弹性波装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种利用了板波的S0模式的弹性波装置，其中，即使电极膜厚变化，也不易产生声速、频率特性的偏差。在压电薄膜(5)的第一主面(5a)上设置有具有多根电极指的IDT电极(6)。在压电薄膜(5)的第二主面(5b)上设置有导电层(8)。在弹性波装置(1)中，在压电薄膜(5)中传播的弹性波为板波的S0模式，处于所述IDT电极(6)的电极指间下方的区域的压电薄膜(5)部分比电极指以及处于电极指下方的区域的压电薄膜(5)部分变化得大。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】弹性波装置
本专利技术涉及利用了板波的S0模式的弹性波装置。
技术介绍
提出了各种使用压电薄膜并利用了板波的弹性波装置。例如，在下述的专利文献1公开了作为高声速的板波而利用了板波的A1模式、S0模式的弹性波装置。在专利文献1记载的弹性波装置中，在支承基板上设置有声反射层。在声反射层上，层叠有压电薄膜。在压电薄膜的上表面，设置有IDT电极。在先技术文献专利文献专利文献1：WO2012/086441A1
技术实现思路
专利技术要解决的课题在专利文献1记载的弹性波装置中，通过使用板波，从而与声表面波相比，能够实现高声速化、宽带化以及阻抗比的增大等。然而，本申请的专利技术人们发现了如下的新的课题，即，在利用板波的S0模式的弹性波装置中，根据IDT电极的膜厚，声速、频率特性的偏差会变大。本专利技术的目的在于，提供一种如下的弹性波装置，即，在利用了板波的S0模式的弹性波装置中，即使电极膜厚变化，也不易产生声速、频率特性的偏差。用于解决课题的技术方案本申请的第一专利技术涉及的弹性波装置具备：压电薄膜，具有第一主面和与所述第一主面对置的第二主面；IDT电极，设置在所述压电薄膜的所述第一主面上，并具有多根电极指；以及导电层，设置在所述压电薄膜的所述第二主面上，在所述压电薄膜中传播的弹性波为板波的S0模式，处于所述IDT电极的电极指间下方的区域的压电薄膜部分的位移大于所述电极指以及处于所述电极指下方的区域的压电薄膜部分。在本申请的第一专利技术涉及的弹性波装置中，优选地，所述IDT电极的厚度变化了一个波长的情况下的声速的变化为9300m/秒以下。在本申请的第一专利技术涉及的弹性波装置的另一个特定的局面中，在所述IDT电极的厚度变化了一个波长的情况下，所述声速的变化为1000m/秒以下。在本申请的第一专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中，在所述压电薄膜的欧拉角中，处于0°±20°的范围内，θ处于75°以上且145°以下的范围内，ψ处于0°±10°的范围内。本申请的第二专利技术涉及的弹性波装置具备：压电薄膜，具有第一主面和与所述第一主面对置的第二主面；IDT电极，设置在所述压电薄膜的所述第一主面上，并具有多根电极指；以及导电层，设置在所述压电薄膜的所述第二主面上，在所述压电薄膜中传播的弹性波为板波的S0模式，所述IDT电极的厚度变化了一个波长的情况下的声速的变化为9300m/秒以下。在第二专利技术涉及的弹性波装置中，优选地，在所述IDT电极的厚度变化了一个波长的情况下，所述声速的变化为1000m/秒以下。在本申请的第二专利技术涉及的弹性波装置涉及的某个特定的局面中，在所述压电薄膜的欧拉角中，处于0°±20°的范围内，θ处于75°以上且145°以下的范围内，以及ψ处于0°±10°的范围内。本申请的第三专利技术涉及的弹性波装置具备：压电薄膜，由LiNbO3构成，并具有第一主面和与所述第一主面对置的第二主面；IDT电极，设置在所述压电薄膜的所述第一主面上，并具有多根电极指；以及导电层，设置在所述压电薄膜的所述第二主面上，在所述压电薄膜中传播的弹性波为板波的S0模式，在所述压电薄膜的欧拉角中，处于0°±20°的范围内，θ处于75°以上且145°以下的范围内，ψ处于0°±10°的范围内。以下，将第一专利技术～第三专利技术统称为本专利技术。在本专利技术涉及的弹性波装置的某个特定的局面中，所述弹性波装置还具备支承基板，在所述支承基板上直接或间接地层叠有所述导电层。在本专利技术涉及的弹性波装置的另一个特定的局面中，所述弹性波装置还具备声反射层，所述声反射层设置在所述导电层与所述支承基板之间，所述声反射层还具有：高声阻抗层，具有相对高的声阻抗；以及低声阻抗层，声阻抗相对低。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中，所述高声阻抗层由氮化硅、Pt、W或氧化钽构成，所述低声阻抗层由氧化硅构成。在该情况下，能够更加有效地将板波禁闭在压电薄膜内。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中，所述弹性波装置还具备支承层，所述支承层对所述支承基板和所述导电层进行支承，在所述弹性波装置内形成有被所述支承基板、所述导电层以及所述支承层包围的中空部。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种如下的弹性波装置，即，利用了板波的S0模式，即使IDT电极的膜厚变化，也不易产生声速、频率特性的变化。附图说明图1(a)是本专利技术的第一实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图，图1(b)是用于说明板波的S0模式的示意图。