阻抗电路制造技术

本发明专利技术提供了一种阻抗电路，阻抗电路包括多晶硅电阻器和控制器，多晶硅电阻器具有第一端子和第二端子，控制器提供第一控制电压和第二控制电压，其中该多晶硅电阻器的第一端子和第二端子之间的电阻值根据该第一控制电压和该第二控制电压确定，该第二控制电压不同于该第一控制电压。本发明专利技术提出的阻抗电路可以消除多晶硅电阻器的损耗效应，并使得多晶硅电阻器更加线性和更遵循欧姆定律。

【技术实现步骤摘要】
阻抗电路
本专利技术涉及阻抗电路，特别是涉及阻抗电路以及阻抗电路中的多晶硅电阻器(poly-resistor)。
技术介绍
多晶硅电阻器的特征是片电阻(sheetresistance)值。为了减少芯片尺寸，通常使用高片电阻值的多晶硅电阻器，并且高片电阻值的多晶硅电阻器可以制造在较小的面积中，它们广泛用于各种集成电路。然而，损耗效应(depletioneffect)是以多晶硅作为栅极材料的器件的阈值电压出现不期望的变化，在电子电路中导致不可预知的行为。造成多晶硅电阻器的严重的非线性。因此，需要新颖的解决方案来抑制多晶硅电阻器中不理想的损耗效应。
技术实现思路
本专利技术提供一种阻抗电路，以解决上述问题。本专利技术提供了一种阻抗电路，包括：多晶硅电阻器，具有第一端子和第二端子；以及控制器，提供第一控制电压和第二控制电压，其中该多晶硅电阻器的第一端子和第二端子之间的电阻值根据该第一控制电压和该第二控制电压确定；其中该第二控制电压不同于该第一控制电压。本专利技术提出的阻抗电路可以消除多晶硅电阻器的损耗效应，并使得多晶硅电阻器更加线性和更遵循欧姆定律。在结合附图阅读本专利技术的实施例的以下详细描述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阻抗电路，包括：多晶硅电阻器，具有第一端子和第二端子；以及控制器，提供第一控制电压和第二控制电压；其中该多晶硅电阻器的第一端子和第二端子之间的电阻值根据该第一控制电压和该第二控制电压确定；其中该第二控制电压不同于该第一控制电压。

【技术特征摘要】
2016.10.12 US 62/407,070;2017.09.01 US 15/693,5481.一种阻抗电路，包括：多晶硅电阻器，具有第一端子和第二端子；以及控制器，提供第一控制电压和第二控制电压；其中该多晶硅电阻器的第一端子和第二端子之间的电阻值根据该第一控制电压和该第二控制电压确定；其中该第二控制电压不同于该第一控制电压。2.如权利要求1所述的阻抗电路，其特征在于，该多晶硅电阻器包括：多晶硅层，具有第一端和第二端，其中该多晶硅层的第一端耦接到该多晶硅电阻器的第一端子，该多晶硅层的第二端耦接到该多晶硅电阻器的第二端子；通道层，具有第一端和第二端，其中该通道层的第一端被设置为接收该第一控制电压，该通道层的第二端被设置为接收该第二控制电压；以及绝缘层，设置在该多晶硅层和该通道层之间。3.如权利要求2所述的阻抗电路，其特征在于，该通道层的第一端靠近该多晶硅层的第一端，以及该通道层的第二端靠近该多晶硅层的第二端。4.如权利要求2所述的阻抗电路，其特征在于，该通道层是导电层、半导体层或者另一多晶硅层。5.如权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：温松翰，陈冠达，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71