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用于在半导体衬底的前侧与一个或多个晶体管交换信号的技术和机制。在实施例中，集成电路包括诸如静态随机存取存储器(SRAM)单元的单元，该单元包括以各种方式设置在衬底的第一侧中或衬底的第一侧上的晶体管结构。在制造这种晶体管结构之后，衬底材料可以...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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