图2是示出本专利技术的实施例1涉及的激励了板波的S0模式的情况下的位移分布的示意图。图3是示出比较例1的激励了板波的S0模式的情况下的位移分布的示意图。图4是示出比较例1的弹性波装置中的阻抗特性的图。图5是示出实施例1的弹性波装置中的阻抗特性的图。图6是示出比较例2的弹性波装置中的阻抗特性的图。图7是示出实施例2涉及的弹性波装置的阻抗特性的图。图8是示出实施例3、实施例4涉及的弹性波装置以及比较例3、比较例4涉及的弹性波装置中的电极厚度(λ)与声速的关系的图。图9是示出实施例3、实施例4涉及的弹性波装置以及比较例3、比较例4涉及的弹性波装置中的电极厚度(λ)与阻抗比Za/Zr的关系的图。图10(a)～图10(c)是用于说明本专利技术的第一实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的各主视剖视图。图11是本专利技术的第二实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图。图12示出实施例5的弹性波装置中的IDT电极的电极厚度与声速的关系。图13示出实施例5的弹性波装置中的IDT电极的电极厚度与阻抗比Za/Zr的关系。图14是示出实施例5的弹性波装置中的IDT电极的电极厚度与相对频带BW(％)的关系的图。图15是示出实施例6的弹性波装置中的使欧拉角的θ变化的情况下的阻抗比Za/Zr的变化的图。图16是示出实施例6的弹性波装置中的使欧拉角的θ变化的情况下的相对频带BW(％)的变化的图。图17是示出实施例7中的欧拉角的ψ与阻抗比Za/Zr的关系的图。图18是示出实施例7中的欧拉角的ψ与相对频带BW(％)的关系的图。图19是示出用于说明无用波的阻抗特性的图。图20是示出图19所示的阻抗特性的弹性波装置的相位特性的图。图21是示出欧拉角的ψ与无用波的相位角的关系的图。图22是示出实施例8中的欧拉角的与阻抗比Za/Zr的关系的图。图23是示出实施例8中的欧拉角的与相对频带BW(％)的关系的图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的具体的实施方式进行说明，从而明确本专利技术。另外，需要指出的是，在本说明书记载的各实施方式是例示性的，能够在不同的实施方式之间进行结构的部分置换或组合。图1(a)是本专利技术的第一实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图，图1(b)是用于说明板波的S0模式的示意图。弹性波装置1具有支承基板2。支承基板2由Si构成。不过，构成支承基板2的材料没有特别限定。在支承基板2上，设置有声反射层3。声反射层3具有：具有相对高的声阻抗的高声阻抗层3a、3c、3e；以及具有相对低的声阻抗的低声阻抗层3b、3d、3f。高声阻抗层3a、3c、3e与低声阻抗层3b、3d、3f交替地层叠。在支承基板2与高声阻抗层3a之间也可以存在粘接层等其它层。在后述的导电层8下层叠低声阻抗层3f。构成上述高声阻抗层3a、3c、3e以及低声阻抗层3b、3d、3f的材料只要满足上述声阻抗关系就没有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种弹性波装置，具备：压电薄膜，具有第一主面和与所述第一主面对置的第二主面；IDT电极，设置在所述压电薄膜的所述第一主面上，并具有多根电极指；以及导电层，设置在所述压电薄膜的所述第二主面上，在所述压电薄膜中传播的弹性波为板波的S0模式，处于所述IDT电极的电极指间下方的区域的压电薄膜部分的位移大于所述电极指以及处于所述电极指下方的区域的压电薄膜部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.09 JP 2015-1776011.一种弹性波装置，具备：压电薄膜，具有第一主面和与所述第一主面对置的第二主面；IDT电极，设置在所述压电薄膜的所述第一主面上，并具有多根电极指；以及导电层，设置在所述压电薄膜的所述第二主面上，在所述压电薄膜中传播的弹性波为板波的S0模式，处于所述IDT电极的电极指间下方的区域的压电薄膜部分的位移大于所述电极指以及处于所述电极指下方的区域的压电薄膜部分。2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，所述IDT电极的厚度变化了一个波长的情况下的声速的变化为9300m/秒以下。3.根据权利要求2所述的弹性波装置，其中，在所述IDT电极的厚度变化了一个波长的情况下，所述声速的变化为1000m/秒以下。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波装置，其中，在所述压电薄膜的欧拉角中，处于0°±20°的范围内，θ处于75°以上且145°以下的范围内，ψ处于0°±10°的范围内。5.一种弹性波装置，具备：压电薄膜，具有第一主面和与所述第一主面对置的第二主面；IDT电极，设置在所述压电薄膜的所述第一主面上，并具有多根电极指；以及导电层，设置在所述压电薄膜的所述第二主面上，在所述压电薄膜中传播的弹性波为板波的S0模式，所述IDT电极的厚度变化了一个波长的情况下的声速的变化为9300m/秒以下。6.根据权利要求5所述的弹性波装置，其中，在所述IDT电极的厚度变...

【专利技术属性】
技术研发人员：岸本谕卓，大村正志，木村哲也，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP