显示基板的制作方法、显示基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，公开了一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置，采用本发明专利技术实施例提供的制作方法在衬底基板上制作薄膜晶体管，在保证不会出现刻蚀残留的前提下，可以获得良好的栅极绝缘层形貌，从而使得后续对有源层进行导体化处理时位于栅极绝缘层下方的沟道区长度不会受到影响，进而改善了TFT的阈值电压特性，提高显示装置的产品品质。

【技术实现步骤摘要】
显示基板的制作方法、显示基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，简称OLED)显示装置由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，已被列为极具发展前景的下一代显示技术。OLED显示装置的显示基板上的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)通常包括顶栅和底栅两种类型。如图1所示，现有一种顶栅型TFT包括：在衬底基板上依次设置的遮光层、第一绝缘层、有源层、栅极绝缘层、栅极、第二绝缘层和源漏极层，源漏极层的源极和漏极相对设置。在显示基板的制作过程中，在衬底基板上依次形成栅极之后，需要对栅极绝缘层进行部分刻蚀，以使覆盖于栅极绝缘层之下的有源层能够部分暴露出来，然后对暴露出的部分有源层进行导体化处理，最后通过过孔实现源极和漏极与导体化后的有源层的连接。现有技术存在的缺陷在于，在显示基板的制作过程中，如果达不到刻蚀工艺要求，难以形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板的制作方法，包括在衬底基板一侧制作顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述在衬底基板一侧制作顶栅型薄膜晶体管，包括以下步骤：形成有源层；在所述有源层远离所述衬底基板的一侧依次形成栅极绝缘膜层、栅极膜层和光刻胶膜层；以掩模板为保护掩模，对所述光刻胶膜层进行曝光，使所述光刻胶膜层对应预形成栅极的区域未曝光，对应栅极膜层的刻蚀区的区域完全曝光；对曝光后的光刻胶膜层进行显影，显影后的所述光刻胶膜层的厚度为1.8～2.2um，坡度角不小于70°；以显影后的所述光刻胶膜层为保护掩模，对所述栅极膜层进行过度刻蚀形成栅极，所述栅极在所述衬底基板的正投影位于显影后的所述光刻胶膜层在所述衬底基板的正投影的区...

【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制作方法，包括在衬底基板一侧制作顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述在衬底基板一侧制作顶栅型薄膜晶体管，包括以下步骤：形成有源层；在所述有源层远离所述衬底基板的一侧依次形成栅极绝缘膜层、栅极膜层和光刻胶膜层；以掩模板为保护掩模，对所述光刻胶膜层进行曝光，使所述光刻胶膜层对应预形成栅极的区域未曝光，对应栅极膜层的刻蚀区的区域完全曝光；对曝光后的光刻胶膜层进行显影，显影后的所述光刻胶膜层的厚度为1.8～2.2um，坡度角不小于70°；以显影后的所述光刻胶膜层为保护掩模，对所述栅极膜层进行过度刻蚀形成栅极，所述栅极在所述衬底基板的正投影位于显影后的所述光刻胶膜层在所述衬底基板的正投影的区域内；以显影后的所述光刻胶膜层为保护掩模，采用气相腐蚀的方法对所述栅极绝缘层膜层进行过刻时间为(20％～30％)*t的过度刻蚀形成栅极绝缘层，气相腐蚀的气体氛围为流量为2000～2500SCCM的四氟化碳CF4和流量为200～650SCCM的氧气O2，其中，t为正常刻蚀栅极绝缘膜层的时间；剥离所述栅极表面残留的光刻胶膜层；以栅极绝缘层为保护掩模，对有源层进行导体化处理。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述栅极在所述衬底基板的正投影的边缘与显影后的所述光刻胶膜层在所述衬底基板的正投影的边缘的间距为1～1.5um。3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述形成有源层的步骤之前，所述制作方法还包括：在所述衬底基...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，丁录科，方金钢，周斌，程磊磊，李伟，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34