纳米级气敏传感器的形成方法技术

本申请提供一种纳米级气敏传感器的形成方法，包括：对第三气敏层进行回刻蚀，使得第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层环绕电隔离层；形成覆盖第一介质层、第二气敏层和第三气敏层的第三介质层；在第三介质层上形成掩膜，刻蚀第三介质层和第一介质层直至暴露出衬底；侧向刻蚀去除位于第一气敏层下方的第一介质层，使得第一气敏层悬空；形成开口；在开口内填充第四介质层；侧向回刻蚀第三介质层和第一介质层，露出第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层；形成环包第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层的第一导电层。本申请的形成方法与集成电路工艺兼容。

【技术实现步骤摘要】
纳米级气敏传感器的形成方法
本专利技术涉及纳米气敏领域，特别涉及一种纳米级气敏传感器的形成方法。
技术介绍
由于纳米微粒的小尺寸效应、表面效应、量子尺寸效应和量子隧道效应等使得它们在磁、光、电、敏感性等方面呈现常规材料不具备的特性，因此其在电子材料、光学材料、催化、传感、陶瓷增韧等方面都有着广阔的应用前景。但是，随着社会进步和科技发展，用户对传感器的要求也越来越高，现有的纳米气敏传感器的灵敏度已经无法满足需求，且现有的纳米传感器制造较落后，因此，亟待一种新型的纳米级气敏传感器和形成方法。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种与集成电路工艺兼容的纳米级气敏传感器的形成方法且纳米气敏传感器灵敏度高。本专利技术提供一种纳米级气敏传感器的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成第一介质层；在所述第一介质层表面形成第一气敏层；在所述第一气敏层表面形成第二介质层；在所述第二介质层内形成暴露出第一气敏层的沟槽；在所述沟槽的底部和侧壁形成第一隔离层；在第一隔离层表面形成填充满沟槽且与第二介质层齐平的加热层；在加热层和第一隔离层表面形成第二隔离层，所述第一隔离层和第二隔离层构成环绕加热层的电隔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米级气敏传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成第一介质层；在所述第一介质层表面形成第一气敏层；在所述第一气敏层表面形成第二介质层；在所述第二介质层内形成暴露出第一气敏层的沟槽；在所述沟槽的底部和侧壁形成第一隔离层；在第一隔离层表面形成填充满沟槽且与第二介质层齐平的加热层；在加热层和第一隔离层表面形成第二隔离层，所述第一隔离层和第二隔离层构成环绕加热层的电隔离层；形成覆盖第二介质层和第二隔离层的第二气敏层；在第二气敏层表面形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形与电隔离层对应，以所述第一光刻胶图形为掩膜，刻蚀第二气敏层、第二介质层和第一气敏层，直至暴露出第一介质层；...

【技术特征摘要】
1.一种纳米级气敏传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成第一介质层；在所述第一介质层表面形成第一气敏层；在所述第一气敏层表面形成第二介质层；在所述第二介质层内形成暴露出第一气敏层的沟槽；在所述沟槽的底部和侧壁形成第一隔离层；在第一隔离层表面形成填充满沟槽且与第二介质层齐平的加热层；在加热层和第一隔离层表面形成第二隔离层，所述第一隔离层和第二隔离层构成环绕加热层的电隔离层；形成覆盖第二介质层和第二隔离层的第二气敏层；在第二气敏层表面形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形与电隔离层对应，以所述第一光刻胶图形为掩膜，刻蚀第二气敏层、第二介质层和第一气敏层，直至暴露出第一介质层；去除第一光刻胶图形；在第二气敏层和第一介质层上沉积第三气敏层；对第三气敏层进行回刻蚀，使得第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层环绕电隔离层；形成覆盖第一介质层、第二气敏层和第三气敏层的第三介质层；在第三介质层上形成掩膜，刻蚀第三介质层和第一介质层直至暴露出衬底；侧向刻蚀去除位于第一气敏层下方的第一介质层，使得第一气敏层悬空；沿加热层的长度方向回刻蚀部分长度的加热层，形成开口；在开口内填充第四介质层；侧向回刻蚀第三介质层和第一介质层，露出第一气敏层、第二气敏层和第三气...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨勇，梁艳，俞挺，徐铿，崔澳，许科宏，卢勇治，杨用龙，袁彩雷，
申请(专利权)人：江西师范大学，
类型：发明
国别省市：江西,36