一种用于电梯井道的对称式可调衰减器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于电梯井道的对称式可调衰减器，包括两个3分贝耦合器、2N个PIN二极管、一个直流偏置网络。两个3分贝耦合器的耦合端连接，两个3分贝耦合器的直通端连接。其中，N个PIN二极管同向并联连接，阴极接地，阳极与3分贝耦合器的耦合端连接；N个PIN二极管同向并联连接，阴极接地，阳极与3分贝耦合器的直通端连接。直流偏置网络连接于PIN二极管的阳极。本实用新型专利技术可以广泛适用于无线通信、雷达等对信号控制要求较高的领域，尤其适用于针对电梯井道内微波通信收发设备进行有效合理的功率电平控制。该对称式可调衰减器，插入损耗小，驻波系数小，达到较好的阻抗匹配，可以改变最大衰减量，增加或减少可调衰减量范围，节约成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及模拟衰减器领域，具体涉及一种用于电梯井道的对称式可调衰减器。
技术介绍
目前，电梯的安全问题是刻不容缓的。为提高电梯的安全保障，需对电梯运行数据进行采集和监测，实现电梯监测系统中轿厢与数据服务器之间的可靠的无线数据传输，这就要求对电梯井道内微波通信收发设备进行有效合理的功率电平控制。可调衰减器广泛应用于无线通讯、雷达等领域，尤其在射频和微波中运用广泛，比如，可用于自动增益控制的电路中，可用于控制收发信机的功率电平。现有技术普遍采用反射型电调衰减器，插入损耗大，衰减时反射能量大，驻波系数大，很难达到良好的阻抗匹配，并且可调衰减量的范围固定，一旦不符合最大衰减量的要求需要重新改制电路板，费时费力，增加研发成本。
技术实现思路
为解决衰减器插入损耗大，衰减时反射能量大，驻波系数大，很难达到良好的阻抗匹配，并且最大可调衰减量的范围固定的技术问题，本技术提出了一种用于电梯井道的对称式可调衰减器。为达到上述目的，本技术的技术方案如下：一种用于电梯井道的对称式可调衰减器，包括两个3分贝耦合器、2N个PIN二极管和直流偏置网络，两个3分贝耦合器的耦合端连接，两个3分贝耦合器的直通端连接。N个PIN二极管同向并联连接，阴极接地，阳极与3分贝耦合器的耦合端连接；N个PIN二极管同向并联连接，阴极接地，阳极与3分贝耦合器的直通端连接。直流偏置网络连接于PIN二极管的阳极。直流偏置网络可以为同一个直流偏置电源来控制两组并联的PIN二极管组，也可以为两个直流偏置电源来分别控制两组并联的PIN二极管组。所述3分贝耦合器可以对反射能量进行吸收抵消，实现阻抗匹配。所述PIN二极管的作用是通过改变PIN二极管结阻抗来实现衰减。所述直流偏置网络的作用是提供直流偏置电流来改变PIN二极管的结阻抗。通过上述技术方案，本技术提出的对称式可调衰减器，其有益效果为：插入损耗小，驻波系数小，可以较好的达到阻抗匹配，可以改变最大衰减量，增加或减少可调衰减量范围，节约成本，适用于无线通信等领域。附图说明图1为本技术实施例所公开对称式可调衰减器的结构图。图2为本技术实施例1所公开对称式可调衰减器结构图。图3为本技术实施例1所公开对称式可调衰减器电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。根据图1，本技术提供了一种用于电梯井道的对称式可调衰减器，包括两个3分贝耦合器、2N个PIN二极管、直流偏置网络，两个3分贝耦合器的耦合端连接，两个3分贝耦合器的直通端连接。N个PIN二极管同向并联连接，阴极接地，阳极与3分贝耦合器的耦合端连接；N个PIN二极管同向并联连接，阴极接地，阳极与3分贝耦合器的直通端连接。直流偏置网络连接于PIN二极管的阳极。直流偏置网络可以为同一个直流偏置电源来控制两组并联的PIN二极管组，也可以为两个直流偏置电源来分别控制两组并联的PIN二极管组。所述3分贝耦合器可以对反射能量进行吸收抵消，实现阻抗匹配。所述PIN二极管的作用是通过改变PIN二极管结阻抗来实现衰减。所述直流偏置网络的作用是提供直流偏置电流来改变PIN二极管的结阻抗。工作原理是：PIN二极管的阻抗是随着直流偏置电流的变化而变化，较难达到良好的阻抗匹配，信号通过对称式可调衰减器输入，反射的信号由50欧姆的负载吸收，回波损耗减小，驻波系数变小。插入损耗减小，并且根据改变PIN二极管的个数N，可以较容易改变最大衰减量，省时省力，节约成本。下面结合实施例和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。