The invention relates to a crystal growth device, which comprises a crucible, a rear heater located above the crucible, a seed crystal rod, a seed crystal fixed under the seed crystal rod, a first induction coil, a second induction coil and a thermal insulation cover. The thermal insulation cover includes a first heat preservation part and a second heat preservation part, which are connected together, first, and a heat preservation part, first. The heat preservation part is located below the second heat preservation part, the first thermal insulation part is covered by the two sides and the bottom bread crucible, the second heat preservation part is covered with a heater from both sides of the bread. The melt is filled in the crucible, the seed is in contact with the upper surface of the melt. The first induction wire trap is located outside the first heat preservation part, and the second induction wire trap is located outside the second heat preservation department. . The crystal growth device, the growth method and the application of the invention can control the temperature field or temperature gradient at different stages by the first induction coil and the second induction coil, and the prepared crystals have no cracks, bubbles, inclusions, scattering and other defects, so as to achieve good long crystal effect.
【技术实现步骤摘要】
晶体生长装置、生长方法及其应用
本专利技术涉及晶体的制备领域,尤其涉及一种晶体生长装置、生长方法及其应用。
技术介绍
提拉法是一种从熔体中生长晶体的方法,具有生长速度快、污染小、易观察、晶体质量高等优点,是目前常用的晶体的生长方法,广泛应用于宝石、钇铝石榴石、尖晶石、硅酸钇镥等晶体的生长。提拉法晶体生长时,晶体要拉出坩埚之外,温度梯度较大,降温过程中晶体容易开裂。为了减少晶体开裂,调节晶体的温度梯度,通常在坩埚之上放置一后加热器。后加热器一般由氧化锆陶瓷、氧化铝陶瓷、铱、铂等材质制备而成,晶体生长完毕后就在后加热器中冷却至室温。但以往的设计中,晶体的后加热多依靠吸收了坩埚的热辐射的氧化锆、氧化铝陶瓷后加热器或依靠吸收了坩埚的热辐射的反射的铱、铂金属屏后加热器来实现保温,从而实现减小晶体温度梯度的目的,然而这种后加热方式较为被动,而且受温场状况影响较大,重复性较差,难以保障晶体的成品率。所以,有必要设计一种新的晶体生长装置及生长方法以解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶体生长装置、生长方法及其应用。为实现前述目的,本专利技术采用如下技术方案:一种晶体生长装置,其包括一坩埚、位于坩埚上方的一后加热器、一籽晶杆、固定于籽晶杆下方的一籽晶、一第一感应线圈、一第二感应线圈及一保温罩,所述保温罩包括连为一体的一第一保温部和一第二保温部,所述第一保温部位于第二保温部的下方,所述第一保温部从两侧面和底面包覆坩埚,所述第二保温部从两侧面包覆后加热器,所述坩埚内盛装有熔体,所述籽晶与熔体的上表面接触,所述第一感应线圈套设于第一保温部外,所述第二感应线圈 ...
【技术保护点】
一种晶体生长装置,其特征在于:其包括一坩埚、位于坩埚上方的一后加热器、一籽晶杆、固定于籽晶杆下方的一籽晶、一第一感应线圈、一第二感应线圈及一保温罩,所述保温罩包括连为一体的一第一保温部和一第二保温部,所述第一保温部位于第二保温部的下方,所述第一保温部从两侧面和底面包覆坩埚,所述第二保温部从两侧面包覆后加热器,所述坩埚内盛装有熔体,所述籽晶与熔体的上表面接触,所述第一感应线圈套设于第一保温部外,所述第二感应线圈套设于第二保温部外。
【技术特征摘要】
1.一种晶体生长装置,其特征在于:其包括一坩埚、位于坩埚上方的一后加热器、一籽晶杆、固定于籽晶杆下方的一籽晶、一第一感应线圈、一第二感应线圈及一保温罩,所述保温罩包括连为一体的一第一保温部和一第二保温部,所述第一保温部位于第二保温部的下方,所述第一保温部从两侧面和底面包覆坩埚,所述第二保温部从两侧面包覆后加热器,所述坩埚内盛装有熔体,所述籽晶与熔体的上表面接触,所述第一感应线圈套设于第一保温部外,所述第二感应线圈套设于第二保温部外。2.根据权利要求1所述的晶体生长装置,其特征在于:所述第一感应线圈为中频感应线圈。3.根据权利要求1所述的晶体生长装置,其特征在于:第二感应线圈为中频感应线圈。4.根据权利要求1所述的晶体生长装置,其特征在于:所述坩埚采用金属铱制备而成。5.一种晶体生长方法,其特征在于:其采用权利要求1-4所述的晶体生长装置,生长方法包括如下步骤:S1:化料阶段...
【专利技术属性】
技术研发人员:狄聚青,朱刘,李超,刘运连,
申请(专利权)人:清远先导材料有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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