OPC修正方法技术

本发明专利技术公开了一种OPC修正方法，包括步骤：步骤一、对已知热点图形进行归纳和总结；步骤二、对已知热点图形的处理方法进行归纳和总结；步骤三、制定出已知热点图形和潜在热点图形的识别规则；步骤四、制定出已知热点图形和潜在热点图形进行预先处理的预处理规则；步骤五、对新设计的掩模板版图进行已知热点图形和潜在热点图形识别，将识别出的已知热点图形和潜在热点图形按照进行预处理，对预处理后的新设计的掩模板版图进行OPC修正。本发明专利技术能减少或消除OPC修正后的热点数量，从而能节约OPC工程师时间、OPC运算时间和软硬件资源。

【技术实现步骤摘要】
OPC修正方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种光学临近效应校正(OpticalProximityCorrection，OPC)修正方法。
技术介绍
在半导体集成电路的光刻工艺中，电路的图形结构首先定义在掩模板版图上，之后通过光刻将掩模板版图上的图形结构转移到形成于晶圆表面的光刻胶上并形成光刻胶图形。由于在光刻过程中，由于图形的尺寸和光刻的波长的尺寸接近甚至更小时，由于光的干涉、衍射和显影等原因会导致曝光在光刻胶上的图形和掩模板版图上的图形不一致，产生光学临近效应(OpticalProximityEffect，OPE)的失真。所以为了在光刻胶上形成需要的图形，需要对掩模板版图上的图形进行OPC修正，经过OPC修正后的掩模板版图上的图形尺寸虽然和要求的不一致，但是经过曝光转移到光刻胶上之后光刻胶上的图形和要求一致。但是随着集成度的增加，图形尺寸越来越小、版图设计越来越复杂，OPC修正过程中会遇到越来越多的热点，热点为OPC修正后的光刻版版图上出现各种问题的点，这些点对应的图形在本申请中定义为热点图形，由于热点图形都是有问题的图形，故需要对热点图形进行处理并在处理后能消除这些热点。由于在掩模板版图的设计中不可避免的会出现热点，故现有OPC修正方法中会出现多次OPC修正，现有对版图常规处理方法即现有OPC修正方法为：先对掩模板版图做OPC修正。之后，对OPC修正后的掩模板版图做OPC检查；复杂的掩模板版图的OPC检查结果中会找到许多热点。当在OPC检查中发现热点时，需要OPC工程师针对检查到的热点进行OPC程式的调整即对需要对热点图形进行处理。对进行了热点图形处理之后的掩模板版图重新做OPC修正；之后，再进行OPC检查；反复进行OPC修正、OPC检查、热点处理直至OPC检查结果满足产品出版要求即经过最后的OPC修正的掩模板版图不再出现热点，可以直接制作掩模板版图。由上可知，现有方法中针对热点的处理需要消耗大量OPC工程师时间、大量OPC运算时间和大量软硬件资源，而且随着集成度的提高，图形尺寸的缩小，热点的数量会增加。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种OPC修正方法，能减少或消除OPC修正后的热点数量，从而能节约OPC工程师时间、OPC运算时间和软硬件资源。为解决上述技术问题，本专利技术提供的OPC修正方法包括如下步骤：步骤一、将已做过OPC修正的掩模板版图中出现的热点图形作为已知热点图形并对所述已知热点图形进行归纳和总结。步骤二、对所述已知热点图形的处理方法进行归纳和总结。步骤三、根据步骤一中的归纳和总结结果制定出在新设计的掩模板版图中识别所述已知热点图形和潜在热点图形的识别规则，所述潜在热点图形为在所述已知热点图形上扩展形成的图形。步骤四、根据步骤二中的归纳和总结结果制定出对新设计的掩模板版图中的所述已知热点图形和所述潜在热点图形进行预先处理的预处理规则。步骤五、按照所述识别规则对新设计的掩模板版图进行所述已知热点图形和所述潜在热点图形进行识别，将识别出的所述已知热点图形和所述潜在热点图形按照所述预处理规则进行预处理，对预处理后的新设计的掩模板版图进行OPC修正。进一步的改进是，步骤五中对新设计的掩模板版图进行OPC修正之后出现新的热点图形时，对所述新的热点图形进行处理，之后对处理后的新设计的掩模板版图进行再次OPC修正直至消除所有热点图形。