半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法。所述半导体功率器件的终端结构包括N型衬底、形成于所述N型衬底表面的第一P型注入区与第二P型注入区、形成于所述N型衬底、所述第一及第二P型注入区表面的N型外延层、贯穿所述N型外延层且分别对应所述第一P型注入区与第二P型注入区的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述两个沟槽中的多晶硅、形成于所述两个沟槽一侧的N型外延层表面的第三P型注入区、形成于所述两个沟槽之间的N型外延层表面的第四P型注入区、及形成于所述两个沟槽另外一侧的N型注入区。

Terminal structure and manufacturing method of semiconductor power device and semiconductor power device

The invention provides a semiconductor power device, a terminal structure of a semiconductor power device and a manufacturing method thereof. The terminal structure of the semiconductor power device includes a N type substrate, a first P injection zone formed on the surface of the N type substrate and a second P injection zone, a N type epitaxial layer formed on the N substrate, the first and two P injection region surface, and the N type epitaxial layer running through the first P type injection zone and the first P type injection zone, respectively. The first trench of the two P injection zone and the second groove, the polysilicon formed in the two groove, the third P injection zone formed on the surface of the N epitaxial layer formed on the one side of the two groove, the fourth P injection zone formed on the N type epitaxial layer formed between the two trenches, and formed on the other side of the two groove. Type N injection area.

【技术实现步骤摘要】
半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法
本专利技术涉及半导体器件制造
，特别地，涉及一种半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法。
技术介绍
目前，半导体功率器件已经越来越广泛的使用。举例来说，沟槽型垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)，其漏源两极分别在器件的两侧,使电流在器件内部垂直流通,增加了电流密度,改善了额定电流,单位面积的导通电阻也较小，是一种用途非常广泛的功率器件。超结MOSFET则是利用复合缓冲层里面交替的N柱和P柱进行电荷补偿,使P区和N区相互耗尽,形成理想的平顶电场分布和均匀的电势分布,从而达到提高击穿电压并降低导通电阻的目的的半导体功率器件。对于以上半导体功率器件，要达到理想的效果,其前提条件就是器件的电荷平衡。因此,制作半导体功率器件的终端结构的超结技术从诞生开始,它的制造工艺就是围绕如何制造电荷平衡的N柱和P柱进行的。目前使用的制造技术主要有：多次外延和注入技术，深槽刻蚀和填槽等技术。具体来说，半导体功率器件的最重要性能就是阻断高压，器件经过设计可以在PN结，金属-半导体接触，MOS界面的耗尽层上承受高压，随着外加电压的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体功率器件的终端结构，其特征在于：所述半导体功率器件的终端结构包括N型衬底、形成于所述N型衬底表面的第一P型注入区与第二P型注入区、形成于所述N型衬底、所述第一及第二P型注入区表面的N型外延层、贯穿所述N型外延层且分别对应所述第一P型注入区与第二P型注入区的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述两个沟槽中的多晶硅、形成于所述两个沟槽一侧的N型外延层表面的第三P型注入区、形成于所述两个沟槽之间的N型外延层表面的第四P型注入区、及形成于所述两个沟槽另外一侧的N型注入区。

【技术特征摘要】
1.一种半导体功率器件的终端结构，其特征在于：所述半导体功率器件的终端结构包括N型衬底、形成于所述N型衬底表面的第一P型注入区与第二P型注入区、形成于所述N型衬底、所述第一及第二P型注入区表面的N型外延层、贯穿所述N型外延层且分别对应所述第一P型注入区与第二P型注入区的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述两个沟槽中的多晶硅、形成于所述两个沟槽一侧的N型外延层表面的第三P型注入区、形成于所述两个沟槽之间的N型外延层表面的第四P型注入区、及形成于所述两个沟槽另外一侧的N型注入区。2.如权利要求1所述的半导体功率器件的终端结构，其特征在于：所述半导体功率器件的终端结构还包括介质层，所述介质层形成于所述N型外延层上、所述第三P型注入区上、所述第四P型注入区上、所述多晶硅上、及所述N型注入区上。3.如权利要求2所述的半导体功率器件的终端结构，其特征在于：所述介质层包括第一通孔、第二通孔、第三通孔及第四通孔，所述第一通孔对应所述第一沟槽的多晶硅，所述第二通孔对应所述第二沟槽的多晶硅，所述第三通孔对应所述第三P型注入区、所述第四通孔对应所述第四P型注入区。4.如权利要求3所述的半导体功率器件的终端结构，其特征在于：所述半导体功率器件的终端结构还包括金属层，所述金属层形成于所述介质层上方，所述金属层包括第一部分及第二部分，所述第一部分通过所述第一通孔及第三通孔连接所述第一沟槽的多晶硅及所述第三P型注入区，所述第二部分通过所述第二通孔及所述第四通孔连接所述第二沟槽的多晶硅及所述第四P型注入区。5.如权利要求1所述的半导体功率器件的终端结构，其特征在于；所述第三P型注入区的深度小于所述N型注入区的深度。6.一种半导体功率器件，其包括有源区及形成于所述有源区外围的终端结构，其特征在于：所述终端结构采用如权利要求1-5项任意一项所述的半导体功率器件的终端结构。7.一种半导体功率器件的终端结构的制作方法，其包括如下步骤：提供N型衬底，在所述N型衬底表面形成第一P型注入区及第二P型注入区，在所述N型衬底、所述第一及第二P型注入区上形成N型外延层；使用第...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：深圳市晶特智造科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44