一种嵌入式闪存工艺集成方法技术

本发明专利技术公开了一种嵌入式闪存工艺集成方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括相互隔离的核心器件区、输入/输出器件区以及闪存区，在所述衬底上依次形成第一栅氧化层与绝缘层，对所述绝缘层进行刻蚀，保留所述闪存区内的所述绝缘层，然后对所述衬底进行热处理，之后去除所述核心器件区内的所述第一栅氧化层，在所述核心器件区内的衬底上形成第二栅氧化层。本发明专利技术在刻蚀绝缘层后进行热处理，使绝缘层刻蚀时对第一栅氧化层造成的损伤得到一定的修复，避免后续去除第一栅氧化层时化学物质的侧钻，从而降低输入/输出器件的漏电流。

【技术实现步骤摘要】
一种嵌入式闪存工艺集成方法
本专利技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种嵌入式闪存工艺集成方法。
技术介绍
在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型：模拟电路、数字电路和数/模混合电路，其中存储器件是数字电路中的一个重要类型。近年来，在存储器件中，嵌入式闪存(embeddedflash，Eflash)的发展尤为迅速。嵌入式闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。现有嵌入式闪存工艺集成方法如下大致流程如下：首先，提供一衬底，所述衬底包括相互隔离的核心器件区、输入/输出器件区以及闪存区，在核心器件区、输入/输出器件区以及闪存区分别注入核心器件(Coredevice)、输入/输出器件(I/Odevice)以及闪存(Flash)，上述器件区之间通过浅沟槽隔离结构进行隔离；其次，在所述衬底上形成第一栅氧化层，去除所述闪存区上的第一栅氧化层之后，在所述衬底上形成ONO(Oxide/Nitride/Oxide，氧化物/氮化物/氧化物)绝缘层；再次，保留所述闪存区上的ONO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种嵌入式闪存工艺集成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一衬底，所述衬底包括相互隔离的核心器件区、输入/输出器件区以及闪存区；步骤S02：在所述衬底上依次形成第一栅氧化层与绝缘层；步骤S03：对所述绝缘层进行刻蚀，保留所述闪存区内的所述绝缘层；步骤S04：对所述衬底进行热处理；步骤S05：去除所述核心器件区内的所述第一栅氧化层；步骤S06：在所述核心器件区内的衬底上形成第二栅氧化层。

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式闪存工艺集成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一衬底，所述衬底包括相互隔离的核心器件区、输入/输出器件区以及闪存区；步骤S02：在所述衬底上依次形成第一栅氧化层与绝缘层；步骤S03：对所述绝缘层进行刻蚀，保留所述闪存区内的所述绝缘层；步骤S04：对所述衬底进行热处理；步骤S05：去除所述核心器件区内的所述第一栅氧化层；步骤S06：在所述核心器件区内的衬底上形成第二栅氧化层。2.根据权利要求1所述的嵌入式闪存工艺集成方法，其特征在于，所述核心器件区、输入/输出器件区以及闪存区之间通过浅沟槽隔离结构进行隔离。3.根据权利要求1所述的嵌入式闪存工艺集成方法，其特征在于，在步骤S02中，在形成所述第一栅氧化层之后，形成所述绝缘层之前，所述嵌入式闪存工艺集成方法还包括：去除所述闪存区内的第一栅氧化层。4.根据权利要求3所述的嵌入式闪存工艺集成方法，其特征在于，所述绝缘层包括由氧化物与氮化物组成的多层结构。5.根据权利要求1所述的嵌入式闪存工艺集成方法，其特征在于，在步骤S04中...

【专利技术属性】
技术研发人员：王贺莹，黄冠群，戴树刚，陈广龙，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31