一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法技术

本发明专利技术公开了一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法，包括如下步骤：首先将超薄晶片放置在真空吸盘的表面，真空吸盘的底部且对应超薄晶片的位置开设有多个抽气孔，在真空吸盘的顶部设置真空系统，真空系统通过对真空吸盘表面的多个抽气孔进行抽真空，使超薄晶片吸附在真空吸盘的底部。本发明专利技术较传统的吸附垫夹持方式，可以大幅增加加工压力，提升抛光效率，并且可以克服传统的双抛、上蜡以及吸附垫夹持加工方式无法达到＜200um的工艺水准，本发明专利技术可以将晶片薄化到＜50um，且保证表面平坦度可达5mm

An ultra thin wafer flatting processing method

The method comprises the following steps: first, the ultra-thin wafer is placed on the surface of the vacuum sucker, the bottom of the vacuum sucker and the position of the ultra-thin wafer are provided with a number of suction holes, the true air system is set at the top of the vacuum sucker, and the vacuum system is sucked through the vacuum suction. A plurality of suction holes on the surface of the disc are vacuumed, so that the ultra thin wafers are adsorbed on the bottom of the vacuum sucker. The invention can greatly increase the processing pressure and improve the polishing efficiency compared with the traditional adsorption cushion clamping method, and can overcome the traditional double throwing, wax and adsorption pad processing methods that can not reach the technical level of < 200um. The invention can thin the wafer to < 50um, and ensure that the surface flatness can reach 5mm.

