电阻式衰减器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种电阻式衰减器，包括：介质层，其上设有电阻层及均为微带线结构的第一导体层、第二导体层、第三导体层及第四导体层。电阻层表面包括沿第一方向依次分布且相通的第一电阻区域、第二电阻区域、第三电阻区域，第一电阻区域与第三电阻区域对应的电阻值相同。第一导体层、第四导体层用于接地，且分别与电阻层中位于第一电阻区域、第三电阻区域的结构连接。第二导体层、第三导体层用于传输信号并沿第二方向排列，且分别与电阻层中位于第二电阻区域结构的沿第二方向相对的两侧连接，第二方向与第一方向垂直。该电阻式衰减器相当于对称电阻式衰减器，且只采用一个电阻，从而减小了高频下的寄生效应，提高了衰减精度。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及衰减器
，特别是涉及一种电阻式衰减器。
技术介绍
衰减器是功率增益控制元件，可以分为有源衰减器和无源衰减器。对于需要大动态范围的微波信号测量仪器，衰减器可以用于降低信号输入电平、保护测量电路及改善匹配特性的作用，另外衰减器也可用于微波收发结构中，以对信号的输入输出功率进行调整。其中，电阻式衰减器是通过对信号功率进行吸收从而达到调节信号电平幅度的无源衰减器，由于其采用与频率无关的电阻网络实现，有极大的带宽，具有易于与有源电路集成、可靠性高、易使用及设计灵活的特点，因此被广泛应用于微波信号测量领域和微波收发机领域。经典的电阻式衰减器的电路拓扑结构可以分为π型和T型两种，参照图1(a)和图1(b)所示。经过理论计算，可以获得理想匹配的对称电阻式衰减器。直观的电阻式衰减器的实现方法是按照电路拓扑结构直接将集总电阻接入电路中，即可获得所需设计。在微带电路中，集总电阻可以使用SMD(SurfaceMountedDevices，表面贴装器件)等封装的定值电阻元件实现；在单片式的定值电阻式衰减器中，可以使用薄膜或厚膜工艺，通过调整电阻材料的长宽比和方阻值获得集总电阻。然而，由于使用SMD等封装方法的集总电阻有较大的寄生，导致所构成的电阻式衰减器在高频(尤其是≥10GHz)时表现较差。对于单片式的定值电阻式衰减器，在所用薄膜电阻方阻确定的情况下，集总电阻的阻值由长宽比确定，在不同的衰减值情况下，两个电阻RS和RP的比例有可能达到数十乃至上百倍，意味着长宽比的比例也会达到数十乃至上百倍，从而严重影响性能，使得衰减精度较低。
技术实现思路
基于此，有必要针对如何改善传统电阻式衰减器衰减精度较低的问题，提供一种电阻式衰减器。一种电阻式衰减器，包括：介质层；所述介质层上设有电阻层及均为微带线结构的第一导体层、第二导体层、第三导体层及第四导体层；所述电阻层表面包括沿第一方向依次分布且相通的第一电阻区域、第二电阻区域、第三电阻区域，所述第一电阻区域与所述第三电阻区域对应的电阻值相同；所述第一导体层、第四导体层用于接地，且分别与所述电阻层中位于所述第一电阻区域、第三电阻区域的结构连接；所述第二导体层、第三导体层用于传输信号并沿第二方向排列，且分别与所述电阻层中位于所述第二电阻区域的结构的沿所述第二方向相对的两侧连接；其中，所述第二方向与所述第一方向垂直。在其中一个实施例中，所述第二导体层与所述第三导体层的形状及厚度均相同。在其中一个实施例中，所述第一导体层的延伸方向与所述第一方向垂直。在其中一个实施例中，所述第四导体层的延伸方向与所述第一方向垂直。在其中一个实施例中，所述第一导体层与所述第四导体层的形状及厚度均相同。在其中一个实施例中，所述第一导体层、第二导体层、第三导体层及第四导体层的材料均为金属。在其中一个实施例中，所述电阻层的形状为矩形。上述电阻式衰减器具有的有益效果为：该电阻式衰减器中，电阻层表面包括沿第一方向依次分布且相通的第一电阻区域、第二电阻区域、第三电阻区域。第一导体层、第四导体层用于接地，且分别与电阻层中位于第一电阻区域、第三电阻区域的结构连接，即电阻层的两端可以通过第一导体层、第四导体层接地。另外，第二导体层、第三导体层用于传输信号并沿第二方向排列，且分别与电阻层中位于第二电阻区域的结构的沿第二方向相对的两侧连接，因此，电阻层可以通过第二导体层、第三导体层来传输信号。再加上第一电阻区域与第三电阻区域对应的电阻值相同，因此该电阻式衰减器通过一个电阻层及四个导体层相当于构成了一个对称电阻式衰减器，由于只采用一个电阻，即电阻层，因此减小了电阻的数量，从而减小了高频下的寄生效应，提高了衰减精度。