一种微米和亚微米级奥氏体晶材的制备方法技术

一种微米和亚微米级奥氏体晶材的制备方法，具体包括以下步骤：（１）将低碳钢经冶炼，浇铸成铸坯；然后轧制成热轧板坯，空冷至室温；（２）将热轧板坯加热至５００℃保温１～２ｈ后，进行５～１０道次轧制，累计压下量为７０％～９０％，获得温轧板坯；（３）利用温轧板坯加工热模拟试样，通过热－力模拟试验机以２０～１００℃／ｓ的速度加热至７００～８００℃，沿垂直温轧轧制方向或平行温轧轧制方向变形３２％～８０％，之后升温至９００℃，保温１ｓ，获得奥氏体晶粒尺寸为３～０．３μｍ。本发明专利技术的工艺相对简单，可操作性较强，能够在现有轧制生产线上获得实现，工业应用前景较好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料科学
，具体涉及。
技术介绍
超细晶材料由于具有强度及塑性方面特有的综合优势，成为各国材料研究领域的一个热 点。对于传统的钢铁材料来说，有关其晶粒超细化的研究也在广泛而深入的展开。到现在为 止，对钢铁材料的晶粒细化也如其他有色金属如铜、铝等一样深入至纳米级别，但是由于受 到轧机等设备能力或者本身工艺复杂性等问题的限制，使得如马氏体冷轧再退火，等通道挤 压(ECAP)和累计叠轧(ARB)等实现纳米晶钢等需要较大低温形变量的超细化工艺的广泛应用 大大折扣；而从实际应用和工业化推广的角度考虑，将钢铁材料的晶粒细化至l l(Him的工 艺方法始终还是所有晶粒细化方法中的主流，其中最典型和有效的当属TMCP，即控制轧制 与控制冷却工艺。TMCP之所以在众多工艺中成为一种行之有效的方法，其主要原因在于该 工艺是通过对Y—a相变过程进行控制，能够保证所需工艺参数在现代轧制生产线所能提供的 范围之内，比如利用TMCP即使需要较大的变形量，但由于可以同时调节变形温度、变形速 率及中间冷却等其他相关因素使得变形处于相对较高的温度区域，且能够最终保证产品的性 能要求，这样便大大增加了其应用的广泛性，通常在工业领域应用的TMCP工艺中奥氏体晶 粒尺寸在几十乃至上百微米。鉴于上述比较分析，也有多数研究将思路转移到通过改进传统TMCP工艺方法，从而获 得具有良好反展空间的细晶思路，这些改进的方法许多人将其称为Advanced theraiomechanical process。利用这些方法已经可以将钢铁材料的晶粒细化至亚微米(<lpm) 范围，当然这些方法中也包含有通过控制奥氏体晶粒来获得终态组织细化，其中最细奥氏体 晶粒约为10pm。原始奥氏体晶粒特征直接关系到冷却过程中其分解特征进而影响相变后的组织及其性 能，因此在利用奥氏体冷却过程相变细化终态组织的工艺中对奧氏体晶粒控制就显得十分关 键。通常原始奥氏体晶粒尺寸越小，相同的冷却相变条件下所获得最终组织越细，对此杨王 玥等人在利用尺寸在44 7pm的奥氏体晶粒较为系统的分析了奥氏体晶粒尺寸对终态组织的 影响时发现，同样的形变及冷却条件下，奥氏体晶粒越小，后续相变所得的铁素体量越多， 且分布均匀。但考虑到实际轧制生产的工艺特点，大多数研究工作所采用的奥氏体晶粒一般 在几十微米左右。对于将奥氏体晶粒细化lpm左右甚至亚微米级别后研究其冷却过程中的相 变行为，至今还尚未见报道。单纯考虑奧氏体晶粒细化的研究也有过大量文献报道，早在上世纪80年代初期人们就利 用变形和加热方式的控制将合金钢奥氏体晶粒细化到接近0.1 0.3pm。近年来，日本的研究者将中低碳钢的奥氏体晶粒细化到3pm以下。
技术实现思路
针对现有技术上的问题，本专利技术提供一种微米和亚微米级奧氏体晶材的制备方法。 本专利技术的技术方案为-(1) 低碳钢化学成分的设定并冶炼、浇铸所设定的低碳钢的化学组成成分有两种第一种低碳钢的化学组成成分重量百分比为含C0.10 0.20。/。， Si0.1~1.5%， Mnl.0 2.0%， P ^).01°/。， S 50.01%， Nb 0.02~0.05%，其余为Fe;第二种低碳钢的化学组成成分重量百分 比为含C0.10 0.200/。， Si0.1~1.5%， Mnl.0~2.0%， P^0.01%， S 50.01%， Nb 0.02~0.05%， V0.05~0.07%， Ti0.02~0.05%，其余为Fe。按上述设定的成分将该低碳钢经冶炼，浇铸成铸 坯。(2) 将上述组成成分之一或之二的钢铸坯加热至1200'C保温2h后，轧制成热轧板坯， 空冷至室温，使之具有铁素体/珠光体组织。