进一步的改进是，在步骤五中对新设计的掩模板版图进行最后一次OPC修正完成后，将对新设计的掩模板版图的OPC修改过程中出现的新的热点图形作为已知热点图形放在步骤一中进行归纳和总结，以及将对步骤五中对新的热点图形的处理方法放在步骤二中进行归纳和总结。进一步的改进是，步骤一中对所述已知热点图形进行归纳和总结的步骤包括：通过所述已知热点图形在对应的原始掩模板版图上宽度、间距、长度、拐角特征、上下层关系和周围图形的关系进行归类并确定每一种所述已知热点图形各项参数的范围。进一步的改进是，所述拐角特征包括：凸角，凹角和平角。进一步的改进是，所述上下层关系包括：所述已知热点图形对应位置处的上层图形和下层图形没有直接相连。所述已知热点图形对应位置处的上层图形和下层图形中的一个直接相连。所述已知热点图形对应位置处的上层图形和下层图形中都直接相连。统计出所述已知热点图形到和对应的上层图形或下层图形的连接处的距离。进一步的改进是，所述周围图形的关系包括：所述已知热点图形到所述周围图形的间距。所述已知热点图形和到所述周围图形的平行长度。所述周围图形的宽度。所述周围图形的所述上下层关系以及所述周围图形到和对应的上层图形或下层图形的连接处的距离。进一步的改进是，步骤二中的归纳和总结的步骤包括：原始掩模板版图上的所述已知热点图形在进行OPC修正后会出现如下3类风险：短路、断路和上下层连接风险，对所述已知热点图形的处理方法包括对短路、断路和上下层连接风险的处理方法。进一步的改进是，步骤二中对出现短路风险的所述已知热点图形的处理方法为：在不违反设计规则、不会导致新的断路和不影响上下层连接的前提下，将短路对应的所述已知热点图形附近的图形间距扩大，扩大幅度为4.5nm整数倍，最大不超过所述已知热点图形对应的图层的最小设计规则的0.5倍。进一步的改进是，步骤二中对出现断路风险的所述已知热点图形的处理方法为：在不违反设计规则、不会导致新的短路的前提下，将断路对应的所述已知热点图形扩大，扩大幅度为4.5nm整数倍，最大不超过所述已知热点图形对应的图层的最小设计规则的0.5倍。进一步的改进是，步骤二中对出现上下层连接风险的所述已知热点图形的处理方法为：在不违反设计规则、不会导致新的短路的前提下，将上下层连接面积扩大，扩大幅度为4.5nm整数倍，最大不超过所述已知热点图形对应的图层的最小设计规则的0.5倍。进一步的改进是，步骤二中对所述已知热点图形的处理方法还包括：先调整所述已知热点图形的附近的同一图层图形或所述已知热点图形的上下层图形，之后再按照短路、断路和上下层连接错误的处理方法对所述已知热点图形进行处理。进一步的改进是，步骤三中，在所述已知热点图形上扩展形成所述潜在热点图形的方法为：将每一种所述已知热点图形的所有参数范围分别扩大，各参数的扩大幅度为4.5nm整数倍，最大不超过所述已知热点图形对应的图层的最小设计规则的1倍。进一步的改进是，步骤三中，根据所述识别规则的各项参数范围，形成对应的对掩模板版图文件做识别和运行的DRC脚本，实现对任意掩模板版图文件的所述潜在热点图形和所述已知热点图形进行识别。进一步的改进是，步骤四中的所述预处理规则中预处理方法是在对步骤二中归纳和总结的所述已知热点图形的处理方法的基础上进行参数扩大形成，各参数的扩大幅度为4.5nm整数倍，最大不超过所述已知热点图形对应的图层的最小设计规则的0.5倍。根据所述预处理规则的各项参数范围，形成对应的对掩模板版图文件做识别和运行的DRC脚本，实现对任意掩模板版图文件的所述潜在热点图形和所述已知热点图形进行预处理。