一种实时监测多晶硅沉积工艺过程氧气浓度的装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种实时监测多晶硅沉积工艺过程氧气浓度的装置，适用于炉管工艺多晶硅沉积机台，所述炉管工艺多晶硅沉积机台包括反应炉管、与所述反应炉管相连接的气体外出管路以及泵，其中，所述气体外出管路上设有支联装置，所述支联装置内设有氧气敏感器。本发明专利技术能够在第一时间有效地监测炉管机台反应炉管内部氧气浓度的变化情况，避免因反应炉管微漏气造成的晶圆器件失效而导致的报废。通过使用本发明专利技术能够节省机台维护保养复机时间约2h，提升机台产能，直接反应机台状况。

【技术实现步骤摘要】
一种实时监测多晶硅沉积工艺过程氧气浓度的装置
本专利技术涉及多晶硅沉积工艺的
，尤其涉及一种监测多晶硅沉积工艺过程氧气浓度的装置。
技术介绍
多晶硅薄膜，因为其特有的导电特性和易于实现自对准工艺的优点，被广泛用于集成电路和各种电子器件的制造。现有技术中通常是采取TELFormula机台低压气相化学(LPCVD)淀积多晶硅薄膜，反应的原理主要是硅烷(SiH4)的热分解。多晶硅的沉积过程中，若有氧气存在，会导致SiO2的生成，改变沉积多晶硅的介电性，从而改变器件的阈值电压和漏电流，导致器件的失效。TELFormula机台在工艺进行时，反应炉管内是无氧气存在的。但若反应炉管微漏，会使空气中的氧气扩散进入反应炉管内。为了监控反应炉管内部的氧气含量，现有技术中通常可以通过对比监测在反应炉管内前后氧化膜厚度的变化来监控反应炉管的内部氧气含量的，这种方法有一定的滞后性，无法做到实时监控。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种实时监测多晶硅沉积工艺过程氧气浓度的装置。为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：一种实时监测多晶硅沉积工艺过程氧气浓度的装置，适用于炉管工艺多晶硅沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实时监测多晶硅沉积工艺过程氧气浓度的装置，适用于炉管工艺多晶硅沉积机台，所述炉管工艺多晶硅沉积机台包括反应炉管、与所述反应炉管相连接的气体外出管路以及泵，其特征在于，所述气体外出管路上设有支联装置，所述支联装置内设有氧气敏感器。

【技术特征摘要】
1.一种实时监测多晶硅沉积工艺过程氧气浓度的装置，适用于炉管工艺多晶硅沉积机台，所述炉管工艺多晶硅沉积机台包括反应炉管、与所述反应炉管相连接的气体外出管路以及泵，其特征在于，所述气体外出管路上设有支联装置，所述支联装置内设有氧气敏感器。2.根据权利要求1所述的实时监测多晶硅沉积工艺过程氧气浓度的装置，其特征在于，所述支联装置包括与所述气体外出管路的上游相连通的支联入口管路以及与所述气体外出管路的下游相连通的支联出口管路。3.根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂新星，祁鹏，王智，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31