一种新型磁流体-压电薄膜结构器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种新型的磁流体‑压电薄膜结构器件及其制造方法，本发明专利技术的器件包括压电三明治结构及磁流体层，压电三明治结构包括压电薄膜层和设置在压电薄膜层上、下表面的上电极层和下电极层，上电极层和下电极层之间设有引线（未示出）；磁流体层位于上电极层之上。本发明专利技术的器件磁场传感器灵敏度高，工作稳定性好，抗干扰能力强，无线无源，避免了长期工作状态下探头失效难以维修的问题。

A new type of magnetic fluid piezoelectric thin film structure and its manufacturing method

The invention discloses a novel magnetohydrodynamic piezoelectric thin film structure device and a manufacturing method. The device comprises a piezoelectric sandwich structure and a magnetohydrodynamic layer. The piezoelectric sandwich structure includes a piezoelectric film layer and an upper electrode layer and a lower electrode layer arranged on a piezoelectric film layer, the lower surface, the upper electrode layer and the lower electrode layer. There is a lead between them (not shown); the magnetohydrodynamic layer is above the upper electrode layer. The magnetic field sensor of the device has high sensitivity, good working stability, strong anti-interference ability and wireless passivity, which avoids the problem that the probe failure is difficult to be repaired in the long working state.

【技术实现步骤摘要】
一种新型磁流体-压电薄膜结构器件及其制造方法
本专利技术属于微电子机械系统(MEMS)领域，特别涉及到一种新型磁流体-压电薄膜结构器件及其制造方法。
技术介绍
伴随着现代无线通讯技术的迅速发展，对工作在射频波段的通讯器件提出了更高的要求：微型化、集成化、低功耗、低成本，以及高性能。基于微机电系统技术的压电薄膜体声波谐振器FBAR(Film-bulk-acoustic-resonator)在过去20多年间得到了飞速的发展。同时，也成功地带动了FBAR谐振器的另一应用领域——传感器件的发展。对于传感器件应用，外部化学或物理敏感薄膜通常被涂覆在谐振器的顶部，构成的层状压电薄膜传感装置，利用谐振频率的微小变化可以测量微小物质的质量，也可以测定生物分子薄膜的粘弹特性，或者蛋白质吸附层的有关性质，还可用于加速度、力、角速度传感器等其他器件。含有磁性和铁电或压电层的层状磁电结构传感器件在最近几年引起了人们的广泛注意。磁流体是一种新型纳米功能材料，它兼有磁性物质和流体特性，被认为是一种“智能”流体，其粘弹性特性可以通过改变磁场强度来控制。这种独特的性能吸引了越来越多的研究人员在传感器件领域研究其理论本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型磁流体‑压电薄膜结构器件，其特征在于：所述结构器件包括压电三明治结构及磁流体层（6），所述压电三明治结构包括压电薄膜层（4）和设置在所述的压电薄膜层（4）上、下表面的上电极层（5）和下电极层（3），上电极层（5）和下电极层（3）之间设有引线（未示出）；所述磁流体层（6）位于所述上电极层（5）之上。

【技术特征摘要】
1.一种新型磁流体-压电薄膜结构器件，其特征在于：所述结构器件包括压电三明治结构及磁流体层（6），所述压电三明治结构包括压电薄膜层（4）和设置在所述的压电薄膜层（4）上、下表面的上电极层（5）和下电极层（3），上电极层（5）和下电极层（3）之间设有引线（未示出）；所述磁流体层（6）位于所述上电极层（5）之上。2.根据权利要求1所述的新型磁流体-压电薄膜结构器件，其特征在于：所述结构器件还包括衬底层（1）和支撑层（2），所述衬底层（1）位于所述压电三明治结构底部，所述支撑层（1）位于所述衬底层（1）之上，覆盖于所述衬底层（1）的上表面及所述磁流体层（6）四周。3.根据权利要求2所述的新型磁流体-压电薄膜结构器件，其特征在于：所述衬底层为硅衬底层，所述支撑层为二氧化硅支撑层。4.根据权利要求1所述的新型磁流体-压电薄膜结构器件，其特征在于：所述压电薄膜层为AlN薄膜层或ZnO薄膜层。5.根据权利要求4所述的新型磁流体-压电薄膜结构器件，其特征在于：所述压电薄膜层为平行c轴取向的ZnO薄膜层。6.根据权利要求1所述的新...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘敬，李向阳，
申请(专利权)人：宁波大红鹰学院，
类型：发明
国别省市：浙江,33