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他实施例的附图。图1(a)、图1(b)分别为π型电阻式衰减器、T型电阻式衰减器的电路图；图2为一实施例提供的电阻式衰减器的结构示意图；图3为图2所示实施例的电阻式衰减器的正面示意图；图4为图2所示实施例的电阻式衰减器的其中一种仿真结果图。具体实施方式为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。在一实施例中，提供了一种电阻式衰减器，如图2所示。该电阻式衰减器包括介质层100、电阻层200、第一导体层300、第二导体层400、第三导体层500及第四导体层600。其中，介质层100为衬底，其可以选用介电常数高、微波损耗低的材料，例如氧化铝陶瓷。电阻层200相当于一个电阻，能够吸收信号功率，其设置于介质层100上。电阻层200例如可以为薄膜电阻。本实施例中，电阻层200表面包括沿第一方向a依次分布且相通的第一电阻区域210、第二电阻区域220、第三电阻区域230，且第一电阻区域210与第三电阻区域230对应的电阻值相同，即电阻层200中位于第一电阻区域210的结构的电阻与位于第三电阻区域230的结构的电阻相同。具体的，电阻层200中位于第一电阻区域210、第三电阻区域230这两个区域的结构可以形状及厚度均相同，从而使得这两个区域对应的电阻值相同。第一导体层300、第二导体层400、第三导体层500及第四导体层600均能够导电，且均为微带线结构。其中，微带线结构是指由支在介质基片上的单一导体带构成的微波传输线。本实施例中，介质基片是指介质层100。第一导体层300、第二导体层400、第三导体层500、第四导体层600分别为单一导体带，其材料例如可以为金属或其他导电材料。其中，第一导体层300、第四导体层600用于接地，因此第一导体层300及第四导体层600相当于地线。另外，第一导体层300、第四导体层600分别与电阻层200中位于第一电阻区域210、第三电阻区域230的结构连接。换言之，第一导体层300、第四导体层600相当于分别与电阻层200沿第一方向a相对的两端连接，从而使得电阻层200能够通过第一导体层300、第四导体层600接地。第二导体层400、第三导体层500用于传输信号并沿第二方向b排列，且第二方向b与第一方向a垂直。换言之，第二导体层400、第三导体层500相当于信号线，且第二导体层400、第三导体层500排列构成的直线与第一电阻区域210、第二电阻区域220、第三电阻区域230排列构成的直线垂直。另外，第二导体层400、第三导体层500分别与电阻层200中位于第二电阻区域220的结构的沿第二方向b相对的两侧连接。换言之，第二导体层400、第三导体层500相当本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻式衰减器，其特征在于，包括：介质层；所述介质层上设有电阻层及均为微带线结构的第一导体层、第二导体层、第三导体层及第四导体层；所述电阻层表面包括沿第一方向依次分布且相通的第一电阻区域、第二电阻区域、第三电阻区域，所述第一电阻区域与所述第三电阻区域对应的电阻值相同；所述第一导体层、第四导体层用于接地，且分别与所述电阻层中位于所述第一电阻区域、第三电阻区域的结构连接；所述第二导体层、第三导体层用于传输信号并沿第二方向排列，且分别与所述电阻层中位于所述第二电阻区域的结构的沿所述第二方向相对的两侧连接；其中，所述第二方向与所述第一方向垂直。

【技术特征摘要】
1.一种电阻式衰减器，其特征在于，包括：介质层；所述介质层上设有电阻层及均为微带线结构的第一导体层、第二导体层、第三导体层及第四导体层；所述电阻层表面包括沿第一方向依次分布且相通的第一电阻区域、第二电阻区域、第三电阻区域，所述第一电阻区域与所述第三电阻区域对应的电阻值相同；所述第一导体层、第四导体层用于接地，且分别与所述电阻层中位于所述第一电阻区域、第三电阻区域的结构连接；所述第二导体层、第三导体层用于传输信号并沿第二方向排列，且分别与所述电阻层中位于所述第二电阻区域的结构的沿所述第二方向相对的两侧连接；其中，所述第二方向与所述第一方向垂直。2.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永康，高琳，丁庆，
申请(专利权)人：深圳市华讯方舟微电子科技有限公司，华讯方舟科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44