本专利技术提供的OPC修正方法包括了对已知热点图形及其处理方法进行归纳和总结的步骤，这是根据已经做过OPC修正的掩模板版图的数据进行归纳和总结的，之后，制定出对应的已知热点图形和潜在热点图形的识别规则本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OPC修正方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、将已做过OPC修正的掩模板版图中出现的热点图形作为已知热点图形并对所述已知热点图形进行归纳和总结；步骤二、对所述已知热点图形的处理方法进行归纳和总结；步骤三、根据步骤一中的归纳和总结结果制定出在新设计的掩模板版图中识别所述已知热点图形和潜在热点图形的识别规则，所述潜在热点图形为在所述已知热点图形上扩展形成的图形；步骤四、根据步骤二中的归纳和总结结果制定出对新设计的掩模板版图中的所述已知热点图形和所述潜在热点图形进行预先处理的预处理规则；步骤五、按照所述识别规则对新设计的掩模板版图进行所述已知热点图形和所述潜在热点图形进行识别，将识别出的所述已知热点图形和所述潜在热点图形按照所述预处理规则进行预处理，对预处理后的新设计的掩模板版图进行OPC修正。

【技术特征摘要】
1.一种OPC修正方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、将已做过OPC修正的掩模板版图中出现的热点图形作为已知热点图形并对所述已知热点图形进行归纳和总结；步骤二、对所述已知热点图形的处理方法进行归纳和总结；步骤三、根据步骤一中的归纳和总结结果制定出在新设计的掩模板版图中识别所述已知热点图形和潜在热点图形的识别规则，所述潜在热点图形为在所述已知热点图形上扩展形成的图形；步骤四、根据步骤二中的归纳和总结结果制定出对新设计的掩模板版图中的所述已知热点图形和所述潜在热点图形进行预先处理的预处理规则；步骤五、按照所述识别规则对新设计的掩模板版图进行所述已知热点图形和所述潜在热点图形进行识别，将识别出的所述已知热点图形和所述潜在热点图形按照所述预处理规则进行预处理，对预处理后的新设计的掩模板版图进行OPC修正。2.如权利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于：步骤五中对新设计的掩模板版图进行OPC修正之后出现新的热点图形时，对所述新的热点图形进行处理，之后对处理后的新设计的掩模板版图进行再次OPC修正直至消除所有热点图形。3.如权利要求2所述的OPC修正方法，其特征在于：在步骤五中对新设计的掩模板版图进行最后一次OPC修正完成后，将对新设计的掩模板版图的OPC修改过程中出现的新的热点图形作为已知热点图形放在步骤一中进行归纳和总结，以及将对步骤五中对新的热点图形的处理方法放在步骤二中进行归纳和总结。4.如权利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于：步骤一中对所述已知热点图形进行归纳和总结的步骤包括：通过所述已知热点图形在对应的原始掩模板版图上宽度、间距、长度、拐角特征、上下层关系和周围图形的关系进行归类并确定每一种所述已知热点图形各项参数的范围。5.如权利要求4所述的OPC修正方法，其特征在于：所述拐角特征包括：凸角，凹角和平角。6.如权利要求4所述的OPC修正方法，其特征在于：所述上下层关系包括：所述已知热点图形对应位置处的上层图形和下层图形没有直接相连；所述已知热点图形对应位置处的上层图形和下层图形中的一个直接相连；所述已知热点图形对应位置处的上层图形和下层图形中都直接相连；统计出所述已知热点图形到和对应的上层图形或下层图形的连接处的距离。7.如权利要求4所述的OPC修正方法，其特征在于：所述周围图形的关系包括：所述已知热点图形到所述周围图形的间距；所述已知热点图形和到所述周围图形的平行长度；所述周围图形的宽度；所述周围图形的所述上下层关系以及所述周围图形到和对应的上层图形或下层图形的连接处的距离。8.如权利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于：步骤二中...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丹，毛智彪，于世瑞，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31