(3) 将空冷后的热轧板坯加热至50(TC保温l 2h后，进行5 10道次轧制，累计压下量 为70%~90 % ，获得温轧板坯。(4) 利用温轧板坯加工热模拟试样，在热-力模拟试验机中以20 10(TC/s的速度加热至 700~800°C,然后沿垂直温轧轧制方向或平行温轧轧制方向变形32%~80%,之后以100'C/s 的速度升温至900°C，保温ls，获得奥氏体晶粒尺寸为().3~3^im。本专利技术的微米和亚微米级奧氏体晶材的制备方法，以含微铌或微铌、钒、钛的低碳钢为 基本成分，能够在尽可能减少合金元素用量的前提下实现高温奥氏体的晶粒微米化和亚微米 化，并且能够有效结合冷却过程中的相变行为控制，实现终态组织的最优化；木专利技术的工艺 相对简单，可操作性较强，能够在现有轧制生产线上获得实现，工业应用前景较好。 附图说明图1为采用本专利技术方法获得的平均晶粒尺寸为0.5pm的亚微米级奥氏体晶材在90(TC保 温ls后淬火，经侵蚀得到的光学显微图。图2为采用本专利技术方法获得的平均晶粒尺寸在0.8pm的亚微米级奥氏体晶材在90(TC保 温ls后淬火，经侵蚀得到的光学显微图。图3为采用本专利技术方法获得的平均晶粒尺寸为3pm的微米级奥氏体晶材在900'C保温ls 后淬火，经侵蚀得到的光学显微图。 具体实施例方式实施例l设定的低碳钢的化学组成成分重量百分比为含C0.12M， SiO.13%, Mnl.30%， P0.015 %， S 0.007%， Nb 0.02%，其余为Fe;将该低碳钢在50Kg真空感应炉内冶炼，浇铸成 小150mmx500mm的圆柱形铸坯；将铸坯置于高温电阻炉内，加热至120(TC保温2h后，在实验室())450轧机上经8道次轧制成厚40inm的热轧板坯，空冷至室温，使之具有铁素体/珠光体 组织。将热轧板坯加热至50(TC保温lh后，在+300轧机上经6道次轧制，累计压下量80% ， 获得板坯厚度为8mm的温轧板坯。将温轧板坯利用车床及线切割加工成(j)6xl2mm的圆柱形热模拟试样，然后置于 Gleeble1500热-力模拟试验机中，以20°C/s的速度加热至800°C ，然后以0.1s—1的应变速率变 形32%，变形方向垂直于温轧轧制方向；随后以100°C/s的速度升温至900°C，保温s，获 得平均晶粒尺寸在0.5pm的亚微米级奥氏体晶材。图1为在90(TC保温Is后淬火，经侵蚀得到的平均晶粒尺寸为0.5pm的亚微米级奥氏体 晶材的光学显微图。 实施例2设定的低碳钢的化学组成成分重量百分比为含C0.16W， Sil.38%， Mnl.80%， P0.008 %， S 0.006%， NbO.05%, V0.06%， Ti0.03%，其余为Fe;将该低碳钢在50Kg真空感应 炉内冶炼，浇铸成c))150inmx500mm的圆柱形铸坯。将铸坯置于高温电阻炉内，加热至1200°C 保温2h后，在实验室—50轧机上经8道次轧制成厚40mm的热轧板坯，空冷至室温，使之 具有铁素体/珠光体组织。将热轧板坯加热至50(TC保温1.5h后，在巾300轧机上经6道次轧制， 累计压下量80%，获得厚度为8mm的温轧板坯。将温轧板坯利用车床及线切割加工成帕xl2mm的圆柱形热模拟试样，然后置于 Gleeble1500热-力模拟试验机中，以20°C/S的速度加热至800'C后以O.ls"的应变速率变形55 %，变形方向垂直于温轧轧制方向；随后以10(TC/s的速度升温至90(TC，保温本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微米和亚微米级奥氏体晶材的制备方法，具体包括以下步骤：（１）设定低碳钢的化学组成成分并冶炼，浇铸成铸坯；然后轧制成热轧板坯，空冷至室温；（２）将空冷后的热轧板坯加热至５００℃保温１～２ｈ后，进行５～１０道次轧制，累计压下量为７０％～９０％，获得温轧板坯；（３）利用温轧板坯加工热模拟试样，通过热－力模拟试验机以２０～１００℃／ｓ的速度加热至７００～８００℃，沿垂直温轧轧制方向或平行温轧轧制方向变形３２％～８０％，之后升温至９００℃，保温１ｓ，获得奥氏体晶粒。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杜林秀，姚圣杰，刘相华，王国栋，
申请(专利权)人：东北大学，
类型：发明
国别省市：89[中国|沈阳]