阵列基板及其制造方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制造方法以及显示装置。该制造方法包括：在衬底上形成第一半导体图案和第一绝缘层；形成彼此隔离的第一栅极图案和第二栅极图案；形成第二绝缘层；形成第二半导体图案；形成第一金属图案以及分别与第二半导体图案搭接的第二金属图案和第三金属图案；形成第三绝缘层；形成第一过孔、第二过孔、第一源漏极、第二源漏极，其中，第一源漏极分别通过第一过孔与第一半导体图案连接，第二源漏极分别通过第二过孔与第二半导体图案连接。本发明专利技术的制造方法可实现一次构图工艺制作过孔后氢氟酸清洗的正常进行，避免了氢氟酸对氧化物半导体层的影响，同时简化了制作流程，进而降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法和显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制造方法以及包括该阵列基板的显示装置。
技术介绍
AMOLED(有源矩阵有机发光二极管)技术是Mobile产品的发展趋势。作为像素的开关使用的TFT(薄膜晶体管)，需要漏电流(Ioff)尽可能小，而利用氧化物半导体的TFT能够减小漏电流。但是，氧化物半导体的载流子的迁移率小，因此有时难以用使用了氧化物半导体的TFT来形成内置于显示装置内的驱动电路。另一方面，由于LTPS(LowTemperaturePoly-Si：低温多晶硅)TFT的载流子迁移率大，因此能够通过使用了LTPS的TFT来形成驱动电路。然而，在将LTPS用作像素中的开关TFT的情况下，LTPS的漏电流大。LTPO(LTPS+Oxide，即低温多晶硅与氧化物半导体的组合)技术结合了LTPSTFT和OxideTFT这两种TFT各自的优势，在MobileAMOLED产品的高PPI、低功耗、高画质等方面具备一定的技术优势。另外，由于OxideTFT具有漏电流低的优点，在LTPS+Oxide技术的传感器应用上也有一定的优点。因此LTPO工艺的开发具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，其特征在于，所述制造方法包括：在所述第一区域形成第一半导体图案；形成至少覆盖所述第一半导体图案的第一绝缘层；通过一次成膜工艺，分别在所述第一区域和所述第二区域形成彼此隔离的第一栅极图案和第二栅极图案；形成覆盖所述第一栅极图案和所述第二栅极图案的第二绝缘层；在所述第二区域形成第二半导体图案；通过一次成膜工艺，在所述第一区域形成第一金属图案，在所述第二区域形成分别与所述第二半导体图案搭接的第二金属图案和第三金属图案；形成覆盖所述第二半导体图案、所述第一金属图案、所述第二金属图案和所述第三金属图案的第三绝缘层；在所述第一区...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，其特征在于，所述制造方法包括：在所述第一区域形成第一半导体图案；形成至少覆盖所述第一半导体图案的第一绝缘层；通过一次成膜工艺，分别在所述第一区域和所述第二区域形成彼此隔离的第一栅极图案和第二栅极图案；形成覆盖所述第一栅极图案和所述第二栅极图案的第二绝缘层；在所述第二区域形成第二半导体图案；通过一次成膜工艺，在所述第一区域形成第一金属图案，在所述第二区域形成分别与所述第二半导体图案搭接的第二金属图案和第三金属图案；形成覆盖所述第二半导体图案、所述第一金属图案、所述第二金属图案和所述第三金属图案的第三绝缘层；在所述第一区域形成贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的第一过孔，在所述第二区域形成贯穿所述第三绝缘层的第二过孔；以及形成第一源极和第一漏极、第二源极和第二漏极，其中，所述第一源极和所述第一漏极分别通过所述第一过孔与所述第一半导体图案连接，所述第二源极和所述第二漏极分别通过所述第二过孔与所述第二半导体图案连接。2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一半导体图案的材料为多晶硅。3.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二半导体图案的材料为氧化铟锌、氧化铟锡锌、氧化铟镓、氧化铟镓锌、氧化铟钨、氧化锌、氧化锡、氧化镓锌、氧化锌锡中的一种或多种的组合。4.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二源极通过所述第二过孔与所述第二金属图案连接，所述第二漏极通过所述第二过孔与所述第三金属图案连接。5.如权利要求1至4中任一项所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，形成所述第一过孔和所述第二过孔的工艺具体包括：在同一次曝光工艺中，形成所述第一过孔和所述第二过...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海旭，汪建国，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11