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纳米级气敏传感器的形成方法技术
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下载纳米级气敏传感器的形成方法的技术资料
文档序号:17777780
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本申请提供一种纳米级气敏传感器的形成方法,包括:对第三气敏层进行回刻蚀,使得第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层环绕电隔离层;形成覆盖第一介质层、第二气敏层和第三气敏层的第三介质层;在第三介质层上形成掩膜,刻蚀第三介质层和第一介质层直至暴露出...
该专利属于江西师范大学所有,仅供学习研究参考,未经过江西师范大学授权不得商用。
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