用于模拟总线接收机的低噪声放大器及模拟总线接收机制造技术

本公开提供了一种低噪声放大器，包括：MOS管M1、M2，工作在饱和区，漏极分别接到C2、C1的一端，源极接地，信号输入端隔直后连接到MOS管M1、M2的栅极；MOS管M3、M4，源极分别接到MOS管M1、M2的漏极，漏极接R1、R2的一端，同时也分别作为放大器的负输出端和正输出端；MOS管M5、M6，源极分别接电阻R3、R4，漏极接负输出端和正输出端；MOS管M11、M12，构成伪差分输入级，并工作在亚阈值区，源级接地，漏极分别接到M1、M2的漏极，信号输入端隔直接到M11、M12的栅极。由于芯片具有较大输入阻抗，减小了总线上不工作的节点对正常工作节点的影响，有利于实现多种发射接收方式。

Low noise amplifier for analog bus receiver and analog bus receiver

The present disclosure provides a low noise amplifier, including: MOS tube M1, M2, working in the saturation area, the drain is connected to one end of C2 and C1 respectively, the source is connected to the ground, the signal input end is connected to the grid of M1 and M2 of the MOS tube, and the MOS tube M3, M4, the source is respectively connected to the MOS tube, the drain electrode, the end, and the end of the drain. As the negative output and positive output of the amplifier, the MOS tube M5, M6, the source electrode is connected with the resistance R3, the R4, the drain end and the positive output end, the MOS tube M11 and M12, which form the Pseudo differential input level, and work in the sub threshold area, the source level grounding, the leakage pole respectively received the leakage of M1 and M2, and the signal input end directly to M11, M1. The gate of 2. Because the chip has a large input impedance, it reduces the influence of the nodes which are not working on the bus to the normal working nodes, and is conducive to the realization of multiple transmitting and receiving modes.

【技术实现步骤摘要】
用于模拟总线接收机的低噪声放大器及模拟总线接收机
本公开涉及总线信号放大器领域，尤其涉及一种模拟总线接收机及应用于模拟总线接收机的低噪声放大器。
技术介绍
如今的工业控制大都采用数字总线传输信号，例如现场总线、工业以太网等等，但是数字总线会有一些缺点。例如：Can总线带宽窄，传输距离短，CAN总线现在节点数只能达到100多个，当希望节点在1000以上时，就受限了。工业以太网虽然数据的传输距离长、传输速率高，但是以太网采用的是带有冲突检测的载波侦听多路访问协议(CSMA/CD)，无法保证数据传输的实时性要求，是一种非确定性的网络系统。其次，工业以太网的鲁棒性和抗干扰能力等都是值得关注的问题。模拟总线能搭载上千个节点，同时提高传输速度，还可以实现实时性，实现多节点、多载波模拟信号的传输。基于上述优点，工业控制可以选择模拟总线传输。模拟总线的接收端主要包括低噪声放大器、滤波器、可编程增益放大器等等。其中低噪声放大器需要考虑传输线反射与信噪比等性能。传统的无线接收机是单点对单点的匹配，同时因为无线传输导致接收机收到的信号很小，所以传统的结构采用片内阻抗匹配，以此提高噪声系数，图1为传统的应用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低噪声放大器，包括：MOS管M1、M2，构成差分输入级，并工作在饱和区，信号输入端经过隔直电容C7、C8后分别连接到MOS管M1、M2的栅极，MOS管M1、M2的漏极分别接到电容C2、C1的一端，源极接地；MOS管M3、M4，源极分别接到MOS管M1、M2的漏极，MOS管M3、M4的漏极接电阻R1、R2的一端，同时也分别作为放大器的负输出端和正输出端，R1与C1串联、R2与C2串联，构成负反馈；MOS管M5、M6，源极分别接电阻R3、R4，漏极接负输出端和正输出端；MOS管M11、M12，构成伪差分输入级，并工作在亚阈值区，信号输入端通过隔直电容C5、C6分别接到M11、M12的栅极，所述...

【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大器，包括：MOS管M1、M2，构成差分输入级，并工作在饱和区，信号输入端经过隔直电容C7、C8后分别连接到MOS管M1、M2的栅极，MOS管M1、M2的漏极分别接到电容C2、C1的一端，源极接地；MOS管M3、M4，源极分别接到MOS管M1、M2的漏极，MOS管M3、M4的漏极接电阻R1、R2的一端，同时也分别作为放大器的负输出端和正输出端，R1与C1串联、R2与C2串联，构成负反馈；MOS管M5、M6，源极分别接电阻R3、R4，漏极接负输出端和正输出端；MOS管M11、M12，构成伪差分输入级，并工作在亚阈值区，信号输入端通过隔直电容C5、C6分别接到M11、M12的栅极，所述MOS管M11、M12的源级接地，漏极分别接到M1、M2的漏极。2.一种低噪声放大器，包括：MOS管M1、M2，构成差分输入级，并工作在饱和区，信号输入端经过隔直电容C7、C8后分别连接到MOS管M1、M2的栅极，MOS管M1、M2的漏极分别接到电容C2、C1的一端，源极接地；MOS管M3、M4，源极分别接到MOS管M1、M2的漏极，MOS管M3、M4的漏极接电阻R1、R2的一端，同时也分别作为放大器的负输出端和正输出端，R1与C1串联、R2与C2串联，构成负反馈；MOS管M5、M6，源极分别接电阻R3、R4，漏极接负输出端和正输出端；MOS管M11、M12，构成伪差分输入级，并工作在亚阈值区，信号输入端通过隔直电容C5、C6分别接到M11、M12的栅极，所述MOS管M11、M12的源级接地，漏极分别接到M3、M4的漏极。3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，还包括：MOS管M7、M8、M9和M10，其中MOS管M7的栅极接到MOS管M9的源极，同时接到电容C3的一端，MOS管M8的栅极接到M10的源极，同时接到电容C4的一端，MOS管M9、M10的栅极分别接到负输出端与正输出端，所述M7、M9和C3构成有源电感，所述M8、M10和C4也构成有源电感。4.一种模拟总线接收机，包括：高增益放大通路，包括低噪声放大器LNA1，以及中低增益放大通路，包括低噪声放大器LNA2，其中，LNA2采用如权利要求1-3中所述的低噪声放大器。5.根据权利要求4所述的模拟总线接收机，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：方康明，尹韬，杨海钢，
申请(专利权)人：中科亿海微电子科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32