一种高精度的高阶曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构制造技术

本发明专利技术公开了一种高精度的高阶曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构，包括运算放大电路(103)，改进电路精度大小的电路(101)，一阶补偿带隙电路(100)，高阶补偿带隙电路(102)。其中，一阶补偿带隙电路(100)用来产生一个正常工作的基准电压，得到具有一阶温度补偿的电流值，高阶补偿带隙电路(102)，利用VBE的线性项进行温度补偿，得到一个高阶的温度补偿值；精度改进电路(101)，通过调节失调电压的大小，从而改变N值增大了电流正比于面积反比之间的积，减小了失调电压的影响，得到一个高精度的高阶曲率补偿的带隙基准电流值。该发明专利技术与普通的带隙电路相比具有拥有着很大的区别，补偿后的电路的温度和失调电压大小、精度等特性得到了很大的改良。

【技术实现步骤摘要】
一种高精度的高阶曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构
本专利技术涉及一种高精度的高阶曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构，其中涉及了一阶补偿带隙电路(100)，高阶补偿带隙电路(102)，改进电路精度大小的电路(101)，运算放大器电路(103)，属于模拟集成电路设计与集成系统领域。
技术介绍
进入现代科技以来，模拟集成电路设计已经成为人们日常生活中的重要组成部分。在集成电路工艺水平不断地增高之时，高阶曲率补偿，高精度等性能是要实现的，为了使产品更优秀，更能适应市场的新要求，模拟IC设计者们普遍认为提高曲率补偿与精度是一种高效的必须的用来提高电路整体水平的方法，而且对电路的只有微小的影响，虽然说精度不高的电路可以暂时满足要求，但是高阶的曲率补偿也逐渐的被工程师们所要求。同时由于对电路功能以及准确性的有着更高的要求，所以电路的高阶补偿与精度就显得特别重要。
技术实现思路
要本专利技术的目的在与克服现有技术的不足，提供了一种高精度的高阶曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构，在原有的基础上同时提升了电路的精度与曲率补偿的阶数，并且采用电流模基准，使得电路可以自由的控制输出电流的大小从而不需要加入缓冲本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高精度的高阶曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构，其主要结构包括基本的带隙电路结构(104)，一阶补偿带隙电路(100)，高阶补偿带隙电路(102)，改进电路精度大小的电路(101)，运算放大器电路(103)，其中：基本的带隙电路结构(104)：产生一个正常工作的基准电压；此条件用于接收一阶补偿电路，传输利用改变的电压值所产生的正温度系数电压，得到具有正温度系数的补偿电流；利用器件本身所具有负温度系数的补偿电流，输出两个相加的值对产生的带隙电流进行温度补偿，利用精度改进电路，得到一个一阶温度补偿的高精度的带隙电流，发送给高阶补偿带隙电路模块，之后得到一个高精度的高阶曲率补偿的带隙基准电流；运...

【技术特征摘要】
1.一种高精度的高阶曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构，其主要结构包括基本的带隙电路结构(104)，一阶补偿带隙电路(100)，高阶补偿带隙电路(102)，改进电路精度大小的电路(101)，运算放大器电路(103)，其中：基本的带隙电路结构(104)：产生一个正常工作的基准电压；此条件用于接收一阶补偿电路，传输利用改变的电压值所产生的正温度系数电压，得到具有正温度系数的补偿电流；利用器件本身所具有负温度系数的补偿电流，输出两个相加的值对产生的带隙电流进行温度补偿，利用精度改进电路，得到一个一阶温度补偿的高精度的带隙电流，发送给高阶补偿带隙电路模块，之后得到一个高精度的高阶曲率补偿的带隙基准电流；运算放大器电路(103)：使得电路的输入两端获得近似相等的电压；一阶补偿带隙电路(100)：产生一个具有温度补偿的低精度的带隙基准电流源，传输给改进电路精度大小的电路；高精度一阶补偿带隙电路：产生一个具有温度补偿的高精度的带隙基准电流源，传输给改进高阶补偿带隙电路；高精度高阶补偿带隙电路：产生一个具有高阶温度补偿的高精度的带隙基准电流源。2.根据权利要求1所述的一种高精度的高阶曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构，其特征在于改进了运算放大器所产生的失调电压对电路的影响。3.根据权利要求1所述的一种高精度的高阶曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构，其特征在于使用了电流模基准，可自由控制输出大小不需要缓冲器。4.根据权利要求1所述的一种高精度的高阶曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构，其特征在于使用了高阶曲率补偿，忽略了VBE的高阶项对带隙电路的影响。5.根据权利要求1~4之一所述的一种高精度的高阶曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构，其特征在于所述的一阶补偿带隙电路(100)包括PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M5、电阻R1、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R10、BJT管M19、BJT管M20；PMOS管M1源极接电源，栅极与PMOS管M2、M5栅极相连，漏极与电阻R10一端相连，M2源极与电源相连，漏极与电阻R8一端相连，PMOS管M5源极与电源相连，漏极与电阻R6一端相连，电阻R1一端与R7另一端相连，另一端与地相连，电阻R5一端与R8另一端相连，另一端与地相连，电阻R6另一端与地相连，电阻R10另一端与电阻R7相连，BJT管M19基极与地相连，集电极与地相连，发射极与R7另一端相连，BJT管M20基极与地相连，集电极与地相连，发射极与R8...

【专利技术属性】
技术研发人员：任明远，宋博尊，秦梦莹，
申请(专利权)人：哈尔滨理工大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江,23