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膏状组合物及硅锗层的形成方法技术
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文档序号:17961168
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本发明提供一种能够安全且容易地形成硅锗层的膏状组合物,还提供一种能够安全且容易地形成硅锗层的硅锗层的形成方法。本发明提供一种膏状组合物,其为用于形成硅锗层的膏状组合物,其特征在于,含有铝和锗,相对于所述铝100质量份,所述锗的含量大于1质量...
该专利属于东洋铝株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东洋铝株式会社授权不得商用。
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