【技术实现步骤摘要】
一种异质结双极晶体管基极基座使用单层光罩蚀刻方法
本专利技术涉及半导体加工领域,尤其一种异质结双极晶体管基极基座使用单层光罩蚀刻方法。
技术介绍
基极基座是异质结双极晶体管器件中介于集极(Collector)与基极(Base)两极的斜坡,其电性影响为BVceo及BVcbo。现有技术使用双层光罩(BR,BPMask)蚀刻工艺流程,不仅步骤多用一道光罩的黄光工艺制作流程还需去除光阻及表面处理,浪费成本。而现有技术中采用单层光罩工艺中由于磷酸与双氧水混合刻蚀主GaAs时会侧蚀InGaP下方GaAs造成BPInGaP及Nitride裸露出来而导致后续蒸镀金线在BasePedestal斜坡上断线的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足,提供一种异质结双极晶体管基极基座使用单层光罩蚀刻方法。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的:一种异质结双极晶体管基极基座使用单层光罩蚀刻方法,包括以下步骤:S1:通过光刻以及通过H3PO4腐蚀进行湿法刻蚀,形成发射区台面;S2:通过PECVD的方式完成SiN沉积;S3:利用BP光罩完成BP图形光刻,形成BP掩膜;S4:利用SF6和O2对SiN薄膜进行干法刻蚀;S5:用HCL溶液腐蚀SiN薄膜下方InGaP层;S6:利用H3PO4和H2O2混合溶液对InGaP层下方的GaAs层进行湿法刻蚀,形成BP台面结构;S7:用HCL溶液或者磷酸溶液完成SiN薄膜下方InGaP层的湿法刻蚀,用于补侧壁InGaP层刻蚀;S8:利用SF6和O2对SiN薄膜进行干法刻蚀,用于补侧壁SiN刻蚀;S9:利用NMP溶液湿法去除BP光阻。 ...
【技术保护点】
一种异质结双极晶体管基极基座使用单层光罩蚀刻方法,其特征在于:包括以下步骤:S1:通过光刻以及通过H3PO4腐蚀进行湿法刻蚀,形成发射区台面;S2:通过PECVD的方式完成SiN沉积;S3:利用BP光罩完成BP图形光刻,形成BP掩膜;S4:利用SF6和O2对SiN薄膜进行干法刻蚀;S5:用HCL溶液腐蚀SiN薄膜下方InGaP层;S6:利用H3PO4和H2O2混合溶液对InGaP层下方的GaAs层进行湿法刻蚀,形成BP台面结构;S7:用HCL溶液或者磷酸溶液完成SiN薄膜下方InGaP层的湿法刻蚀,用于补侧壁InGaP层刻蚀;S8:利用SF6和O2对SiN薄膜进行干法刻蚀,用于补侧壁SiN刻蚀;S9:利用NMP溶液湿法去除BP光阻。
【技术特征摘要】
1.一种异质结双极晶体管基极基座使用单层光罩蚀刻方法,其特征在于:包括以下步骤:S1:通过光刻以及通过H3PO4腐蚀进行湿法刻蚀,形成发射区台面;S2:通过PECVD的方式完成SiN沉积;S3:利用BP光罩完成BP图形光刻,形成BP掩膜;S4:利用SF6和O2对SiN薄膜进行干法刻蚀;S5:用HCL溶液腐蚀SiN薄膜下方InGaP层;S6:利用H3PO4和H2O2混合溶液对InGa...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢骞,
申请(专利权)人:成都海威华芯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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