离子源制造技术

本发明专利技术提供一种离子源，能够实现位于漂移方向侧的丝极的长寿命化，并且能够从通过由该丝极所放出的电子生成的等离子体高效地引出离子束。该离子源具备：长条状的等离子体生成容器(10)；多个磁铁(30)，在等离子体生成容器(10)的内部形成会切磁场(B)；及多个第一丝极(40A)，沿着等离子体生成容器(10)的长度方向设置成列状，并插入到等离子体生成容器(10)的内部。由第一丝极(40A)放出的电子从长度方向的一侧朝着另一侧进行ExB漂移，从等离子体生成容器(10)的长度方向中央至在长度方向上最靠上述另一侧的第一丝极(40A)的距离(L2b)，比从等离子体生成容器(10)的长度方向中央至在长度方向上最靠上述一侧的第一丝极(40A)的距离(L1a)短。

ion source

The invention provides an ion source that can realize the long life of the silk pole at the drift direction, and can efficiently lead to the ion beam from the plasma generated by the electrons released from the wire pole. The ion source has a long strip shaped plasma generating container (10); a plurality of magnets (30) formed a magnetic field cutting (B) inside the plasma generating container (10); and a number of first wire poles (40A), arranged along the length direction of the plasma generating container (10), and inserted into the interior of the plasma generating container (10). The electrons released by the first pole (40A) are drifting from one side of the length toward the other side, from the center of the length of the plasma generated container (10) to the distance (L2b) of the first filament (40A) on the other side of the same length in the direction of the length (10) in the direction of the length of the plasma generated container (10) and in the direction of the length. The distance from the first filament (40A) to the above side is short (L1a).

【技术实现步骤摘要】
离子源
本专利技术涉及在等离子体生成容器内形成会切磁场的桶型(也称为多极磁场型或多会切型)的离子源。
技术介绍
作为桶型的离子源，如专利文献1所示，存在如下的结构：具备被导入离子源气体的呈长方体形状的等离子体生成容器、在等离子体生成容器的内部形成会切磁场的多个磁铁及插入于等离子体生成容器的内部的多个丝极，通过由丝极放出的电子来生成等离子体，并将其一部分从沿着等离子体生成容器的长度方向形成的离子引出口作为离子束引出。该离子源构成为使由上述多个丝极放出的电子沿着等离子体生成容器的长度方向进行ExB漂移(以下，简称为漂移)，具体而言沿着等离子体生成容器的长度方向从下方至上方设置的多个丝极等间隔且相对于长度方向中央而对称地配置。然而，如果是这样的结构，则电子沿等离子体生成容器的长度方向漂移，因此在等离子体生成容器内的漂移方向侧，电子停滞而等离子体密度变大，在漂移方向的相反侧，等离子体密度变小。其结果是，在等离子体密度大的漂移方向侧配置的丝极与在等离子体密度小的漂移方向的相反侧配置的丝极相比损伤大而寿命变短。此外，专利文献1所示的离子源构成为，从等离子体生成容器通过引出电极而引出的离子束的引出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子源，具备：长条状的等离子体生成容器；多个磁铁，在所述等离子体生成容器的内部形成会切磁场；及多个第一丝极，沿着所述等离子体生成容器的长度方向设置成列状，并且插入到所述等离子体生成容器的内部，由所述第一丝极放出的电子构成为从所述长度方向上的一侧朝着另一侧进行ExB漂移，从所述等离子体生成容器的所述长度方向的中央至在所述长度方向上最靠所述另一侧的第一丝极的距离，比从所述等离子体生成容器的所述长度方向的中央至在所述长度方向上最靠所述一侧的第一丝极的距离短。

【技术特征摘要】
2017.08.18 JP 2017-1578131.一种离子源，具备：长条状的等离子体生成容器；多个磁铁，在所述等离子体生成容器的内部形成会切磁场；及多个第一丝极，沿着所述等离子体生成容器的长度方向设置成列状，并且插入到所述等离子体生成容器的内部，由所述第一丝极放出的电子构成为从所述长度方向上的一侧朝着另一侧进行ExB漂移，从所述等离子体生成容器的所述长度方向的中央至在所述长度方向上最靠所述另一侧的第一丝极的距离，比从所述等离子体生成容器的所述长度方向的中央至在所述长度方向上最靠所述一侧的第一丝极的距离短。2.根据权利要求1所述的离子源，其中，所述离子源还具备多个第二丝极，所述多个第二丝极与所述第一丝极平行地设置，并且插入到所述等离子体生成容器的内部，由所述第二丝极放出的电子构成为从所述长度方向上的所述另一侧朝着所述一侧进行ExB漂移，从所述等离子体生成容器的所述长度方向的中央至在所述长度方向上最靠所述一侧的第二丝极的距离，比从所述等离子体生成容器的所述长度方向的中央至在所述长度方向上最靠所述另...

【专利技术属性】
技术研发人员：井内裕，
申请(专利权)人：日新离子机器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP