适配多频带的功率放大器设备制造技术

本发明专利技术提供一种适配多频带的功率放大器设备，所述功率放大器设备包括：包络跟踪(ET)电流偏置电路，被构造为根据输入信号的包络通过计算基于参考电压的直流DC和基于ET电压的ET电流而产生第一ET偏置电流；以及功率放大器电路，具有双极结型晶体管，所述双极结型晶体管供给有所述第一ET偏置电流和电源电压以将所述输入信号放大，其中，将所述第一ET偏置电流的平均电流控制为大致恒定。

【技术实现步骤摘要】
适配多频带的功率放大器设备本申请要求于2016年10月28日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0141913号、于2016年11月23日在韩国知识产权局提交的10-2016-0156628号和于2017年6月7日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0070923号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用包含于此。
以下描述涉及一种可应用到多频带通信系统的适配多频带功率放大器设备。
技术介绍
通常，功率放大器模块(PAM)用于在发送器中放大射频(RF)信号并且将放大的RF信号发送到天线。由于这样的PAM可支持各种频带内的信号，因此PAM可包括多个开关、多个滤波器以及放大RF信号的多个功率放大器(PA)。该功率放大器模块(PAM)的性能可通过最大输出、效率、线性度等来评价。除此之外，由于在蜂窝电话中功率放大器模块(PAM)是使用相对大量的电流的组件，因此，电流消耗也是功率放大器模块(PAM)的性能评价的一个标准。作为用于减少该功率放大器模块(PAM)的电流消耗的一个方法，使用包络跟踪(ET)方案或平均功率跟踪(APT)方案。ET使得功率放大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率放大器设备，包括：包络跟踪电流偏置电路，被构造为根据输入信号的包络通过计算基于参考电压的直流和基于包络跟踪电压的包络跟踪电流而产生第一包络跟踪偏置电流；以及功率放大器电路，具有双极结型晶体管，所述双极结型晶体管供给有所述第一包络跟踪偏置电流和电源电压以将所述输入信号放大，其中，将所述第一包络跟踪偏置电流的平均电流控制为大致恒定。

【技术特征摘要】
2016.10.28 KR 10-2016-0141913;2016.11.23 KR 10-2011.一种功率放大器设备，包括：包络跟踪电流偏置电路，被构造为根据输入信号的包络通过计算基于参考电压的直流和基于包络跟踪电压的包络跟踪电流而产生第一包络跟踪偏置电流；以及功率放大器电路，具有双极结型晶体管，所述双极结型晶体管供给有所述第一包络跟踪偏置电流和电源电压以将所述输入信号放大，其中，将所述第一包络跟踪偏置电流的平均电流控制为大致恒定。2.根据权利要求1所述的功率放大器设备，其中，根据预先确定的比率参数调整所述包络跟踪电流的平均电流和所述直流的比率。3.根据权利要求2所述的功率放大器设备，所述功率放大器设备还包括控制电路，所述控制电路被构造为基于所述比率参数产生第一控制信号和第二控制信号，以将产生的所述第一控制信号和所述第二控制信号提供到所述包络跟踪电流偏置电路。4.根据权利要求3所述的功率放大器设备，其中，所述控制电路包括根据对应的所述功率放大器电路的操作特性确定的所述比率参数。5.根据权利要求3所述的功率放大器设备，其中，所述包络跟踪电流偏置电路包括：第一电流源电路，被构造为响应于所述第一控制信号调整所述直流的值；第二电流源电路，被构造为响应于所述第二控制信号调整所述包络跟踪电流的值；以及偏置电流产生器，被构造为通过计算所述直流和所述包络跟踪电流而产生所述第一包络跟踪偏置电流，以将产生的所述第一包络跟踪偏置电流供给到所述双极结型晶体管的基极。6.根据权利要求5所述的功率放大器设备，其中，所述偏置电流产生器被构造为通过将所述第一电流源电路的输出节点连接到所述第二电流源电路的输出节点并对所述直流和所述包络跟踪电流求和而产生所述第一包络跟踪偏置电流。7.根据权利要求2所述的功率放大器设备，其中，所述功率放大器电路包括：功率放大器，包括所述双极结型晶体管，所述功率放大器被构造为将通过输入端子的所述输入信号放大；以及缓冲偏置电路，被构造为使用所述第一包络跟踪偏置电流产生第二包络跟踪偏置电流，且将所述第二包络跟踪偏置电流供给到所述双极结型晶体管的基极。8.根据权利要求2所述的功率放大器设备，所述功率放大器设备还包括包络跟踪电路，所述包络跟踪电路被构造为产生跟踪所述包络跟踪电压的所述电源电压，以将产生的所述电源电压供给到所述功率放大器电路，其中，所述包络跟踪电流偏置电路供给有来自所述包络跟踪电路的所述电源电压，以产生所述包络跟踪电流。9.根据权利要求2所述的功率放大器设备，所述功率放大器设备还包括检测所述包络跟踪电压的包络检测电路，其中，所述包络跟踪电流偏置电路供给有来自所述包络检测电路的所述包络跟踪电压，以产生所述包络跟踪电流。10.根据权利要求2所述的功率放大器设备，所述功率放大器设备还包括：包络检测电路，被构造为检测所述包络跟踪电压；以及平均功率跟踪电路，被构造为产生跟踪所述包络跟踪电压的平均电压的所述电源电压，以将产生的所述电源电压供给到所述功率放大器电路，其中，所述包络跟踪电流偏置电路供给有来自所述包络检测电路的所述包络跟踪电压，以产生所述包络跟踪电流。11.根据权利要求7所述的功率放大器设备，其中，所述缓冲偏置电路包括：电流偏置电路，连接在所述包络跟踪电流偏置电路的输出端子和地之间；电流放大器，通过所述电流偏置电路而进行电流偏置以将所述第一包络跟踪偏置电流放大且产生所述第二包络跟踪偏置电流；以及稳流电阻器，连接到输出所述第二包络跟踪偏置电流的输出端子。12.根据权利要求11所述的功率放大器设备，其中，所述稳流电阻器具有根据所述比率参数设定的电阻值。13.根据权利要求11所述的功率放大器设备，其中，所述电流偏置电路包括：第一偏置电阻器，连接在所述包络跟踪电流偏置电路的所述输出端子和所述电流放大器的基极之间；以及温度补偿电路，连接在所述电流放大器的所述基极和所述地之间且具有根据温度变化的电阻值。14.根据权利要求13所述的功率放大器设备，其中，所述温度补偿电路包括串联连接在所述电流放大器的所述基极和所述地之间的至少两个二极管接法的晶体管。15.根据权利要求13所述的功率放大器设备，其中，所述温度补偿电路包括串联连接在所述电流放大器的所述基极和所述地之间的至...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵炳学，河宗钰，金正勋，金胤锡，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR