块随机存取存储器快速初始化的电路装置及工作方法制造方法及图纸

块随机存取存储器快速初始化的电路装置及工作方法，能够提高BRAM初始化速度，大大节省初始化时间，资源利用率高。其包括：BRAM电路、数据预分类模块、初始化控制器；BRAM电路在FPGA中以列电路形式存在，且每一行的BRAM列电路的列序号是一致的；数据预分类模块在比特流文件中找到BRAM初始值，将FPGA每一行的BRAM列的初始值数据以数据帧的形式转发给初始化控制器，每一行转发一帧初始化值；初始化控制器在一个时钟周期内将若干帧所述初始化值并行写到每一行的BRAM列电路中，同时对FPGA的所有行的BRAM电路进行初始化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及fpga芯片的，尤其涉及一种块随机存取存储器快速初始化的电路装置，以及这种块随机存取存储器快速初始化的电路装置的工作方法。

技术介绍

1、bram（block random access memory，块随机存取存储器）是一种片上存储器，常用于fpga（field programmable gate array，现场可编程门阵列）设计中。它提供一种高效、快速的存储方式，适合实现缓存、缓冲区及查找表等功能。bram由多个存储块组成，每个存储块具有固定的存储容量，其内部是由一个个小内存单元构成，每个内存单元都对应一个地址编号，通过访问这些地址编号，可以快速地写入或读取数据。bram在fpga内部有固定的分布位置，fpga一般由若干行组成，fpga的行是其内部结构中的水平排列单元，每一行包含多列，列是fpga内部结构中的垂直排列单元，fpga芯片中一般会有若干列电路为bram，每一列bram电路由多个bram存储块构成。为了方便地对多个bram实现并行和灵活配置，在同一芯片中每个bram存储块容量一般是固定的。

2、fpga上电后，br本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.块随机存取存储器快速初始化的电路装置，其特征在于：其包括：BRAM电路、数据预分类模块、初始化控制器；

2.根据权利要求1所述的块随机存取存储器快速初始化的电路装置，其特征在于：所述数据预分类模块在存放比特流文件的存储介质中找到所有BRAM的初始化值，然后数据预分类模块在BRAM初始化值中找到FPGA每一行第一个BRAM列电路中的第一个BRAM存储块的第一帧初始化值，当初始化控制器开始对FPGA的BRAM电路进行初始化操作，数据预分类模块将若干帧初始化值转发给初始化控制器，初始化控制器在一个时钟周期内将若干帧初始化值并行写到每一行第一个BRAM列电路中的第一个BRAM存储...

【技术特征摘要】

1.块随机存取存储器快速初始化的电路装置，其特征在于：其包括：bram电路、数据预分类模块、初始化控制器；

2.根据权利要求1所述的块随机存取存储器快速初始化的电路装置，其特征在于：所述数据预分类模块在存放比特流文件的存储介质中找到所有bram的初始化值，然后数据预分类模块在bram初始化值中找到fpga每一行第一个bram列电路中的第一个bram存储块的第一帧初始化值，当初始化控制器开始对fpga的bram电路进行初始化操作，数据预分类模块将若干帧初始化值转发给初始化控制器，初始化控制器在一个时钟周期内将若干帧初始化值并行写到每一行第一个bram列电路中的第一个bram存储块中。

3.根据权利要求2所述的块随机存取存储器快速初始化的电路装置，其特征在于：所述数据预分类模块在bram初始化值中找到fpga每一行第一个bram列电路中的第一个bram存储块的第二帧初始化值，转发给初始化控制器，然后初始化控制器在一个时钟周期内将若干bram存储块第二帧初始化值并行写到每一行的第一个bram列电路中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖雨，魏育成，徐成华，孙晓宁，
申请(专利权)人：中科亿海微电子科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：