In order to improve the signal to noise ratio of optical measurement in large scale integrated circuit manufacturing, the present disclosure relates to a method and device for determining the spot position of a light spot. Methods include: measurement for irradiation in the first reflection spectrum of incident beam on the first region to be measured; measuring for irradiation in second reflectance spectra of second incident beam area to be measured, wherein the first incident beam and second beam azimuth angle is 180 degrees; and if the difference between the first and second reflection spectrum reflectance spectra less than a predetermined threshold, then determines the first incident beam and second beam on the measured spot center is on the geometric center of the measured area. The present disclosure also provides a device for determining the spot position of the light spot. The embodiment can quickly determine and correct the spot position, so as to improve the signal-to-noise ratio, accuracy and applicability of the measurement.
【技术实现步骤摘要】
用于确定光斑位置的方法和设备
本公开涉及大规模集成电路制造中的光学测量技术,具体地涉及使用光学关键尺寸(OpticalCriticalDimension(OCD))测量技术的测量系统中的用于确定光斑位置的方法和设备。
技术介绍
随着大规模集成电路制造向着纳米技术节点发展,器件尺寸不断缩小,结构设计也愈加复杂,这要求尺寸测量和工艺控制要更准确、更快速。光学关键尺寸(OCD)测量技术目前已经广泛地应用于十二寸硅片半导体集成电路的制造,它可以实现周期性结构样品的线宽、高度及角度等多个工艺特征的在线测量。与诸如扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)之类的其他测量技术相比较,OCD是非接触的、无破坏性的测量,具有快速性和经济性的优点。随着新一代半导体器件的尺寸更小、性能更高,OCD技术的优势也将愈专利技术显。OCD技术的实现分为以下三步:(1)获得测量光谱;(2)建立理论光谱库;(3)匹配光谱。具体而言,首先使用OCD测量装置在具有周期性结构的样品区域采集到包含有样品材料、结构等信息的一系列测量光谱;与此同时,根据样品结构的参考信息和测量 ...
【技术保护点】
一种用于确定光斑位置的方法,包括:测量针对照射在待测区域上的第一入射光束的第一反射光谱;测量针对照射在所述待测区域上的第二入射光束的第二反射光谱,其中所述第一入射光束和所述第二入射光束的方位角相差180
【技术特征摘要】
1.一种用于确定光斑位置的方法,包括:测量针对照射在待测区域上的第一入射光束的第一反射光谱;测量针对照射在所述待测区域上的第二入射光束的第二反射光谱,其中所述第一入射光束和所述第二入射光束的方位角相差180°;以及如果所述第一反射光谱和所述第二反射光谱之间的差异小于预定阈值,则确定所述第一入射光束和所述第二入射光束在所述待测区域上的光斑中心处于所述待测区域的几何中心。2.根据权利要求1所述的方法,还包括:在测量之前确定所述待测区域的所述几何中心,以辅助所述第一入射光束的照射。3.根据权利要求2所述的方法,其中在放大的视场中选出所述几何中心。4.根据权利要求2所述的方法,其中通过所述待测区域的各个顶点的坐标来计算出所述几何中心。5.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一反射光谱和所述第二反射光谱之间的差异包括:所述第一反射光谱和所述第二反射光谱之间的均方根差或拟合优度。6.根据权利要求1所述的方法,还包括:如果所述差异大于所述预定阈值,校正所述第一入射光束的照射;重复执行根据权利要求1所述的步骤。7.根据权利要求6所述的方法,其中校正所述第一入射光束的照射包括:在相互垂直的两个方向上对所述待测区域进行扫描,测量一系列反射光谱;比较所述一系列反射光谱的变化趋势;基于所述一系列反射光谱的变化趋势,对所述第一入射光束的照射进行校正。8.根据权利要求1所述的方法,其中所述反射光谱表示:反射率、偏振态变化、傅立叶系数、琼斯矩阵、或穆勒矩阵。9.一种用于确定光斑位置的设备,包括:第一测量装置,用于测量针对照射在待测区域上的第一入射光束的第一反射光谱;第...
【专利技术属性】
技术研发人员:詹焰坤,张振生,施耀明,徐益平,
申请(专利权)人:睿励科学仪器上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。