二极管制造技术

本实用新型专利技术提供了一种二极管，包括依次分布的阳极P区、阴极N‑区和阴极N+区；其中，在该N‑区中设置有N型控制区，其中该N型控制区的平均掺杂浓度大于该N‑区的平均掺杂浓度，该N型控制区的厚度小于该N‑区的厚度。二极管容易产生震荡的一个原因是电场的截止位置处缺少相应的载流子，从而造成电流的急剧变化而产生震荡，通过加入N型控制层可以控制电场的分布，从而使得电场截止的位置处仍然具有一定的载流子浓度，不会使电流发生急剧变化而产生震荡，从而解决了现有技术中二极管在反向恢复过程中容易发生snap‑off现象的问题，延长了二极管的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
二极管
本技术涉及半导体功率器件
，具体涉及一种二极管。
技术介绍
在电力电子领域，二极管，特别是快速恢复二极管(FastRecoveryDiode，简称为FRD)是电力电子电路(例如逆变器)中重要器件之一。因为快速恢复二极管不是理想开关器件，反向恢复过程中发生的snap-off(震荡)常常引起其损坏，甚至在反向电压低于静态击穿电压的条件下也会发生此现象。随着逆变器频率越来越高，FRD承受的di/dt(单位时间内电流的变化)也越来越高，使其在反向恢复过程中更容易发生snap-off现象。随着电力系统应用的需求不断提升，快速恢复二极管正在向着更高电压、更大功率、更快速度的方向发展，反向恢复过程中的震荡可能会造成器件损坏或系统干扰。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供了一种二极管，以解决现有技术中二极管在反向恢复过程中容易发生snap-off现象的问题。为此，本技术实施例提供了如下技术方案：本技术提供了一种二极管，包括：依次分布的阳极P区、阴极N-区和阴极N+区；其中，在所述N-区中设置有N型控制区，其中所述N型控制区的平均掺杂浓度大于所述N-区的平均掺杂浓度，所述N型控制区的厚度小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二极管，其特征在于，包括：依次分布的阳极P区、阴极N‑区和阴极N+区；其中，在所述N‑区中设置有N型控制区，其中所述N型控制区的平均掺杂浓度大于所述N‑区的平均掺杂浓度，所述N型控制区的厚度小于所述N‑区的厚度。

【技术特征摘要】
1.一种二极管，其特征在于，包括：依次分布的阳极P区、阴极N-区和阴极N+区；其中，在所述N-区中设置有N型控制区，其中所述N型控制区的平均掺杂浓度大于所述N-区的平均掺杂浓度，所述N型控制区的厚度小于所述N-区的厚度。2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述N型控制区的平均掺杂浓度小于所述N+区的平均掺杂浓度。3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，包括：所述N型控制区的掺杂浓度为1e12～1e15cm-3。4.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述N型控制区的浓度分布方式包括以下至少之一：均匀分布...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐哲，刘钺杨，吴迪，曹功勋，和峰，何延强，王耀华，刘江，崔磊，金锐，温家良，潘艳，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11