一种双电离的离子源制造技术

一种双电离的离子源，该离子源由电子轰击电离（EI源）和真空紫外灯电离（PI源）两种电离方式组成，其结构包括进样管，推斥极、电离室、灯丝、紫外灯、引出极、聚焦极、出射极、推斥板和接地栅板。本发明专利技术拓宽了单一离子源分析多形态样品时的适用性，同时提高了碎片离子的质量选择，可有效的分析离子组成和样品结构。

【技术实现步骤摘要】
—种双电离的离子源
本专利技术属于离子源领域，具体涉及一种双电离的离子源。
技术介绍
质谱技术是一种测量离子荷质比的分析方法，其原理是使试样中各组分在离子源中发生电离，生成不同荷质比的带正电荷的离子，经加速电场的作用，形成离子束，进入质量分析器。在质量分析器中，再利用电场和磁场使发生相反的速度色散，将它们分别聚焦而得到质谱图，从而确定其质量。待测样品要在电离室中被离子源电离后才能被质谱检测到，以往的电离方式通常为单一的硬电离或软电离，软电离可得到样品的分子离子峰，可更好的解析谱图，但电离能量较低，对于难电离的样品不适用；硬电离的电离能量较大，但易产生碎片离子，对谱图的解析带来一定的困难。
技术实现思路
为了克服现有技术存在的缺陷，本专利技术的目的是提供一种双电离的离子源，采用EI或PI两种电离方式，拓宽了单一离子源分析多形态样品时的适用性，同时提高了碎片离子的质量选择，可有效的分析离子组成和样品结构。本专利技术提供了一种双电离的离子源，该离子源由样品管，推斥极、电离室、灯丝、紫外灯、引出极、聚焦极、出射极、接地栅板、推斥板组成；该离子源是以样品管为起点，依次为推斥极、电离室、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双电离的离子源，其特征在于：该离子源由样品管，推斥极、电离室、灯丝、紫外灯、引出极、聚焦极、出射极、接地栅板、推斥板组成；该离子源是以样品管为起点，依次为推斥极、电离室、灯丝、紫外灯、引出极、聚焦极、出射极、接地栅板及推斥板；其中，灯丝位于电离室的一侧，紫外灯位于电离室的上方。

【技术特征摘要】
1.一种双电离的离子源，其特征在于:该离子源由样品管，推斥极、电离室、灯丝、紫外灯、引出极、聚焦极、出射极、接地栅板、推斥板组成； 该离子源是以样品管为起点，依次为推斥极、电离室、灯丝、紫外灯、引出极、聚焦极、出射极、接地栅板及推斥板；其中，灯丝位于电离室的一侧，紫外灯位于电离室的上方。2.按照权利要求1所述双电离的离子源，其特征在于:该离子源由电子轰击电离和真空紫外灯电离两种电离方式组成。3.按照权利要求1所述双电离的离子源，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐紫超，史磊，李刚，王兴龙，吴小虎，张世宇，
申请(专利权)人：中国科学院大连化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：