盘加热，还被等离子体加热，且还被施加来自位于陶瓷盘上方的喷头板的气体流分布，因此对于由等离子体进行表面处理中的晶片，其外侧区域的温度与中央区域相比会变低(或变高)。因此，为了使在等离子处理中的晶片面内的温度均匀，需要具有下述那样的温度梯度曲线的陶瓷加热器：在未进行等离子处理的状态下，载置于晶片载置面上的晶片的中央区域的温度分布大体平缓，而与中央区域相比外侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷加热器，其在圆板状的陶瓷盘的上表面具有用于载置晶片的晶片载置面，在所述陶瓷盘的内周区域埋设有1个以上的内周侧加热器部件，在外周区域埋设有1个以上的外周侧加热器部件，所述陶瓷盘中预定区域的厚度是所述陶瓷盘的直径的3.9％以下，所述预定区域是包括所述内周区域与所述外周区域的区域边界线的区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.10 US 62/372,8691.一种陶瓷加热器，其在圆板状的陶瓷盘的上表面具有用于载置晶片的晶片载置面，在所述陶瓷盘的内周区域埋设有1个以上的内周侧加热器部件，在外周区域埋设有1个以上的外周侧加热器部件，所述陶瓷盘中预定区域的厚度是所述陶瓷盘的直径的3.9％以下，所述预定区域是包括所述内周区域与所述外周区域的区域边界线的区域。2.如权利要求1所述的陶瓷加热器，所述预定区域是从所述陶瓷盘的外周起直至越过所述区域边界线的内侧为止的区域。3.如权利要求1或2所述的陶瓷加热器，在所述内周区域中靠近中心的区域设置有与轴接合的轴接合部，所述预定区域是...

【专利技术属性】
技术研发人员：海野丰，竹林央史，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP