一种新型低损耗射频微带结构制作方法技术

本发明专利技术提供了一种新型低损耗射频微带结构制作方法，应用于射频微波集成电路领域。本方法采用高阻硅和钛/镍/银的材料体系实现射频微带结构。该材料体系能满足制造过程与IC工艺的兼容从而大大降低了批量生产的成本，并缩短了生产周期。同时引入钝化层可以有效防止银的电迁移。而且银在该材料体系中比金和铜具有更低电阻率，使微带结构具有更小的传输损耗，即器件具有更小的插入损耗，从而提高了器件射频性能。

【技术实现步骤摘要】
一种新型低损耗射频微带结构制作方法
本专利技术涉及射频微波集成电路领域，尤其涉及一种一种新型低损耗射频微带结构制作方法。
技术介绍
随着现代微波集成电路运算速度的提高和其特征尺寸的减小，延迟、串扰和信号变形越来越明显，传输线的研究在现代微波集成电路设计中具有十分重要的意义。作为微波混合集成电路和微波单片集成电路基础的微带线，因具有体积小、重量轻、使用频率宽、可靠性高、制造成本低以及容易实现微带电路的小型化和集成化的特点，成为研究热点之一。传统射频微带结构基本采用在陶瓷基板上丝网印刷金线或铜线形成。但该技术所用的材料价格相当昂贵，制造过程也相对复杂。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提供了一种新型低损耗射频微带结构制作方法，应用于射频微波集成电路领域，其特征在于，提供一硅基底，包括以下步骤：步骤S1、对所述硅基底表面进行表面预处理；步骤S2、在所述硅基底正面表面形成一第一掩膜层，图案化所述第一掩膜层，形成工艺窗口；步骤S3、在所述第一掩膜层表面和所述硅基底表面形成一金属叠层；步骤S4、去除所述第一掩膜层；步骤S5、在所述金属叠层表面和所述硅基底表面形成一钝化层；随后，在所述钝化层表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型低损耗射频微带结构制作方法，应用于射频微波集成电路领域，其特征在于，提供一硅基底，包括以下步骤：步骤S1、对所述硅基底表面进行表面预处理；步骤S2、在所述硅基底正面表面形成一第一掩膜层，图案化所述第一掩膜层，形成工艺窗口；步骤S3、在所述第一掩膜层表面和所述硅基底表面形成一金属叠层；步骤S4、去除所述第一掩膜层；步骤S5、在所述金属叠层表面和所述硅基底表面形成一钝化层；随后，在所述钝化层表面形成一第二掩膜层，图案化所述第二掩膜层，在所述金属叠层作为焊盘的位置形成工艺窗口；步骤S6、通过所述第二掩膜层对所述钝化层进行刻蚀，露出所述金属叠层；随后，去除所述第二掩膜层；步骤S7、对所述硅基底...

【技术特征摘要】
1.一种新型低损耗射频微带结构制作方法，应用于射频微波集成电路领域，其特征在于，提供一硅基底，包括以下步骤：步骤S1、对所述硅基底表面进行表面预处理；步骤S2、在所述硅基底正面表面形成一第一掩膜层，图案化所述第一掩膜层，形成工艺窗口；步骤S3、在所述第一掩膜层表面和所述硅基底表面形成一金属叠层；步骤S4、去除所述第一掩膜层；步骤S5、在所述金属叠层表面和所述硅基底表面形成一钝化层；随后，在所述钝化层表面形成一第二掩膜层，图案化所述第二掩膜层，在所述金属叠层作为焊盘的位置形成工艺窗口；步骤S6、通过所述第二掩膜层对所述钝化层进行刻蚀，露出所述金属叠层；随后，去除所述第二掩膜层；步骤S7、对所述硅基底反面进行减薄处理；步骤S8、在减薄后的所述硅基底反面形成一金属层。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S1中所述表面预处理方式为使用盐酸或H2SO4+H2O2的混合溶液对所述硅基底表面进行清洗。3.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李君儒，吉涛，
申请(专利权)人：中航重庆微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆,50