蚀刻阻挡层结构、含其的外延片及该外延片的制作方法技术

本发明专利技术提供蚀刻阻挡层结构、含其的外延片及该外延片的制作方法，蚀刻阻挡层结构由第一极性反转层、沉积在第一极性反转层上表面的第二半导体层及沉积在所述第二半导体层上表面的第二极性反转层组成。外延片由沉积在图形化衬底上的牺牲层，所述蚀刻阻挡层结构及半导体器件结构组成。在外延片湿法剥离时，所述蚀刻阻挡层结构能够很好的同时保护半导体器件结构免受剥离液的损伤，实用性强。

Etching barrier layer structure, epitaxial wafer containing it and manufacturing method of the epitaxial wafer

The invention provides an etching barrier structure, an epitaxial piece containing it and a fabrication method of the epitaxial piece. The etch barrier structure consists of a first polar reversal layer, a second semiconductor layer deposited on the surface of the first polar reversal layer and a second polar reverse layer deposited on the surface of the second semiconductor layer. The epitaxial wafer is composed of sacrificial layers deposited on the patterned substrate, the etch barrier structure and the semiconductor device structure. When the epitaxial wafer is wet stripped, the etching barrier structure can protect the structure of the semiconductor device from the damage of the stripping liquid at the same time, and has strong practicability.

【技术实现步骤摘要】
蚀刻阻挡层结构、含其的外延片及该外延片的制作方法
本专利技术属于半导体领域，尤其涉及蚀刻阻挡层结构、含其的外延片及该外延片的制作方法。
技术介绍
湿法剥离是目前进行氮化镓外延层与蓝宝石衬底分离的技术之一。湿法剥离通过化学溶液蚀刻氮化镓外延层与蓝宝石衬底界面处的氮化镓层，实现氮化镓外延层与蓝宝石衬底的分离。关于湿法剥离工艺，需要解决的一个问题是：如何防止化学剥离蚀刻与蓝宝石相邻氮化镓外延层的过程中蚀刻液对半导体器件结构层的过腐蚀，造成器件结构的损伤。一般而言，采用MOCVD在图形化蓝宝石衬底上外延生长得到的氮化镓其上表面为镓极性面，下表面为氮极性面、朝向蓝宝石衬底。在文献JournalofCrystalGrowth,251,460(2003)中，报道了MBE生长GaN的表面通入Mg和NH3，形成Mg3N2层，实现GaN极性由Ga极性转化为N极性，或由N极性转化为Ga极性。在文献ApplliedPhysicsLetters,77,2479(2000)中，报道了MBE生长重掺Mg的GaN层(掺杂浓度～1020cm-3)使GaN的极性实现了反转。文献JournalofCrystalGrowt本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻阻挡层结构，其特征在于，其由第一极性反转层、沉积在第一极性反转层上表面的第二半导体层及沉积在所述第二半导体层上表面的第二极性反转层组成。

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻阻挡层结构，其特征在于，其由第一极性反转层、沉积在第一极性反转层上表面的第二半导体层及沉积在所述第二半导体层上表面的第二极性反转层组成。2.根据权利要求1所述的蚀刻阻挡层结构，其特征在于，所述第一极性反转层为含镁的氮化物；所述第二半导体层为氮化镓，其下表面为镓极性面，上表面为氮极性面；所述第二极性反转层为含镁的氮化物。3.根据权利要求2所述的蚀刻阻挡层结构，其特征在于，所述第一极性反转层和第二极性反转层均为含镁的氮化镓。4.一种包含权利要求1至3中任意一项所述的蚀刻阻挡层结构的外延片，包括半导体器件结构和沉积在图形化衬底上的牺牲层，其特征在于，所述牺牲层为第一半导体层，所述蚀刻阻挡层的第一极性反转层沉积在所述第一半导体层上表面，所述半导体器件结构沉积在所述蚀刻阻挡层的第二极性反转层的上表面。5.根据权利要求4所述的外延片，其特征在于，所述第一半导体层为氮化镓，其下表面为氮极性面，上表面为镓极性面；所述第一极性反转层为含镁的氮化物；所述第二半导体层为氮化镓，其下表面为镓极性面，上表面为氮极性面；所述第二极性反转层为含镁的氮化物。6.根据权利要求5所述的外延片，其特征在于，所述第一极性反转层和第二极性反转层均为含镁的氮化镓。7.一种外延片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1)、生成牺牲层：在图形化衬底上生长第一半导体层，作为牺牲层；步骤2)、生成蚀刻阻挡层：在第一半导体层上沉积第一极性反转层，在第一极性反转层上沉积第二半导体层，在第二半导体层上沉积第二极性反转层，第一极性反转层、第二半导体层和第二极性反转层共同构成蚀刻阻挡层结构；步骤3)、外延生长半导体器件结构：在第二极性反转层上沉积半导体器件结构，至此完成外延片的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周圣军，胡红坡，高艺霖，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42