根据图2的实施例1， 本技术提供了一种用于电梯井道的对称式可调衰减器，N=3，包括3分贝耦合器Couple1、3分贝耦合器Couple2； PIN二极管D1、PIN二极管D2、PIN二极管D3、PIN二极管D4、PIN二极管D5、PIN二极管D6；直流偏置网络A1。3分贝耦合器Couple1的耦合端和3分贝耦合器Couple2的耦合端连接，3分贝耦合器Couple1的直通端和3分贝耦合器Couple2的直通端连接。3个PIN二极管同向并联连接，阴极接地，阳极与3分贝耦合器的耦合端连接；3个PIN二极管同向并联连接，阴极接地，阳极与3分贝耦合器的直通端连接。直流偏置网络连接于PIN二极管的阳极。3分贝耦合器couple1和3分贝耦合器couple2可以对反射能量进行吸收抵消，实现阻抗匹配。PIN二极管的作用是通过改变PIN二极管结阻抗来实现衰减。直流偏置网络的作用是通过直流偏置电流来改变PIN二极管的结阻抗。3分贝耦合器可以是3分贝Lange耦合器也可以是3分贝定向耦合器。根据图3，本技术具体实施方式如下：3分贝耦合器Couple1耦合端ou和3分贝耦合器Couple2的耦合端ou通过连接线11连接，3分贝耦合器Couple1的直通端dir和3分贝耦合器Couple2的直通端dir通过连接线22连接。PIN二极管D1、PIN二极管D2与PIN二极管D3同向并联连接，阴极接地，阳极连接在连接线11上；PIN二极管D4、PIN二极管D5与PIN二极管D6同向并联连接，阴极接地，阳极连接在连接线22上。直流偏置网络连接于PIN二极管D1、PIN二极管D2、PIN二极管D3、PIN二极管D4、PIN二极管D5、PIN二极管D6的阳极。信号从3分贝耦合器Couple1的输入端in输入，从3分贝耦合器Couple2的隔离段iso输出。3分贝耦合器Couple1的隔离端iso接50欧姆负载到地，3分贝耦合器Couple2的直通端dir接50欧姆负载到地。直流偏置电源Vcc通过电感L1对PIN二极管D1、PIN二极管D2、PIN二极管D3提供可变电流。直流偏置电源Vcc通过电感L2对PIN二极管D1、PIN二极管D2、PIN二极管D3提供可变电流。直流电压Vcc接电容C到地。根据实验得出结果:插入损耗=1.7 dB,回波损耗=23dB,最大衰减量=30dB。根据同样的原理，改变二极管的个数，使得2N=8，得到的实验结果如下：插入损耗=1.6 dB,回波损耗=20dB,最大衰减量=34dB。本技术根据相同的原理,在此也不作特别的限制，对于不同取值的N同样都属于本技术的保护范围。在此不再赘述。从以上采用本技术的一种用于电梯井道的对称式可调衰减器，插入损耗小，驻波系数小，可以较好的达到阻抗匹配，可以改变最大衰减量，增加或减少可调衰减量范围，节约成本，适用于无线通信等领域，尤其适用于针对电梯井道内微波通信收发设备进行有效合理的功率电平控制。以上所述的仅是本技术的2个实施例，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于电梯井道的对称式可调衰减器，包括两个3分贝耦合器、2N个PIN、二极管、直流偏置网络，其特征在于：两个3分贝耦合器的耦合端连接，两个3分贝耦合器的直通端连接；其中，N个PIN二极管同向并联连接，阴极接地，阳极与3分贝耦合器的耦合端连接；N个PIN二极管同向并联连接，阴极接地，阳极与3分贝耦合器的直通端连接；直流偏置网络连接于PIN二极管的阳极。

【技术特征摘要】
1.一种用于电梯井道的对称式可调衰减器，包括两个3分贝耦合器、2N个PIN、二极管、直流偏置网络，其特征在于：两个3分贝耦合器的耦合端连接，两个3分贝耦合器的直通端连接；其中，N个PIN二极管同向并联连接，阴极接地，阳极与3分贝耦合器的耦合端连接；N个PIN二极管同向并联连接，阴极接地，阳极与3分贝耦合器的直通端连接；直流偏置网络连接于PIN二极管的阳极。2.根据权利要求1所述的一种用于电梯井道的对称式可调衰减器，其特征在于3分贝耦合器为3分贝Lange耦合器。3.根据权利要求1所述的一种用于电梯井道的对称式可调衰减器，其特征在于3分贝耦合器为3分贝定向耦合器。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：程维维，李伟铭，曾金凤，魏可情，吴泉鑫，甘露，朱佳，林云斌，王甘泉，张成洲，唐雪梅，
申请(专利权)人：温州墨熵微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33