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本发明公开了一种嵌入式闪存工艺集成方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括相互隔离的核心器件区、输入/输出器件区以及闪存区，在所述衬底上依次形成第一栅氧化层与绝缘层，对所述绝缘层进行刻蚀，保留所述闪存区内的所述绝缘层，然后对所述衬底进行热处理，...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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