用于传送信号以操作静态随机存取存储器的架构制造技术

用于在半导体衬底的前侧与一个或多个晶体管交换信号的技术和机制。在实施例中，集成电路包括诸如静态随机存取存储器(SRAM)单元的单元，该单元包括以各种方式设置在衬底的第一侧中或衬底的第一侧上的晶体管结构。在制造这种晶体管结构之后，衬底材料可以被减薄以暴露与第一侧相对的衬底的第二侧。第一互连和第二互连各自被耦合以交换信号或电压。在另一实施例中，第一互连和第二互连的相应部分在衬底的相对侧上延伸，其中，第一侧和第二侧各自在这些互连部分之间延伸。由于低互连电阻，将互连结构定位在衬底的相对侧上允许性能改进。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于传送信号以操作静态随机存取存储器的架构
本文论述的实施例总体上涉及集成电路的领域，并且更具体地而非唯一地涉及存储器器件的控制信号路径。
技术介绍
常规的集成电路架构和工艺(例如用于静态随机存取存储器(SRAM)的那些)在半导体衬底的侧面中或侧面上提供晶体管，并且在衬底的侧面之上建立金属互连层。这种互连可以以各种方式为晶体管的操作输送电力、接地和控制信号。随着半导体工艺在尺寸上不断缩小，这些互连的电阻成为对电路性能的越来越大的约束。增加的集成倾向于在互连之间需要较小的节距，并且从而互连的宽度较小。部分归因于互连的截面尺寸的电阻随着连续较小的制造工艺而非线性地缩放。SRAM是一种类型的集成电路，其易受互连电阻特性的低劣缩放影响。一些现有技术试图通过捆扎单独的金属层中的线来减少高互连电阻的影响。然而，该捆扎具有其自身的限制，例如由更多和/或更小的过孔引入的电阻。其它技术通过对跨多个控制信号的位进行划分来减少共享给定控制信号(例如字线信号或位线信号)的位的数量。然而，这种划分具有诸如地址电路和/或来自这种电路读数所需的附加逻辑和时序的折衷方案。随着逐渐变小和更快的架构的趋势，存在向集成电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路，包括：半导体衬底；单元，所述单元包括一个或多个晶体管，所述一个或多个晶体管至少部分地设置在所述半导体衬底的第一侧中或所述半导体衬底的第一侧上，其中，所述半导体衬底的第二侧与所述第一侧相对；第一互连，所述第一互连耦合到所述一个或多个晶体管；以及第二互连，所述第二互连耦合到所述一个或多个晶体管，其中，所述第一侧和所述第二侧各自在所述第一互连的一部分与所述第二互连的一部分之间延伸。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种集成电路，包括：半导体衬底；单元，所述单元包括一个或多个晶体管，所述一个或多个晶体管至少部分地设置在所述半导体衬底的第一侧中或所述半导体衬底的第一侧上，其中，所述半导体衬底的第二侧与所述第一侧相对；第一互连，所述第一互连耦合到所述一个或多个晶体管；以及第二互连，所述第二互连耦合到所述一个或多个晶体管，其中，所述第一侧和所述第二侧各自在所述第一互连的一部分与所述第二互连的一部分之间延伸。2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一互连和所述第二互连的其中之一被耦合以向所述一个或多个晶体管提供控制信号。3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述控制信号包括字线信号和位线信号的其中之一。4.根据权利要求1和2中任一项所述的集成电路，其中，所述单元包括存储器单元。5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述存储器单元包括静态随机存取存储器单元。6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述单元包括寄存器文件单元。7.根据权利要求1和2中任一项所述的集成电路，其中，所述第一互连和所述第二互连各自被耦合以提供字线信号和位线信号中的相应一个信号，所述集成电路还包括第三互连，以向所述一个或多个晶体管提供电源电压和参考电位的其中之一。8.根据权利要求1和2中任一项所述的集成电路，所述第一互连包括延伸穿过所述第二侧和所述半导体衬底的过孔，以直接耦合到所述第一侧处的栅极。9.根据权利要求1和2中任一项所述的集成电路，其中，所述集成电路包括经由所述第二侧耦合到所述半导体衬底的第一金属叠置体，所述第一金属叠置体包括所述第一互连。10.根据权利要求9所述的集成电路，其中，所述集成电路包括经由所述第一侧耦合到所述半导体衬底的第二金属叠置体，所述第二金属叠置体包括所述第二互连。11.一种用于制造集成电路的方法，所述方法包括：至少部分地在半导体衬底的第一侧中或上形成单元的一个或多个晶体管；在形成所述一个或多个晶体管之后，执行减薄以暴露所述半导体衬底的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对；以及形成所述集成电路的第一互连和第二互连，包括：将所述第一互连和所述第二互连各自耦合到所述一个或多个晶体管，其中，所述第一侧和所述第二侧各自在所述第一互连的一部分与所述第二互连的一部分之间延伸。12.根据权利要求11所述的方法，其中，将所述第一互连和所述第二互连各自耦合到所述一个或多个晶体管包括：耦合所述第一互连和所述第二互连的其中之一...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·W·纳尔逊，E·A·卡尔，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US