一体化氢气传感器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种一体化氢气传感器，包括氢敏薄膜芯片、恒温控制电路和信号处理电路，所述氢敏薄膜芯片、恒温控制电路和信号处理电路集成在同一基片上。本发明专利技术还公开了一种一体化氢气传感器的制作方法，包括步骤：S01、在基片上烧印连线、隔离层、电阻及焊盘；S02、将恒温控制电路、信号处理电路中的半导体芯片和氢敏薄膜芯片粘贴在基片预留位置；S03、将芯片焊盘和基片焊盘对应位置进行焊接引线；S04、将恒温控制电路、信号处理电路中的电容焊接在指定的位置上；S05、调试，调整各电阻和电容的参数；S06、进行性能测试，在氢敏薄膜芯片处粘贴导气管。本发明专利技术的一体化氢气传感器及其制作方法具有体积小、成本低、可靠性高等优点。

Integrated hydrogen sensor and its fabrication method

The invention discloses an integrated hydrogen sensor, including the hydrogen sensitive film chip, the thermostatic control circuit and the signal processing circuit. The hydrogen sensitive film chip, the constant temperature control circuit and the signal processing circuit are integrated on the same substrate. The invention also discloses a method for making an integrated hydrogen sensor, including steps: S01, burning the printing wire on the substrate, isolating layer, resistance and welding disc; S02, bonding the thermostatic control circuit, the semiconductor chip in the signal processing circuit and the hydrogen sensitive film chip in the substrate reservation position; S03, the chip welding plate and the substrate. The welding disks correspond to the welding lead position; S04, the constant temperature control circuit and the capacitance in the signal processing circuit are welded in the specified position; S05, debug, adjust the parameters of the resistance and capacitance; S06, performance test, paste the trachea at the hydrogen sensitive film chip. The integrated hydrogen sensor and its manufacturing method have the advantages of small volume, low cost and high reliability.

【技术实现步骤摘要】
一体化氢气传感器及其制作方法
本专利技术主要涉及氢气检测
，特指一种一体化氢气传感器及其制作方法。
技术介绍
根据工作原理的不同，氢气传感器可分为催化燃烧型、热导型、电化学、电阻型以及功能函数型等几种市场化应用的产品类型。但是，伴随着氢能源技术的发展，传统的氢气传感器技术已经很难适应目前和未来氢气测量的需要，对包括选择性、环境适应性、寿命、响应时间、稳定性、功耗等技术性能提出了更高的要求。相比其它原理的氢气传感器，被称为第三代传感器的电阻型薄膜氢气传感器具有精度高、响应时间短、寿命长、环境适应性强、氢气专一性好等优点，占据目前氢气传感器的高端市场，主要应用在武器装备、核电站、石油、化工及电力等相关领域。钯合金薄膜电阻型氢气传感器是目前技术最为成熟的一种电阻型薄膜氢气传感器，其原理是利用钯薄膜对氢气的催化分解作用，使得氢气分子分解为氢原子，扩散溶解至钯薄膜晶格中，造成钯薄膜电阻率的改变，通过检测薄膜电阻的变化即可达到检测氢气浓度的目的。但是钯合金电阻阻值随温度增加明显增大，要使氢气传感器可靠稳定工作，需对氢敏电阻11进行温度控制或者补偿，消除环境温度变化对氢气传感器精度的影响。目本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种一体化氢气传感器，包括氢敏薄膜芯片（1）、恒温控制电路（2）和信号处理电路（3），其特征在于，所述氢敏薄膜芯片（1）、恒温控制电路（2）和信号处理电路（3）集成在同一基片（5）上。

【技术特征摘要】
1.一种一体化氢气传感器，包括氢敏薄膜芯片（1）、恒温控制电路（2）和信号处理电路（3），其特征在于，所述氢敏薄膜芯片（1）、恒温控制电路（2）和信号处理电路（3）集成在同一基片（5）上。2.根据权利要求1所述的一体化氢气传感器，其特征在于，所述基片（5）为Al2O3陶瓷基片。3.根据权利要求1所述的一体化氢气传感器，其特征在于，所述氢敏薄膜芯片（1）布置在所述基片（5）的中部，所述恒温控制电路（2）和信号处理电路（3）分别位于所述氢敏薄膜芯片（1）的两侧。4.一种基于如权利要求1至3中任意一项所述的一体化氢气传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S01、在基片（5）上烧印连线、隔离层、电阻及焊盘；S02、将恒温控制电路（2）、信号处理电路（3）中的半导体芯片和氢敏薄膜芯片（1）粘贴在基片（5）预留位置，并进行烘胶处理；S03、将芯片焊盘和基片（5）焊盘对应位置进行焊接引线，实现电气连接；S04、将恒...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘又清，金忠，谢锋，何迎辉，曹勇全，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：发明
国别省市：湖南,43