一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构，其特征是，MEMS芯片的下电极固定在二氧化硅隔离层上，二氧化硅隔离层固定在硅衬底上；MEMS芯片的上电极通过中心锚点结构支撑悬浮在下电极上方；MEMS芯片的硅衬底粘胶或键合固定在陶瓷管壳腔体底面，硅衬底被刻蚀成仅由一中心支撑结构支撑与陶瓷管壳腔体连接。通过在硅衬底上加工出的中心支撑结构将MEMS芯片近似悬浮支撑于封装管壳底面，可以大幅减小MEMS芯片上的封装应力，实现MEMS芯片的低应力封装。该结构无需在硅衬底底部额外增加一层特殊的应力隔离结构层，因此可以保持原封装厚度不变，具有封装工艺简单、不显著增加封装成本，易于实现的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构
本专利技术涉及电子领域，具体涉及一种采用中心支撑的准悬浮式的MEMS电容传感器低应力封装。
技术介绍
MEMS（MicroElectroMechanicalSystem）电容传感器具有体积小、质量轻、功耗低、成本低等优点，应用广泛。MEMS电容传感器通过测量微小敏感结构构成的电容变化来实现相应待测物理量的测量。通常MEMS传感器需封装在一定的结构中，以提供传感器所需的电连接、机械连接和相应的化学环境保护等。金属封装、塑料封装和陶瓷封装是最常见的三种MEMS芯片的封装形式。由于陶瓷封装具有导热性、气密性好的优点，因此陶瓷封装使用的最为广泛。通常陶瓷封装的MEMS传感器的封装结构如图1所示。传统MEMS电容传感器首先加工出MEMS传感器裸芯片100，然后通过粘胶或键合500的方式固定在陶瓷管壳200腔体内。裸芯片上的焊盘与陶瓷管壳腔体内的焊盘通过金属引线300相互连接，实现电信号在管壳内外的相互传输。最后采用可伐合金盖板400密封陶瓷管壳200腔体。然而不论是陶瓷封装还是金属封装亦或是塑料封装，始终存在着封装材料与硅材料的热膨胀系数不同，因此温度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构，其特征是，MEMS芯片的硅衬底粘胶或键合固定在陶瓷管壳腔体底面，硅衬底被刻蚀成仅由一中心支撑结构支撑与陶瓷管壳腔体连接。

【技术特征摘要】
1.一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构，其特征是，MEMS芯片的硅衬底粘胶或键合固定在陶瓷管壳腔体底面，硅衬底被刻蚀成仅由一中心支撑结构支撑与陶瓷管壳腔体连接。2.根据权利要求1所述的一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构，其特征是，MEMS芯片的下电极固定在二氧化硅隔离层上，二氧化硅隔离层固定在硅衬底上；MEMS芯片的上电极通过中心锚点结构支撑悬浮在下电极上方。3.根据权利要求2所述的一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构，其特征是，硅帽键合在上电极所在的硅电极层上，将上电极与下电极密封在MEMS电容传感器的腔体内。4.根据权利要求1所述的一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构，其特征是，所述MEMS芯片的硅衬底通过中心支撑结构和辅助支撑结构粘胶或键合固定在陶瓷管壳腔体底面。5.根据权利要求4所述的一种中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构，其特征是，在所述硅衬底上设置中心支撑结构和辅助支撑结构图形，利用中心支撑结构和辅助支撑结构图形作为掩膜，刻蚀形成设定...

【专利技术属性】
技术研发人员：凤瑞，
申请(专利权)人：北方电子研究院安徽有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34