【技术实现步骤摘要】
一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法
本专利技术涉及晶片抛光
，具体为一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法。
技术介绍
目前国外对于LT薄片加工的方法为双面抛光后进行单面粗化来达到制程应用的需求，但此种工艺需对晶片进行双面抛光加工，加工时间与成本上升许多，且难以保证单面粗化的过程对于晶片另一表面不会造成损伤。国内另有一种现有工法为单面抛光制程，该制程利用上蜡或者吸附垫方式将晶片固定住，然而此作法做出来的晶片平坦度水准较双抛工艺差，常常造成后段黄光微影制程的困扰，致使晶片表现不佳亦或是短路。双抛工艺受限夹治具的刚性强度要求，晶片越往薄化发展代表对应的夹具需要更薄，此时夹具刚性已无法提供稳定的加工保证，其时成品率将大幅降低或者加工成本会大幅上升。使用上蜡将晶片固定的作法也容易因为上下蜡制程普遍需要升温或降温促使身为压电材料的LT发生破碎，尤其是晶片厚度较薄时。使用吸附垫方式将晶片固定的作法也无法将晶片做薄，主要原因为LT晶片材质易碎薄化过程中背面使用软的吸附垫晶片容易造成形变发生碎片。上述的几项传统加工工艺无法达到LT晶片厚度＜200um，且平坦度在5mm2＜0.5um，PLTV＞95％稳定产品品质要求，为此，我们提出一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法，包括如下步骤：首先将超薄晶片放置在真空吸盘的表面，真空吸盘的底部且对应超薄晶片的位置开设有多个抽气孔，在真空吸盘的顶部设置真空系统，真空系统通过对真空吸盘表面的多个抽气孔进行抽真空，使超薄晶片吸附在真空吸盘的底部。优选的，所述真空吸盘材质为陶瓷材料，用以避免研抛时高度的压力、温度对真空吸盘造成形变，确保超薄晶片加工后平坦度精度。优选的，所述真空系统在超薄晶片抛光过程中要持续运行，且真空系统产生的吸附力需大于晶片加工时摩擦所承受的侧向力。优选的，所述真空吸盘的顶部设置有一个真空室，真空系统通过真空室对抽气孔进行抽真空。优选的，所述真空室的顶部设置有气囊，气囊与真空吸盘之间形成真空室，气囊的顶部连通有充气管，真空室的顶部连通有抽气管，气囊通过充气管进行充气，真空系统通过抽气管对真空室进行抽真空。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术较传统的吸附垫夹持方式，可以大幅增加加工压力，提升抛光效率，并且可以克服传统的双抛、上蜡以及吸附垫夹持加工方式无法达到＜200um的工艺水准，使用本案加工方式可以有效将晶片薄化到＜50um，且保证表面平坦度可达5mm2＜0.5um，PLTV＞95％的水准，解决了传统加工工艺无法达到钽酸锂(LiTaO3；LT)晶片厚度＜200um，且平坦度在5mm2＜0.5um，PLTV＞95％稳定产品品质要求的问题。具体实施方式下面对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术提供一种技术方案：一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法，包括如下步骤：首先将超薄晶片放置在真空吸盘的表面，真空吸盘的底部且对应超薄晶片的位置开设有多个抽气孔，在真空吸盘的顶部设置真空系统，真空系统通过对真空吸盘表面的多个抽气孔进行抽真空，使超薄晶片吸附在真空吸盘的底部。实施例一：首先将超薄晶片放置在真空吸盘的表面，真空吸盘的底部且对应超薄晶片的位置开设有多个抽气孔，在真空吸盘的顶部设置真空系统，真空系统通过对真空吸盘表面的多个抽气孔进行抽真空，使超薄晶片吸附在真空吸盘的底部。实施例二：在实施例一中，再加上下述工序：真空吸盘材质为陶瓷材料，用以避免研抛时高度的压力、温度对真空吸盘造成形变，确保超薄晶片加工后平坦度。首先将超薄晶片放置在真空吸盘的表面，真空吸盘的底部且对应超薄晶片的位置开设有多个抽气孔，在真空吸盘的顶部设置真空系统，真空系统通过对真空吸盘表面的多个抽气孔进行抽真空，使超薄晶片吸附在真空吸盘的底部；其中真空吸盘材质为陶瓷材料，用以避免研抛时高度的压力、温度对真空吸盘造成形变，确保超薄晶片加工后平坦度。实施例三：在实施例二中，再加上下述工序：真空系统在超薄晶片抛光过程中要持续运行，且真空系统产生的吸附力需大于晶片加工时摩擦所承受的侧向力。首先将超薄晶片放置在真空吸盘的表面，真空吸盘的底部且对应超薄晶片的位置开设有多个抽气孔，在真空吸盘的顶部设置真空系统，真空系统通过对真空吸盘表面的多个抽气孔进行抽真空，使超薄晶片吸附在真空吸盘的底部；其中真空吸盘材质为陶瓷材料，用以避免研抛时高度的压力、温度对真空吸盘造成形变，确保超薄晶片加工后平坦度精度；真空系统在超薄晶片抛光过程中要持续运行，且真空系统产生的吸附力需大于晶片加工时摩擦所承受的侧向力。实施例四：在实施例三中，再加上下述工序：真空吸盘的顶部设置有一个真空室，真空系统通过真空室对抽气孔进行抽真空。首先将超薄晶片放置在真空吸盘的表面，真空吸盘的底部且对应超薄晶片的位置开设有多个抽气孔，在真空吸盘的顶部设置真空系统，真空系统通过对真空吸盘表面的多个抽气孔进行抽真空，使超薄晶片吸附在真空吸盘的底部；其中真空吸盘材质为陶瓷材料，用以避免研抛时高度的压力、温度对真空吸盘造成形变，确保超薄晶片加工后平坦度精度；真空系统在超薄晶片抛光过程中要持续运行，且真空系统产生的吸附力需大于晶片加工时摩擦所承受的侧向力；真空吸盘的顶部设置有一个真空室，真空系统通过真空室对抽气孔进行抽真空。实施例五：在实施例四中，再加上下述工序：真空室的顶部设置有气囊，气囊与真空吸盘之间形成真空，气囊的顶部连通有充气管，真空室的顶部连通有抽气管，气囊通过充气管进行充气，真空系统通过抽气管对真空室进行抽真空。首先将超薄晶片放置在真空吸盘的表面，真空吸盘的底部且对应超薄晶片的位置开设有多个抽气孔，在真空吸盘的顶部设置真空系统，真空系统通过对真空吸盘表面的多个抽气孔进行抽真空，使超薄晶片吸附在真空吸盘的底部；其中真空吸盘材质为陶瓷材料，用以避免研抛时高度的压力、温度对真空吸盘造成形变，确保超薄晶片加工后平坦度精度；真空系统在超薄晶片抛光过程中要持续运行，且真空系统产生的吸附力需大于晶片加工时摩擦所承受的侧向力；真空吸盘的顶部设置有一个真空室，真空系统通过真空室对抽气孔进行抽真空；真空室的顶部设置有气囊，气囊与真空吸盘之间形成真空，气囊的顶部连通有充气管，真空室的顶部连通有抽气管，气囊通过充气管进行充气，真空系统通过抽气管对真空室进行抽真空。本专利技术较传统的吸附垫夹持方式，可以大幅增加加工压力，提升抛光效率，并且可以克服传统的双抛、上蜡以及吸附垫夹持加工方式无法达到晶片厚度＜200um的工艺水准，使用本案加工方式可以有效将晶片薄化到＜50um，且保证表面平坦度可达5mm2＜0.5um，PLTV＞95％的水准，解决了传统加工工艺无法达到钽酸锂(LiTaO3；LT)晶片厚度＜200um，且平坦度在5mm2＜0.5um，PLTV＞95％稳定产品品质要求的问题。尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法，其特征在于：包括如下步骤：首先将超薄晶片放置在真空吸盘的表面，真空吸盘的底部且对应超薄晶片的位置开设有多个抽气孔，在真空吸盘的顶部设置真空系统，真空系统通过对真空吸盘表面的多个抽气孔进行抽真空，使超薄晶片吸附在真空吸盘的底部。

【技术特征摘要】
1.一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法，其特征在于：包括如下步骤：首先将超薄晶片放置在真空吸盘的表面，真空吸盘的底部且对应超薄晶片的位置开设有多个抽气孔，在真空吸盘的顶部设置真空系统，真空系统通过对真空吸盘表面的多个抽气孔进行抽真空，使超薄晶片吸附在真空吸盘的底部。2.根据权利要求1所述的一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法，其特征在于：所述真空吸盘材质为陶瓷材料，用以避免研抛时高度的压力、温度对真空吸盘造成形变，确保超薄晶片加工后平坦度。3.根据权利要求1所述的一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈铭欣，刘明章，王士玮，吴柯宏，李源萍，林永活，郑贤良，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35