膏状组合物及硅锗层的形成方法技术

本发明专利技术提供一种能够安全且容易地形成硅锗层的膏状组合物，还提供一种能够安全且容易地形成硅锗层的硅锗层的形成方法。本发明专利技术提供一种膏状组合物，其为用于形成硅锗层的膏状组合物，其特征在于，含有铝和锗，相对于所述铝100质量份，所述锗的含量大于1质量份、且为10000质量份以下。

The formation method of paste composition and silicon germanium layer

The present invention provides a gypsum - like composition that can form a silicon germanium layer safely and easily, and also provides a method for forming a silicon germanium layer that is safe and easy to form a silicon germanium layer. The present invention provides a paste composition, which is a paste - like composition for forming a silicon germanium layer. It is characterized by containing aluminum and germanium. The content of the germanium is greater than 1 mass, and is less than 10000 parts, compared with the 100 parts of the aluminum.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】膏状组合物及硅锗层的形成方法
本专利技术涉及一种膏状组合物及硅锗层的形成方法。
技术介绍
以往，作为半导体材料之一，使用有作为硅与锗的混晶材料的硅锗(Si-Ge)。这样的半导体材料在硅等基板上作为硅锗层而形成，并被用作晶体管或二极管的一部分。作为形成硅锗层的方法，公开了利用化学气相沉积法(CVD)进行外延生长的方法(参照专利文献1)、利用分子束外延法(MBE)进行外延生长的方法(参照专利文献2)、进行基于使用了Si-Ge系合金靶的溅镀的成膜的方法(参照专利文献3)。然而，专利文献1及2所公开的方法中，存在必须使用SiH4或GeH4等危险性高的气体的问题。此外，专利文献1～3所公开的方法中，在进行外延生长的工序及进行基于溅镀的制膜的工序中，由于需要真空装置，因此存在这些工序需要长时间的技术课题。因此，期待能够安全且容易地形成硅锗层的硅锗层的形成方法的开发，期待用于该形成方法的膏状组合物的开发。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-146684号公报专利文献2：日本特开2004-172276号公报专利文献3：日本特开2004-018946号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种膏状组合物，其为用于形成硅锗层的膏状组合物，其特征在于，含有铝和锗，相对于所述铝100质量份，所述锗的含量大于1质量份、且为10000质量份以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.24 JP 2015-1870171.一种膏状组合物，其为用于形成硅锗层的膏状组合物，其特征在于，含有铝和锗，相对于所述铝100质量份，所述锗的含量大于1质量份、且为10000质量份以下。2.根据权利要求1所述的膏状组合物，其进一步含有树脂成分。3.根据权利要求2所述的膏状组合物，其中，相对于所述铝100质量份，所述树脂成分的含量为0.1～10质量份。4.根据权利要求1～3中任一项所述的膏状组合物，其进...

【专利技术属性】
技术研发人员：马尔万·达姆林，铃木绍太，菊地健，中原正博，森下直哉，
申请(专利权)人：东洋铝株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP