从熔体形成结晶片的装置制造方法及图纸

一种从熔体拉制结晶片的装置。所述装置可包括：坩埚，用以容纳所述熔体并具有挡坝结构，其中所述熔体包括暴露表面，所述暴露表面具有由所述挡坝结构的顶部界定的水平高度。所述装置可进一步包括支撑装置，所述支撑装置安置于所述坩埚内并具有上表面，其中当在所述支撑装置之上拉制所述结晶片时，所述结晶片保持与所述熔体的所述暴露表面齐平，且所述装置可包括回熔加热器，所述回熔加热器经由所述支撑装置的所述上表面引导热量，以在所述支撑装置之上拉制所述结晶片时使所述结晶片部分地熔融。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】从熔体形成结晶片的装置
本专利技术实施例涉及从熔体生长结晶材料，且更具体而言涉及从熔体形成单结晶片。
技术介绍
蓝宝石是仅次于硅的第二最广泛使用的合成单晶材料。蓝宝石代表氧化铝(A103)的一种结晶形式且可通过例如从熔体生长蓝宝石的结晶晶锭来形成。蓝宝石的应用包括用作发光二极管(lightemittingdiode，LED)衬底、光学窗、蓝宝石上覆硅(silicon-on-sapphire，SOS)、移动元件等。所有这些应用均需要呈薄结晶片形式的单晶体(单晶)蓝宝石。因此，当生长为晶锭时，可通过在生长晶锭后切割所述晶锭来形成蓝宝石片或晶片，以形成具有目标厚度的蓝宝石片或衬底。在硅生长的情形中，可通过所谓的浮硅法(floatingsiliconmethod，FSM)来生长单晶硅。在所述浮硅法中，通过冷却熔体表面的一部分来使所述熔体表面处的层结晶、并沿水平方向拉动所述结晶层来从硅熔体形成硅的结晶片。这样，可从硅熔体连续地拉制带状的单晶硅片。意外地，单晶硅的密度小于硅熔体的密度，从而使得正在生长的硅带浮在所述熔体表面上。这使得所述带沿所述熔体表面被方便地拉制并在目标位置处与所述硅熔体分离。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种从熔体拉制结晶片的装置，其特征在于，包括：坩埚，用以容纳所述熔体并具有挡坝结构，所述熔体包括暴露表面，所述暴露表面具有由所述挡坝结构的顶部界定的水平高度；支撑装置，安置于所述坩埚内并具有上表面，其中当在所述支撑装置之上拉制所述结晶片时，所述结晶片保持与所述熔体的所述暴露表面齐平；以及回熔加热器，经由所述支撑装置的所述上表面引导热量，以在所述支撑装置之上拉制所述结晶片时使所述结晶片部分地熔融。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.19 US 14/830,1401.一种从熔体拉制结晶片的装置，其特征在于，包括：坩埚，用以容纳所述熔体并具有挡坝结构，所述熔体包括暴露表面，所述暴露表面具有由所述挡坝结构的顶部界定的水平高度；支撑装置，安置于所述坩埚内并具有上表面，其中当在所述支撑装置之上拉制所述结晶片时，所述结晶片保持与所述熔体的所述暴露表面齐平；以及回熔加热器，经由所述支撑装置的所述上表面引导热量，以在所述支撑装置之上拉制所述结晶片时使所述结晶片部分地熔融。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述熔体包含氧化铝且所述结晶片包含蓝宝石。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述支撑装置包括：固定部，从所述坩埚的底部延伸；以及可调节部，所述可调节部界定所述支撑装置的所述上表面，其中所述可调节部能够从第一位置移动至第二位置，在所述第一位置上，所述上表面相对于所述挡坝结构的所述顶部安置于第一水平高度，而在所述第二位置上，所述上表面相对于所述挡坝结构的所述顶部安置于第二水平高度。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，在所述第一位置及所述第二位置上，所述可调节部接触所述固定部。5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述支撑装置包含难熔金属。6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括气体喷射器，所述气体喷射器安置于所述挡坝结构的下游以将气体流引导至与所述挡坝结构邻近的所述熔体。7.一种从熔体生长结晶片的装置，其特征在于，包括：坩埚，用以容纳所述熔体并具有挡坝结构，所述熔体具有由所述挡坝结构的顶部界定的暴露表面；结晶器，安置于所述熔体上方，以从所述熔体的所述暴露表面移除冷却区中的热量，其中在所述冷却区中在所述暴露表面处形成所述结晶片的前缘，所述结晶片具有初始片厚度；以及支撑装置，在所述结晶器的下游安置于所述坩埚内并具有上表面，其中当在所述支撑装置之上拉制所述结晶片时，所述结晶片保持与所述熔体的所述暴露表面齐平。8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙大伟，彼德·L·凯勒曼，葛列格里·斯罗森，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：美国,US