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本发明提供一种半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法。所述半导体功率器件的终端结构包括N型衬底、形成于所述N型衬底表面的第一P型注入区与第二P型注入区、形成于所述N型衬底、所述第一及第二P型注入区表面的N型外延层、贯穿所述N型...
该专利属于深圳市晶特智造科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市晶特智造科技有限公司授权不得商用。

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