一种临时键合工艺的辅助结构及利用该结构的晶圆加工方法技术
Auxiliary structure for temporary bonding process and wafer processing method using the structure
An embodiment of the present invention discloses an auxiliary structure of a temporary bonding process, including: a substrate, a functional structure formed on the front of the substrate, an effective TSV through hole formed in the substrate, and a pseudo TSV through hole formed in the substrate, and the pseudo TSV through holes are distributed in the invalid area around the functional figure. In the domain, the hole depth of the pseudo TSV through hole is larger than that of the effective TSV through-hole. The embodiment of the invention can effectively solve the problem of easy layering or breaking in the vacuum chamber when the temporary bonding sheet is carried out on the back process.
【技术实现步骤摘要】
一种临时键合工艺的辅助结构及利用该结构的晶圆加工方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种临时键合工艺的辅助结构及利用该结构的晶圆加工方法。
技术介绍
随着集成电路技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向发展。芯片厚度对器件性能产生重要影响，如薄芯片就具有很多优势，提高散热效率、机械性能与电性能，减小封装体积，减轻重量等。半导体器件的背面工艺一般包括衬底减薄、通孔刻蚀、背面金属化等步骤，当圆片的衬底减薄至150μm甚至更薄时，很容易发生碎片，并且由于应力的原因圆片会发生弯曲变形，无法操作，因此需要在减薄之前与玻璃片等载片临时键合，以临时载片为依托进行后续工艺制作。临时键合载片技术解决了晶圆减薄制程的拿持和工艺过程中的碎片问题。目前晶圆与载片分离的介质处理方式有激光处理、热处理、机械拆开方式和化学处理等方式。在现有技术中，通过激光处理进行晶圆与载片分离的工艺通常包括两层结构，在玻璃衬底上施加释放层，并在晶圆上施加黏合层，再将玻璃衬底的释放层和晶圆上的黏合层放置在一起，转移至键合腔，提高温度后在真空中进行键合。然后对晶圆进行处理，包...
【技术保护点】
一种临时键合工艺的辅助结构，包括：衬底；形成于所述衬底的正面上的功能结构；形成于所述衬底内的有效TSV通孔；以及形成于所述衬底内的伪TSV通孔，所述伪TSV通孔分布在所述功能图形周边的无效区域中，其中所述伪TSV通孔的孔深大于所述有效TSV通孔的孔深。
【技术特征摘要】
1.一种临时键合工艺的辅助结构，包括：衬底；形成于所述衬底的正面上的功能结构；形成于所述衬底内的有效TSV通孔；以及形成于所述衬底内的伪TSV通孔，所述伪TSV通孔分布在所述功能图形周边的无效区域中，其中所述伪TSV通孔的孔深大于所述有效TSV通孔的孔深。2.如权利要求1所述的临时键合工艺的辅助结构，其特征在于，所述伪TSV通孔贯穿衬底。3.如权利要求1所述的临时键合工艺的辅助结构，其特征在于，所述伪TSV通孔的截面为圆形，且多个所述伪TSV通孔分布在所述功能图形的四周。4.如权利要求1所述的临时键合工艺的辅助结构，其特征在于，所述伪TSV通孔的截面为方形，且多个所述伪TSV通孔分布在所述功能图形的四周。5.如权利要求1所述的临时键合工艺的辅助结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏，李恒甫，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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