功率控制器件及包括其的半导体存储器件制造技术

可以提供一种功率控制器件及包括其的半导体存储器件。功率控制器件可以包括放大器，其被配置为将具有第二电源电压电平的输入信号放大到具有与第二电源电压电平不同的电压电平的第一电源电压电平。功率控制器件可以包括输出部分，其被配置为在接收到控制信号时将放大器的输出信号设定为特定逻辑电平，以及输出具有特定逻辑电平的输出信号。

Power controller and semiconductor memory device including the same

A power controller and a semiconductor memory device including the power supply can be provided. The power controller may include an amplifier, which is configured to magnify an input signal with a second power supply voltage level to a first power supply voltage level with a voltage level different from the second power supply voltage level. The power controller may include an output part, which is configured to set the output signal of the amplifier as a specific logic level when the control signal is received, and to output an output signal with a specific logic level.

【技术实现步骤摘要】
功率控制器件及包括其的半导体存储器件相关申请的交叉引用本申请要求2016年10月31日提交的申请号为10-2016-0143069的韩国专利申请的优先权，其公开通过引用整体合并于此。
本公开的实施例通常可以涉及一种功率控制器件及包括其的半导体存储器件，以及更具体地，涉及一种关于当具有异构功率(heterogeneouspower)的功率控制器件的功率上升时稳定输出功率的技术。
技术介绍
通常，在被配置为使用不同驱动电压的两个块之间，半导体器件在信号在两个块之间移位期间使用电平移位器。即，输入信号的摆动电平可以与输出信号的摆动电平不同。电平移位器改变输入信号的摆动电压电平，并且输出改变的摆动电压电平。虽然电平移位器也可以减小输入信号的摆动电压电平，但是在输入信号的电压电平被提升和输出的情况下，已经广泛使用了电平移位器。电平移位器使用具有不同电压电平的异构功率，即第一电源电压VDD1和第二电源电压VDD2。然而，在第一电源电压VDD1和第二电源电压VDD2上升之前，可以发生不期望的泄漏电流。即，假设第一电源电压VDD1上升且被设置的时间点与第二电源电压VDD2上升且被设置的时间点不同，则本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率控制器件，包括：放大器，所述放大器被配置为将具有第二电源电压电平的输入信号放大到具有与第二电源电压电平不同的电压电平的第一电源电压电平，以及当在初始上电时段期间上电信号被激活时执行放大操作；以及输出部分，所述输出部分被配置为在接收到控制信号时，在上电信号在初始上电时段期间被激活之前，将放大器的输出信号设定为特定逻辑电平，以及输出具有特定逻辑电平的输出信号。

【技术特征摘要】
2016.10.31 KR 10-2016-01430691.一种功率控制器件，包括：放大器，所述放大器被配置为将具有第二电源电压电平的输入信号放大到具有与第二电源电压电平不同的电压电平的第一电源电压电平，以及当在初始上电时段期间上电信号被激活时执行放大操作；以及输出部分，所述输出部分被配置为在接收到控制信号时，在上电信号在初始上电时段期间被激活之前，将放大器的输出信号设定为特定逻辑电平，以及输出具有特定逻辑电平的输出信号。2.如权利要求1所述的功率控制器件，其中，第一电源电压具有比第二电源电压高的电平。3.如权利要求1所述的功率控制器件，其中，第一电源电压具有比第二电源电压低的电平。4.如权利要求1所述的功率控制器件，其中：在第一电源电压在初始上电时段期间上升之后，第二电源电压上升。5.如权利要求1所述的功率控制器件，其中，放大器包括：第一对PMOS晶体管，所述第一对PMOS晶体管被配置为通过源极端子来接收第一电源电压，以及通过栅极端子在输出节点的两端处接收信号；第二对PMOS晶体管，所述第二对PMOS晶体管耦接在第一对PMOS晶体管与输出节点的两端之间，并且通过输入信号来控制；第一对NMOS晶体管，所述第一对NMOS晶体管耦接在输出节点的两端之间，并且通过上电信号来控制；以及第二对NMOS晶体管，所述第二对NMOS晶体管耦接在接地电压端子与第一对NMOS晶体管之间，并且通过输入信号来控制。6.如权利要求1所述的功率控制器件，其中，放大器包括：第一对PMOS晶体管，所述第一对PMOS晶体管被配置为通过源极端子来接收第一电源电压，以及通过栅极端子在输出节点的两端处接收信号；第二对PMOS晶体管，所述第二对PMOS晶体管耦接在第一对PMOS晶体管与输出节点的两端之间，并且通过输入信号的反相信号来控制；第一对NMOS晶体管，所述第一对NMOS晶体管耦接在输出节点的两端之间，并且通过上电信号来控制；以及第二对NMOS晶体管，所述第二对NMOS晶体管耦接在反向偏置电压的输入端子与第一对NMOS晶体管之间，并且通过输入信号的反相信号来控制。7.如权利要求6所述的功率控制器件，其中，反向偏置电压被配置为当在初始上电时段中接地电压电平被保持且控制信号转变为逻辑低电平时，转变为负电压电平。8.如权利要求1所述的功率控制器件，其中，控制信号基于第一电源电压电平来改变，且在上电信号的激活期间转变为去激活状态。9.如权利要求1所述的功率控制器件，其中，输出部分被配置为在上电信号被激活之前将放大器的输出端子上拉至第一电源电压电平。10.如权利要求1所述的功率控制器件，其中，输出部分包括：第一上拉元件，所述第一上拉元件耦接在第一电源电压的输入端子与放大器的输出端子之间，并且被配置为基于控制信号的反相信号来上拉放大器的输出端子；以及一个或更多个反相器，所述一个或更多个反相器被配置为驱动第一上拉元件的输出信号。11.如权利要求1所述的功率控制器件，其中，输...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙钟浩，李宰旭，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR